I 1 공정 용어 해설 II IV V

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I 1. 공정 용어 해설 II IV V VI 1. 기본 용어 용 어 Abort ( 중지 ) Agent Air Shower Accuracy ( 정도, 정확도 ) 의 미 Process진행 中 M/C 이상 등으로 인해 Process를 중지시키는 것 외국 M/C Maker대신으로 M/C을 유지 및 Trouble Shooting 등을 지원하는 사람 Fab內 청정도를 유지하기 위한 P/T감소의 방법으로 Class가 낮은 곳에서 높은 곳으로 이동할 경우 Air의 힘으로 P/T을 제거하는 장소 Photo 공정 및 장비에서 많이 사용되는 용어로 Alignment Accuracy, Stepping Accuracy등으로 표현되며, 얼마만큼 정확하게 움직였는지 또는 얼마만큼 정확한 값이 나왔는지를 나타냄. Adjust ( 조정 ) Axis ( 축 ) BM( Breakdown Maintenance ) Back Rinse ( 뒷면헹굼 ) Backside Bake Ball Valve Batch Bay Beam 각종 장비 또는 BOARD등에서 기계적 또는 전기적으로 어떤 이상적인 값이나 상태를 만들기 위해 조정해주는 것을 의미함. 기계상에서의 회전부의 중심부분을 의미하며 광학적인 부분에서는 원형인 렌즈가 몇개 또는 수십개의 군을 가진형태로 조합될 때 렌즈의 중심 부분을 기준으로 하는 것을 광축이라 한다. M/C 에 Trouble이 발생한 후 취해지는 Maintenance. Track장비에서 Glass 도포 또는 현장 작업 후 뒷면에 붙은 이물질을 제거하기 위하여 씻어 주는 과정을 의미함. Glass의 뒷면을 의미함 PR등에 포함되어 있는 습기를 없애기 위해 고온으로 Glass등을 처리하는 것 Pump Exhaust部에서 Dry Pump로의 Back Stream을 방지하기 위해 Valve내부에 고무 Type의 Ball이 들어 있는 Valve 동시에 여러 장의 Wafer를 처리하는 형태 Fab을 공정별로 구분하여 지정한 Area Ion이나 전자 등이 Energy ( 전기장, 자기장 )를 받아 공기 중을 높은 밀도로 날아갈 때 생성되는 이동 경로

I 1. 공정 용어 해설 용 어 의 II IV V VI 미 Bearing 동력 전달부에 마찰을 줄이고 원활한 동력을 전달하기 위해 설치되는 것 ( Ball Bearing Air Bearung ) Bipolar Unipolar와는 대조되는 의미로서 전하를 이동하는 Carrier로 Electron과 Hole이 동시에 역할을 Bit Booster Bottle Neck ( 병목현상 ) Calibration Capacitor Cassette Charge Chiller Clean Mat Clean Note ( 무진 Note ) Clean Room ( 청정실 ) Collector Compressor Control Rack CVD ( 화학적 기상 증착 ) Critical Dimension ( CD ) 담당하는 것 Memory의 기본단위 (1 Byte=8 bits ) 보통 Booster Pump를 말하며 Pump Speed를 증가시키기 위해 보조 Pump로 사용, 단독으로는 사용할 수 없슴. Backup장비 부재로 인해 Run이 밀집되는 현상 M/C 사용 중 Reference값의 변화를 바로 잡는 것 Capability의 준말로서 처리능력을 말함. 전하를 저장할 수 있는 소자. Memory에서 수개의 Capacitor의 Data를 조합하여 기억함 Glass끼리 접촉을 막기 위해 Slot을 만들어 놓은 Glass보관 용기 전하가 축적되는 것 Cooling Water의 온도를 조절하는 장치 Clean room用 신발바닥에 묻은 particle을 제거하기 위해 만든 접착력을 가지고 있는 Mat Fab內에서 사용되는 Particle이 발생되지 않는 종이로 만든 Note Particle발생을 억제하고 Filter를 사용하여 발생된 P/T을 제거하여 먼지가 거의없는 밀폐된 공간 Tr에서 전자를 받아들이는 부분 Cryo pump에 압축 He을 보내 Cryo Pump內의 온도를 낮추는 장치 Controller를 모아 놓은 Rack Chemical Vapor Deposition의 약자로 Deposition할 물질을 고온으로 증발시켜 Glass에 증착되 도록 하는 Thin Film 성장 방법 Photo공정에서 Reticle의 패턴을 Glass에 노광 또는 현상 후 선 또는 패턴의 폭 또는 길이를

I 1. 공정 용어 해설 용 어 Deposition ( 증착 ) 의 II IV V VI 미 의미하며 CD Bar 또는 Cell부분을 CD SEM으로 측정하여 관리하는 Parameter이다. 물질을 Wafer표면에 쌓이도록 하는 것 Ellipsometer Emitter Etch ( 식각 ) Etch Rate ( 식각속도 ) Emergency ( 비상 ) EEPROM Oxide 두께를 제는 장치 Tr에서 전자를 방출하는 부분 Hole ( 정공 ) + 전하를 띠고 Electron과 같이 전하를 이동하는 입자 Notch현상이라고도 부르며 SD나 Metal Layer등의 Photo공정에서 나타나며 아래 패턴의 반 Hallation Ion ( 이온 ) 필요한 부분을 제외한 부분을 깎아 내는 공정 식각되는 속도 문제발생시 M/C 의 Power를 차단 전기적으로 지울 수 있는 ROM 사에 의해 만들고자 하는 윗 패턴의 양쪽 주변부분이 깎여 나가는 현상 원자나 분자가 전하를 띤 상태 분자나 원자를 이온화시켜 그 내부의 입자수를 Check하는 Vacuum Gauge의 일종 Ion Gauge LOT Mano Meter Metal Contamination ( 금속오염 ) Glass의 공정 단위 Exhaust의 압력을 측정하는 장치 M/C을 구성하고 있는 금속의 부분이 Sputtering되어 Glass에 증착되어 Device에 나쁜 영향을 Metal Etch MFC 미치는 것 Metal Line외의 부분을 깎아내는 공정 Mass Flow Controller의 약자로 유체의 흐름을 조정하는장치 MOS Marker O - Ring Metal Oxide Semiconductor의 약자로 반도체 ( Si )의 표면에 산화막 ( Si. O₂)을 형성하고 그 위에 금속을 붙인 구조를 가지고 있다. Namimg장비라고도 하며 LOT 이름 및 Glass 번호 등을 만들어 주는 장비 Vacuum Sealing부분에 사용되는 고무재질의 링

I 1. 공정 용어 해설 용 어 의 II IV V VI 미 Oxide ( 산화막 ) P/R 절연 및 Device보호를 위한 산화막 Photo Resistor의 약자로 일종의 감광액임 Pattern Photo PPB PR Strip PPM PPT Mask에 Design된 Device의 형태 식각부위나 이온주위 부분을 지정하기 위해 일정부위를 보호하기 위한 Mask작업을 하는 공정 Part Per Billion의 약어로 10억개 중의 하나를 뜻함 Photo Resistor를 현상액으로 약하게 한 다음 Chemical로 제거하는 것 백만개 중 하나 ( Part Per Million ) 1조개 중 하나 ( Part Per Trillion ) Quartz ( 석영 ) SEM 단결정의 수정을 가공해서 만든 무오염의 Glass처리 Parts 완성된 Glass의 신뢰성 동일 Recipe에 대한 결과의 유사성 Read Only Memory의 약자로 판독전용의 메모리라는 뜻임. 기억내용이 미리 정해져 있고, 컴 퓨터의 조작으로 그 기억내용을 지우거나 재기록하는 등 변경이 불가능한 메모리를 말한다. 시생산 Lot Toxic물질을 중화시키거나 걸러내는 장치 Scanning Electron Microscope의 약자로 주사형 전자현미경을 말함. 시료의 표면을 전자빔에 Signal Tower 의해 텔레비젼식으로 주사하고 거기에서 나오는 2차전자, 반사전자 또는 시료전자를 검출하여 관찰함. M/C의 상태를 알려주는 Lamp Reliability ( 신뢰성 ) Repeatability ( 재현성 ) ROM Russel Lot Scrubber Silicon Split Tilt Torr Si, 4가원소로서 반도체의 주원료 생산 Run을 이용해 M/C을 Check하는 방법 Channel현상을 방지하기 위해 Wafer에 각도를 주는 것 Vacuum의 단위

I 1. 공정 용어 해설 용 어 의 Ultra Sonic 세척기( 초음파 세척기) 초음파를 이용한 Cleaning 도구 Up Time M/C 가동시간 Vapor ( 기화 ) Wet Etch ( 습식각 ) Wet Station 고체를 기체화 하는 것 Chemical을 이용한 식각 방법. 습식각이 진행되는 장소 II 미 III IV V VI

I 1. 공정 용어 해설 II IV V VI 2. 공정 용어 용어 Full Name Active Depo Adhesion Ag 도포 A. G. V Auto Guided Vehicle 의 미 Si. Nx, a - Si: H, n+Si: H 3가지를 진공상태에서 연속 증착을 하는 것. Metal ( Glass ) 위에 PR 이 붙어있는 힘의 정도. TFT와 C/F 기판 사이의 전기를 상호 도통시키기 위하여 주사기를 이용 Ag ( 은 ) 를 C/F 기판 위에 찍어줌 자동 반송 장치 Air Knife 건조방법의 하나로 고압의 Air를 기판에 분사하여 액체를 제거한다. <=>Aqua Knife Alignment Alloy 대상물을 원하는 정확한 위치에 일치시킴 정열 금속적 성질이 있으며, 2종 또는 그 이상의 화학적 원소를 포함하고, 이를 원소 중에 AM LCD Active Matrix Liquid Crystal Display Anilox roll Annealing ANODIZING APCVD Atmospheric Pressure CVD 서 적어도 1종은 금속인 것을 말한다. 능동소자가 각 화소에 형성되어 화소의 켜짐과 꺼짐 동작을 제어할 수 있게 제작된 액정 디스플레이를 의미한다. 능동소자는 다이오우드와 같은 두개의 전극을 가진 소 자 또는 트랜지스터와 같이 세 개의 전극을 가진 소자가 사용된다. PI 인쇄시 APR 고무판 위에 PI 를 묻혀주는 둥근 원기둥으 Roller 소둔 이라고도 하며, 철 또는 강의 연화, 결정 조직의 조정 또는 내부응력 제거를 하기 위해서 적당한 온도로 가열후, 서서히 냉각시키는 조작이다. Glass 에서는 가해진 열 충격이나 압력으로 발생한 응력을 풀어 주기 위해 융점이하의 온도까지 가열하여 서 서히 냉각한다. 금속의 표면을 전기적으로 강제 산화하여 표면에 산화막을 형성한다. 상압 ( 대기압 760 mm Torr ) 의 반응 용기 내에 단순한 열 에너지에 의한 화학반응을 이용하여 박막을 증착하는 방법이다.

I 1. 공정 용어 해설 용어 Full Name Aperture Ratio IV V VI 미 밝기가 좋아진다. Glass 와 접촉하여 PI 를 Glass위에 묻혀 주는 Pattern 이 새겨진 고무로 만든 판 세정의 한 방법으로 Glass 표면에 DI Water 를 뿌려주어 오염물질을 제거 Matrix상으로 배치된 TFT를 갖는 화소집단. Array의 Size는 { 연직배선수( Data선의 수로 수평화소수에 대응 }) × {주사선수 ( Gate선의 수로 연직화수수로 대응}) = 총 화소수로 표현된다. Array Ashing Amorphous Silicon Thin Film Transistor Assembly D. /E 를 하기 전에 plasma 상태의 O 2 Gas를 이용하여 잔류 PR및 PR 겉 표면을 CO 2 로 만들어 날리어버리는 것. Si 의 결정 구조중 가장 무질서한 비정질 실리콘 ( a -Si )을 반도체 층으로사용하는 박막 트랜지스터 ( TFT ) 로 a -Si TFT 는 TFT중에서 가장 널리 이용되고 있다. a-Si TFT의 특징은 낮은 공정 온도( 350℃ 이하 )로 인해 값싼 유리를 기판으로 사용할 수 있고 , 공정의 용이, 높은 on/off 전류비, 낮은 off 전류, 안정성 등의 장점을 갖는 반면 낮은 이동도로 인한 W/L 비의 증가, 구동회로 내장의 불가능, Light Shield의 필요 등 의 단점이 있다. Spacer 산포한 TFT 기판과 Ag 도포한 C/F 기판을 서로 합침 Panel에 전기적인 신호를 인가하여 Point Defect, Line Defect, 얼룩등의 불량을 검출 양품과 불량품을 구분함. ( Cell 의 최종검사 ) Auto Prober Black Marix Brush Gap BJ III 화소의 총면적에 대해 빛이투과할 수 있는 면적의 비를 나타낸다. 즉, 표시에 기여하 는 면적의 비율이다. 개구율이 클수록 화소들이 차지하고 있는 면적이 증가되므로 APR고무판 Aqua Knife a -Si TFT 의 II Bubble Jet 재료는 Cr금속 막으로빛을차다나는역할을 하며 Color filter 기판에 설치한다. Black Matrix 는 Panel의 개구율을 결정하고 표시휘도에 중대한 영향을 미친다. Glass와 Brush간의 이격거리 DI 용액 속에 Air를 불어 넣어 공기 방울을형성, Glass 표면과 충돌시켜 Particle을

I 1. 공정 용어 해설 용어 Full Name CCL Chamber Channel Class CLEANING 의 III IV V VI 미 제거하는 부분 ( 日本 SPC社의 세정 장비의 한 부분임) 반송자. 나르는 사람 ( 개체 ). Carrier CCLS CD CD Loss Cell II Cell Clean Stocker Critical Dimension Center Control Limit CELL 지역에 있는 Stocker TCLS ( TFT 지역 ) 선폭 Etch CD - Develop CD 두개의 Glass기판으로 구성되고 그 사이에 액정이 주입되어 있는 액정 표시소자의 구성품이다. 두 Glass기판 안쪽에는 화소를 구성하는 투명전극이 있으며 그 위에 액 정 분자를 한 방향으로 배향시키기 위한 배향막이 있다. 능동행렬 액정 디스플레이 는 아래 기판에 능동소자인 다이오우드 또는 트랜지스터가 화소의 측면에 형성되어 있다. 컬러 액정 표시소자는 윗 기판에 컬러를 표시할 수 있도록 컬러 필터가 장착 되 어 있다. Control Chart에서 중간값. ( → UCL : 상한선, LCL : 하한선 ) 장비에서 공정조건에 맞추어 공정이 이루어지는 밀폐된 공간 Carrier가 이동하는 a -Si 막의 Source, Drain 간의 영역을 의미한다. 1 CFM 내의 Particle 수 ( CFM : Cubic Feet per Minute, 1 Feet=30. 48 Cm ) Glass표면의 Particle이나 유기물을 DI Water, 초음파, 세제 그리고 UV를 이용하여 Coating 제거함 빛과 반응하는 감광성 수지를일정한 높은 속도로 회전하는 기판에 균일한 박막으로 도포함 Constant Contact CR CP 상수. 어떤 일정한 값을 가지는 수. 적층되어 있는 전도층들을 연결시켜 주기 위하여 절연물에 구멍을 뚫는것을 말한다. 최대 투과 광량과 최소 투과 광량의 비 ( CR = 최대 투과광량 / 최소 투과 광량 ) 고온의 Glass를 일정한 온도로 냉각시키는 Plate. ( Thruhol ) Contrast Ratio Cooling Plate

I 1. 공정 용어 해설 용어 Full Name Cross Talk CSC CSM CTV Data Line 의 II IV V VI 미 화질 불량의 한 종류로서, Window를 화면에 나타내면 Window의 상하 혹은 좌우 방 향에 Gray정도가 변하는 현상임. Clean Space Carrier Clean Stocker Management Clean Transfer Vehicle Defect 청정 반송 장치 Clean stocker 관리 공정 내 반송 장치 TFT기판 내에서 표시신호를 전달하는 배선으로, 각 화소의 TFT의 Source, Drain전 극에 접속되어 있다. 결점. 화소단위의 표시결함으로 Active Matrix방식에 전형적으로 나타난다. TFT기 판이나 Cell조립공정에서 먼지 등이 들어간 경우 각 화소의 소자가 파괴되기도 하고 접속불량을 초래하게 된다. Develop Device DI Water Deionized Water Doctor roll 빛에 노출된 부분과 빛에 가려진 부분의 감광성 수지를 선별하여 현상액으로 제거 한다. 제품명 모델 가공 또는 조립이 완료된 제품을 말한다. 물속에 녹아있는 무기이온을 제거하여 세척에 사용하는 탈이온수. 초순수( 超純水 ) 라고도 함. Anilox Roll과 접촉하여 Anilox Roll위에 PI가 고르게 분포할 수 있도록 묻혀 주는 역활 을 하는 Roller. DOF Depth of Focus Domain Dot Sub Pixel DR Distortion Rectangular 심도 불균일한 Rubbing, Array 표면의 단차 등으로 인하여 액정이 불규칙하게 배열되어 주위와 밝기 차이가 발생되는 불량 3개의 Dot (Sub Pixel )가 하나의 Pixel을 구성 한다. Drain 전극으로부터 받은 전기 적 신호와 상판과의 전위차로써 상하판 사이의 액정을 움직인다. Photo 공정시 노광 문제로 인하여 일정 영역에 Pattern이 Shift되어 형성되는 현상.

I 1. 공정 용어 해설 용어 Full Name Dry Ash Dummy Engineering Change Notice End Point Detect Etch Depth Exhaust Exposure Extension Gate Line GI IV V VI 미 PR 을 제거하는 Strip공정의 보조공정으로 변질된 PR 의 표면을 제거하는 공정 이 다. PR이 제거된 부분으로 노출된 증착막을 Plasma상태의 Gas를 낮은 압력( 진공 ) 에 서 고주파를 인가, Gas와 기판에 증착된 물질이 반응하여 휘발성 물질로 변하는 현 상을 이용한 식각방법이다. 견본. 실물과 대용되는 생산 Glass와 같이 투입되어 생산 Glass 특성의 균일성을 Dry Etch FAB Fringe 의 III ( 종류 : DR, MY ( magnification Y ), YAM, MX 등. ) TFT의 채널 형성부의 하나로 Source와 쌍을 이룬다. Drain ECN EPD Time II Fabrication Gate Insulator 도모하기 위하여 장비의 특성을 알기 위해 사용하는 Glass이다. 공정 변경 신청서. Etch 공정에서 정확한 Etch값을 갖기 위해 Sensor에 의해 Software적으로 Recipe값 을 정해주는데, 이 시간값을 말한다. Etching되는 깊이. 배기. 배출. 용매로 약 성분 따위를 다 꺼내거나, GAS따위를 배출하는 것. 노광. 원하는 형상을 Mask에 만들어 Mask의 형상을 빛을 이용하여 기판위에 도포된 감광성 수지에 옮김. 증축. 확장. 연장. ( 반도체 ) 공장 Coating 불량으로 Panel상의 무지개 모양의 얼룩무늬. Gate Line을 통하여 전달된 전기적 신호에 따라 S/D 사이의 전류를 제어한다. TFT기판 내에서 각 화소 중 TFT의 Gate전극에 접속하는 배선이다. 반도체 막과 Gate를 분리하여 반도체 막으로 흐르는 전류가 Gate전극으로 흘러가지 않도록 한다.

I 1. 공정 용어 해설 용어 Full Name II 의 III IV V VI 미 Glass Fiber Panel의 외부 Gap을 유지하기 위하여 Seal제와 혼합하여 사용하는 원기둥 모양의 Plastic 재료 Grinding 각이진 Panel 모서리를 숯돌을 이용하여 30 ~ 40 정도로 Panel을 갈아줌, ( Shorting Bar를 제거 ) PR에 남아 있거나 Develop 공정 중 침투한 Solvent를 증발시켜 PR과 하부물질과의 밀착성을 좋게하는 공정이다. Microglass ULPA를 소재로 제작되어, Class 10 에서 100, 000 Clean Room 용도에 맞 게끔 설계. o Hard Bake HEPA / ULPA filter Hillock Insulator가 Si. Nx일 때 Gate로 Al을 쓸 수 없다. Gate를 Al로 할 때 응력집중으로 Si. Nx 로 성장을 하는 현상이다. 성질을 좋게 하기위해 현재는 Al - Ta를 Gate로 사용하고 있다. Anodizing으로 Al을 양극산화함으로써 이를 완화할 수 있다. 검사 공정전후 Glass의 상태를 확인함에 있어 육안 검사, 현미경 검사, SEM 검사 등 이 있다. Inspection Insulator Intensity Interface IPA IPT Etch IR ITO 절연체 세기. Photo공정의 노광기에 있는 수은 Lamp 의 빛의 세기. 계면. 접촉면. 공유면 Iso Prophyl Alchol In Process Test 이소프로필 알콜. 장비외관 및 기타 닦는데 이용. TFT 공정 후 Panel을 검사하는 공정. o 양극산화를 위하여 연결된 Gate Metal을 IPT측정을 위하여 끊어주는 공정. Infra Red Indium Tin Oxide 적외선. 가시광선보다 파장이 짧은 광선. 투명전극. 액정셀에 전류를 인가하기 위한 전극으로 광학적으로는 투명한 성질을 가 진다. 일반적으로 액정셀에서는 ITO( Indium Tin Oxide ) 가 사용된다. 투명전극은 전극의 역할과 함께 화소의 역할을 하기 때문에 투명하여야 하며, 빛의 파장에 대한

I 1. 공정 용어 해설 용어 Full Name 의 II IV V VI 미 분산이 작아야 한다. TFT LCD 의 확률적으로 발생하는 선결함이나 점결함 등의 표시상의 결함을 수리하 Laser Repair 는 기술. 단락부분을 절단하기도 하고 반대로 단선부분을 접속하기도 한다. Laser를 Layer LCD LCL Liquid Crystal Display ( 액정 디스플레이) Lower Control Limit Lead Time Life Time Line Defect ( 선결함 ) Liquid Crystal ( 액정 ) Load Lot Manual Guided Vehicle M. G. V Maintenance Mask 이용해서 결함이 되고있는 배선을 절단하기도 하고 단선되어있는 배선에 국부적으 로 금속을 퇴적시키는 것에 의해 행한다. 층 ex ) 여러 Layer로 구성된 TFT구조. . Gate A/O S/D 두 개의 Glass기판 사이에 액정물질이 주입되고, 외부에서 전압이 인가되어 액정의 전기 광학적인 특성을 사용한 디스플레이 기구이다. 액정 디스플레이는 외부에서 입 사되는 빛을 이용한다는 점에서 기존의 다른 디스플레이와 구분된다. 액정 디스플레 이의 장점으로는 소형, 박형 제작이 가능하고 소비 전력이 적다. Control Chart에서 관리 하한선. ( → UCL : 관리 상한선 ) 공정 착공하여 첫 Glass가 나오기까지의시간. ( = TAT ) 제품의 수명 Panel 구동시 하판 Array상의 Pattern간 Short( 연결됨 ) 및 Open(끊어짐 )에 의해Line 성으로 보이는 불량. 사이클로 헥산이나 헥산과 벤젠환이 직선으로 연결된 고분자 혼합물. 유동성( Flu idity )과 같은 액체의 성질과 장거리 질서( Long Range Order ) 와 같은 결정( 고체 ) 의 성질을 동시에 지니는, 액체와 고체의 중간상태. 부하 최소 생산단위 ( 일반적으로 1 Cassette가 1 Lot임 ) 수압대차. 공정 중에 수동으로 Cassette 이동시 사용. 각 장비가 항상 소정의 상태에서 가동할 수 있도록 유지 관리하는 것이다. Array제작을 위해 각 Layer별 회로 Pattern이 그려진 유리판으로 각 Pattern은 빛을

I 1. 공정 용어 해설 용어 Full Name 의 II IV V VI 미 막는 불투명 지역과 빛을 통과시키는 부분으로 구분되며 Mask상의 Pattern을 Glass 위에 옮겨 소자를 제작한다. Matrix MGV Misalign M/S Manual Guided Vehicle Mega - Sonic n+ a -Si NG NMP Normally White Mode Operator Over Develop Over Etch Overlay Pa ( 파스칼 ) Pad Particle 행렬 ( 行列 ). 극히 한정된 문자, 숫자밖에 표시할 수 없는 Segment형에 대해서 CRT ( 음극선관 ) 와 같이 임의의 화상을 표현할 수 있도록 X와 Y의 행렬배열에 의해 화 면을 구성하는 표시방식이다. Cassette를 이동시킬 수 있는 수동 이동 대차 Layer와 Layer간의 Mismatch 세정기에서 오염원 제거의 한가지 방법으로 초음파를 이용한다. 반도체 막과 S/D사이에서 Gate의 전기적 신호에 의한 전류를 잘 흐르게 하는 역할, 순수 a -Si 에 정공이 많은 5가의 원소를 침투시킨 물질 No Good N-Methyl-2 -Pyrrolidone 불량품 PI 인쇄후 APR 고무판을 세정하기 위하여 사용하는 강염기성 세제 액정 디스플레이에서 외부 전압이 인가되지 않았을 때 백색 바탕색을 가지는 모드, 전압이 인가되면 흑색이 된다. 기기를 동작하는 사람. 작업자. 현상을 할 때 너무 많이 현상을 해서 PR Pattern이 제대로 형성되지 않은 것. 식각 종료점이 나타난 후에도 Glass전면의 박막두께 균일성과 식각 균일성을 고려 하여 어느 정도의 식각을 더해주는 것을 말한다. Under Etch 의 반대 하부와 상부 Mask층들 사이의 정렬상태 압력의 단위 ( 1 atm= 101, 325 Pa = 760 mm. Hg = 760 Torr ) Panel의 바깥쪽 부분으로 정전기 방지회로와 그 외 Device IC등이 부착될 부분. TFT의 제조장치나 환경, 재료에서는 많은 Particle이 발생하고 이것이 TFT기판에 부착되면 결함의 원인이 되고 수율을 저하시킨다. Particle은 이른바 먼지나 반응생

I 1. 공정 용어 해설 용어 Full Name 의 II IV V VI 미 성물, 기판이나 주변재료로부터의 박리물이기도 하다. 고수율화에는 Particle을 감소 시키는 것과 Particle이 부착 외에도 세정에 의해 제거하는 것이 필요하게 된다. Partition Pass Box Passivation PCLS PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 서로 다른 환경( Glass · 공조 등 )을 분리하기위한 벽이나 칸막이 Clean Room 내로 자재나 물품을 반입하는 통로. 완성된 TFT를 외부로 부터의 오염이나 파괴로 부터 보호해 준다. Panel Cassette를 보관할 수 있는 Stocker. ( = Panel Clean Stocker ) Chamber 내부로 증착에 필요한 Gas를 주입하여 원하는 압력과 기판 온도가 설정되 면 RF ( Radio Frequency ) Power를 이용하여 주입된 Gas를 Plasma 상태로 분해하 Pixel ( 화소 ) 여 기판 위에 증착을 하는 공정이다. TFT 공정에서 증착과 이분되는 공정으로서 미리 Photomask에 형성해둔 Pattern을 Glass위에 전사하여 Mask의 Pattern과 동일한 Pattern을 형성 시키는 공정이다. Photoresist를 도포하는 PR 도포공정, Mask를 이용하여 선택적으로 빛을 조사하는 노광공정, 현상액을 이용하여 빛을 받은 부분을 제거하여 Pattern을 형성시키는 현상 공정으로 구성된다. 액정을 배향 시키기위하여 Glass위에 인쇄하는 유기성 고분자 물질 Picture Element의 준말로 색상 ( Color ) 이나 그레이레벨 ( Gray Level : R, G, B ) 을 Plasma 나타내기 위해서 더 작은 Dots로 구성될 수 있다. Drain 전극으로부터 받은 전기신호 와 상판과의 전위차로 액정을 움직이는 역할. Gas 이온이 중성인 상태로 ( + )와 ( - )가 균일한 상태 ( 원자핵과 전자가 분리된 PHOTO LITHO GRAPHY PI Point Defect ( 점결함 ) Polyimide = 배향액 Gas 상태 ) Panel 구동시 1 Pixel 또는 그 이상의 Pixel이 주위의 다른 Pixel보다 밝게 보이거나, 어둡게 보이는 현상의 불량 - 휘점 ( Bright Point Defect ) : 주의의 다른 Pixel에 비해 어둡게 보이는Point Defect.

I 1. 공정 용어 해설 용어 Full Name 의 II IV V VI 미 Pixel에 신호가 인가되지않거나, 구동 신호 전압보다 낮은 전압이 인가되는 경우에 Poly-Si TFT Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor Pretilt Angle PR PR Dispense Pre Depo Cleaning Process Area Promoter Protect PR Purge 1 Press Radical Photo Resist 발생 - 암점 (Dark Point Defect ) : 주위의 다른 Pixel에 비해 어둡게 보이는 Point Defect. 휘점과 반대로 Pixel에 계속적으로 구동 신호 인가되는 경우에 발생 Poly-Si TFT는 다결정 실리콘을 a-Si 대신 반도체 영역으로 사용되고 있다. 구동회로 의 내장이 가능하며, 놓은 이동도로 W/L 의 감소, Light Shield의 불필요 등의 장점을 가지고 있다. 특히, 구동회로의 내장이 가능하여 보다 낮은 가격과 소형 Package가 가능하다. 신뢰성, 안정성이 놓기 때문에 Projection용이나 소형의 View Finder용에 사용되고 있다. 양질의 다결정막의 성장에는 높은 온도가 요구되어 대형화를 방해하 고 있다. 액정을 빨리 일으켜 세우기 위하여 Rubbing을 통하여 액정을 사전에 일정한 각도만 o 큼 ( 1 ~ 10 ) 세운 각도. PR은 Polymer, Solvent, Sensitizer의 세가지 물질로 구성되어 있으며 빛에 대한 반응 에 따라 Positive PR과 Negative PR 이 있다. Coater Unit의 PR Nozzle로 부터 PR을 뿌려주는 것 증착 전후 세정. PECVD나 Sputter공정 전후에 Particle, 유기물, 그리고 반응후 생성 부산물 등을 제거하는 공정이다. 공정이 진행되는 높은 청정도가 요구되는 공간. Class 10의 공정이 진행되거나, 보 관되는 가장 청정한 공간 촉진시키다. 승진시키다. 감도가 적은 PR. 빛의 영향을 적게받는 PR. Purge 압력. 자유기. 양의 전하 성격을 띤 물질.

I 1. 공정 용어 해설 용어 Full Name Ratio Recipe 의 II IV V VI 미 비율. 작업조건 제거하다. TFT액정의 확률적으로 발생하는 선결함이나 점결함 등의 표시상의 결함을 수리하 는 기술. 단락부분을 절단하기도하고 반대로 단선부분을 접속하기도 한다. Laser를 Remover Laser Repair 이용해서 결함이 되고있는 배선을 절단하기도 하고 단선되어있는 배선에 국부적으로 금속을 퇴적시키는 것에 의해 행한다. Residue Response Time Nomally White 상태 Delay Time ( 지연시간 ) Rising Time (상승시간 ) Falling Time (하강시간 ) Reticle Rework RF Power Rinse Roughness Rubbing Process Run Card Radio Frequency 찌꺼기 전압을 인가하거나 제거하였을 때 시간에 따라 투과율이 변하는데 이때 걸리는 시간 을 말함. 전압을 제거한 시점에서부터 투과율이 10% 증가하는데 걸리는 시간 전압을 인가한후 투과율이 90%에서 10%로 감소하는데 걸리는 시간 전압을 제거한후 투과율이 10%에서 90%로 증가하는데 걸리는 시간 반도체에서 Mask역할을 하는 것으로 확대한 것을 축소시키는 기능이 있다. 완전한 Stepper의 개념. 재작업, 재생 수백에서 수천 KHz의 일정한 주파수를 가지는 교류 전원 Strip, Wet-Etch, Pre-Depo, 초기세정, Photo 공정 후 순수 DI로만 헹구어서 이물질 이나 화학용액을 씻어주는 것. Depo후, Etch후의 균일도 PI가 인쇄된 Glass를 섬유질의 포를 이용하여 액정이 일정한 방향으로 배향할 수 있 도록 직선 홈을 만드는 공정 Cassette 위에 설치되어 있으며 Lot ID를 표시하는 Bar Code가 붙어있음

I 1. 공정 용어 해설 용어 Run Sheet S/D SCCM Scrap Full Name Source Drain Standard Cubic Centimeter 의 II IV V VI 미 Lot별로 공정 진행 Route ( 경로 ) 를 표기한 공정 진행 표. 화소로 가는 전기적 신호를 전달하는 역할을 한다. Gas의 유량단위 폐기 파손이나 결정적인 Error가 발생한 Glass. 실험이나 목적이 끝난 Glass를 폐기 하는 것 흠집. Brush마모의 불균일성과 Brush Gap조정의 Miss 등에 의해 발생한다. 합쳐진 TFT와 C/F 기판을 Wheel을 이용 Scratch를 내고 충격을 가하여 필요 없는 Scratch Scribe/Break Shorting Bar 부분을 제거함 Glass를 절단 하는데 사용하는 2 ~ 3 mm크기의 텅스텐으로 만든 Ring 형태의 부재료 문지르다. TFT와 C/F기판을 접착시키는 열경화성 접착제 액정의 Leak를 방지하고 TFT와 C/F기판의 외부 Gap을 형성하기 위하여 Seal을 주사기를 이용 C/F 기판 위에 도포함 장비의 수리 및 C/R으로 공급되는 Utility배관 등이 통과하는 청정도가 낮은 공간. 장비의 유지 및 관리를 위한 구역이다. 정전기에 위한 Damage를 방지하고 전기적 특성을 Check 하기 위하여 PAD를 연결 Soft Bake Spacer 산포 해 놓은 부분 PR에 포함되어 있는 Solvent를 증발시켜 PR을 고형화하는 공정이다. TFT와 C/F 기판의 내부 Gap을 일정하게 형성하기 위하여 Spacer를 TFT 기판위에 Spacer Spec. Sputter 뿌려줌 Panel의 내부 Gap을 유지해주는 4~5㎛ 크기의 Plastic Ball. 규격, 범위 고전압을 인가하여 내부의 Gas에 높은 운동 Energy를 주어 금속과 충돌시켜 금속 Scribe Wheel Scrubbing Seal 도포 Service Area Specification

I 1. 공정 용어 해설 용어 Full Name 의 II IV V VI 미 입자를 떼어내어 Glass표면에 증착한다. Photo공정에서 Aligner (노광)을 하는 과정에서 X축이나 Y축, 혹은 XY축 모두가 정 Stitching 렬이 어긋나는 불안정 노광현상. Stress Strip Substrate Tact Time 응력 박막의 Etching공정 후 남아있는 PR을 제거하는 공정이다. Sputter공정에서 Target의 물질이 증착되는 기판. 한 공정에서 착공되어 공정을 진행하고 첫 Glass가 나오고 바로 다음 Glass가 나오 는 데 걸리는 시간. ( →Lead Time ) Target TAT Sputter에서 증착시 사용되는 물질 ( Metal ) 전 공정 시간. 한 공정에 제품이 착공되어 공정을 진행하고 완공될 때까지 걸리는 시 TCLS TFT-LCD Turn Around Time TFT Clean Stocker Thin Film Transistor ( 박막 트랜지스터 ) 간 TFT지역에 있는 Stocker. CCLS( Cell지역 ), FCLS (C/F 지역 ) 3개의 단자에 의해 구동되어 지며 전기적인 관점에서 볼 때 전계 효과 트랜지스터 ( FET : Field Effect Transistor ) 의 한 종류이다. 그리고 금속-산화물-반도체 전계효과 트랜지스터 ( MOSFET : Metal-Oxide-Semiconductor )와 유사한 특성을 갖는다. 그 러나 금속-산화물-반도체 트랜지스터 ( MOSFET )는 결정화가 매우 높은 단결정 실 리콘을 사용하는 반도체 소자이므로 높은 이동도를 가지는 반면, 박막 트랜지스터에 사용되는 재료는 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터 ( MOSFET )에 비하여 결정화가 낮고 불순물 농도가 높아 이동도가 낮은 편이다. TFT-LCD는 TFT를 화소 하나 하나에 배열하여 화소 각각을 구동시키는 능동형 LCD 이다. TFT-LCD는 스위치가 on 되는 시간에 원하는 전압을 화소에 공급한 후 스위치 가 off 되는 시간에는 화소가 완전히 고립되어 다음 스위치 on 되는 시간까지 원하는 전압을 유지하는 Active 소자이다.

I 1. 공정 용어 해설 용어 Threshold Voltage Full Name ( 문턱전압 ) Thruput II 의 III IV V VI 미 Transistor의 Gate에 서서히 전압을 인가하고 있을 때, 전류가 흐르지 않는 off 상태 로 부터 전류가 흐르는 on 상태로 변하는 경계의 Gate 전압을 문턱전압이라고 한다. 각 장비가 갖고 있는 단위시간당의 처리능력을 나타낸다. 이 처리능력은 처리에 필 요한 Cycle Time이 짧을수록, 또 1 Cycle에서의 처리매수가 많을수록 Thruput이 올 라 간다. Glass 표면에 Lot ID 와 Glass ID를 Marking하는 장비 장비나 공정상의 문제점 발견시 해결방안 Titler Trouble Shooting UCL UI Uniformity Utility Upper Control Limit User Interface 상한선. ( → LCL, CCL ) 현장에서 작업자가 작업상황을 Key in 할 수 있는 Computer 설정치에 대한 균일도 각종 에너지 공급시설. 현재 공장의 서쪽부에 위치하고 있다. UV Epoxy UV Vacuum Visual Inspection ( 봉지제 ) Ultra Violet 자외선을 조사해서 경화되는 접착제의 일종 자외선 진공 상태. 대기압 : 760 Torr ( 1기압 ) 육안검사 Wet Etch PR이 제거된 부분을 화학 약품을 사용하여 노출된 증착막을 제거한다. (Sputter로 증착한 금속물질을 제거 ) Work Area Yield (수율 ) 공정 진행을 위하여 작업자가 행동하는 공간 투입수에 대해서 완성된 양품의 비율을 수율이라고 한다. = 양품수 투입물량 × 100

I 1. 공정 용어 해설 Full Name 용어 Hydrophobic 습식각 얼룩 V VI 미 없는 고장에 의해 장비자체가 물리적으로 움직이지않는 시간뿐만 아니라 유동이 원 활하게 행해지지 않고 “ 대기 “의 상태가 되어있는 것도 가동율을 저하시킨다. 이 가 동율은 Thruput과 함께 생산성을 결정하고 나아가서는 가공 Cost에 영향을 준다. Dry Etch 물에 잘 녹지 않는 성질. 이런 성질을 지닌 분자들은 대개 분자를 구성 하는 원자들 의 결합이 균일한 전하분포를 나타내는 비극성 ( Nonpolar ) 분자이다. Wet Etch 화면이 다른 화면으로 바뀔 때 이전의 화면이 완전히 사라지지 않고 시간이 경과함에 따라 없어지는 현상 LCD 의 표면에 대하여 사람의 눈이 이루는 각도에 따라 빛이 액정층을 통과하는 경 로가 달라져서 액정의 복굴절 효과로 인하여 투과 광량이 변함, 이와 같이 보는 방향 주 시야각 Hydrophilic 탈포 흑화현상 IV Glass나 화면의 일부분에 밝기가 다른 부분이 보이는 것. 기판위의 오염/Gap 불균일 / 배향 불량 등으로 발생 잔상 친수성 III 각 장비가 가동상태에 있는 비율을 나타낸다. 정기적인 Maintenance나 예측할 수 가동율 건식각 소수성 의 II ITO 에 따라 투과율이 변화는 데 가장 선명하게 보이는 방향을 말함 물과 혼합하여 잘 녹는 성질. 이런 성질을 지닌 분자들은 대개 분자를 구성하는 원자 들의 결합이 균일하지 않은 전하분포를 나타내는 극성 ( Polar ) 분자이다. - 압력을 낮추어서 액정속에 들어있는 기포를 제거함 - 편광판 부착후 편광판과 Glass 사이에 생기는 기포를 열 및 압력을 통하여 제거함 Stripper내의 Amine성분과 DI의 화합으로 형성된 전해질 용액에 의해 ITO와 Al 이 반응하여 ITO의 투과도 및 전도도를 약화시키는 현상. →예방 : Strip과 DI Rinse 사이에 IPA처리를 함으로 Stripper와 DI의 반응을 막음

I 2. 자동반송장치 용어정리 II IV V VI 1. 자동 반송 장치 용어 해설 용어 Full Name 의 미 STK TCLS CST Lot Stocker TFT Clean Stocker Cell Clean Stocker Cassette 자동 저장 창고 TFT 자동 저장 창고 Cell 자동 저장 창고 Glass를 담는 용기 생산활동에 적용되는 생산품의 1 단위 BCR Bar Code Reader Bar Code 로 되어 있는 정보를 읽어 들이는 Laser Scanner BCL FAB C/R Bar Code Label Fabrication Clean Room Bar Code 정보가 기록되어 있는 철이나 플라스틱 조각 조립장 공기를 정화시키는 필터장치가 되어 있는 공간 CSC CTV CLE MIF Clean Space Carrier Clean Transfer Vehicle Clean Elevator Mechanical Interface 청정반송장치 공정 내 반송장치의 일종으로 有軌道 Type의 반송장치 계간 반송장치(층간 반송장치) 장치와 장치간에 반송물(CST)를 전달해주는 장치(P&P와 유사) MTL MCP Maintenance Lifter Master Control Processor CSC Vehicle 이 고장 났을 경우 그것을 취출할 수 있도록 만든 장치 CSM CFM P&P IFP RM Clean Station Manager Clean Factory Manager Pick & Place Interface Processor Rack Master CSM의 지령을 받아 RM에 전달해 주거나 하부의 기계장치에서 보고된 여러 정보를 취합하여 상부의 CSM에 보고하는 Micro Processor 장치 STK나 공정 내 반송장치를 제어하는 PC CSM이나 공정간 반송장치, 계간 반송장치를 제어, 관리하는 PC 장치에 놓여진 CST등을 집거나 놓는 이재장치 장치와 장치간에 신호를 전달해주는 장치 STK내의 Rack에 CST를 수납/취출하는 Robot장치

I 2. 자동반송장치 용어정리 용어 Rack TFE MU SECS XM TCS AC SAC OPI Full Name Transfer Equipment 의 II IV V VI 미 CST가 보관되는 격납장치, 선반이다. STK와 CSC간에 CST를 전달해주는 기계장치 Maintenance Unit Semiconductor Equipment Communication Standard Transfer Manager Tool Control System Area Control Conv, RM, TFE등의 기계장치를 Manual로 작동시키거나 고장 조치시 사용하는 기구 반도체 장비에서 장비간의 정보를 전달하거나 할 수 있도록 정해둔 통신규약임. Sub - Area Control Operator Interface 특정 Zone의 TCS를 제어 관리하는 System Host의 단말기로서 Operator가 반송지시를 내리거나 착완공 보고, Lot 정보조회시에 공정관리 시스템과 CFM 사이에서 Message를 Converting해 주는 PC 단위장비의 공정상태, 장비상태를 Host에 보고하는 단위장비 제어용 PC SAC 상부의 System 사용 Automatically Guided Vehicle 무인 자동 반송 장치 AGV Manual Guided Vehicle 작업자가 손으로 밀면서 반송하는 장치 MGV Clean Lifter FAB의 각층과 層 사이에 발생한 카세트를 반송하는 일종의 Elevator 장치이다. CLL Base Frame Lifter 를 설치하기 위해 Lifter의 가장 하단에 설치하며 그 내부에는 Motor가 내장되 어 CLL 전체를 구동시키는 동력장치이다. LCP Lifter Control Panel Shaft Unit P&P Pick & Place Lifter 를 구동시키고 제어하는 제어장치이다. Lifter는 총 높이가 30 m 라면 몇 토막으로 나뉘어져 있는데 한 단위를 Lifter가 들어갈 자리에 건물과 고정하기 위한 장치이며, 실제의 Lifter 반송부인 Cage 가 주행하는 일종의 궤도이다. Robot 용어 중 물건을 집었다가 어느 장소에 놓는 Robot의 총칭이 P&P이다. Conveyor 등에 놓여진 CST등을 다른 장소에 놓는데 비교적 먼 거리를 이동해야 놓 을 수 있을 경우에 사용하는 반송장치 이다.

I 2. 자동반송장치 용어정리 용어 Full Name 의 II IV V VI 미 MIF Mechanical Interface P&P와 마찬가지의 기능을 하지만 MIF는 비교적 짧은 거리에 있는 것을 옮겨 주는 반송장치이다. CSC Rail CSC 또는 CLW Rail CSC가 주행할 수 있도록 천정에 설치하는 일종의 Rail 이며, CSC를 구동시킬 수 있 도록 전기 유동 장치, 정위치에 정지할 수 있도록 위치 Control Sensor, 일정 구간내 에 CSC가 집중되어 전기 공급이 부족하지 않도록 하는 CSC 대수 분산 장치 등이 내 MTL Maintenance Lifter HID High - frequency Inductive Distribution CTV Clean Transfer Vehicle Traveling Frame CTV Rail Trolley Rail 장되어 있다. CSC Vehicle 을 수리할 수 있도록 하는 일종의 수리 Conter 이다. CSC가 자동으로 Rail 에 투입하고 배출시킬 수 있는 기계 및 제어장치가 포함되어 있다. 고주파 유도 분전 장치로써, CSC 가 움직이므로 전기를 Vehicle에 직접 공급 할 수 없다. 따라서 CSC Rail에 고전압, 고주파수의 전류를 유기시켜 CSC에 장착되어 있 는 Linear Motor 를 구동시켜 CSC가 주행할 수 있도록 하는 장치이다. CSC를 달리 게 하는 장치라 할 수 있다. CTV는 공정내 (Inter - Bay) 반송장치라고 하며 일종의 기차 Rail 같은 궤도위를 주 행 하며 필요한 물품을 지정장소까지 옮겨 주는 장치이다. 하나의 Rail에 1대이상의 CTV 가 운행될 수 있으며 Rail의 길이나 반송필요 횟수에 따라 증감될 수 있다. CTV 가 주행할 수 있도록 Guide 역할을 수행하는 일종의 궤도이며 정지위치나 원점, 곡선 走路 등을 CTV가 알 수 있도록 하기 위해 Sensor 장치, 전기 공급용 Trolley선 등이 장착되어 있다. 위에서 언급한 것처럼 CTV는 항상 움직이기 때문에 전기를 움직이는 Vehicle에 직접 공급할 수 는 없다. 그래서 전차와 동일한 원리로 전선( Trolley 선 ) 은 Rail 과 같이 부착되어 있고, Vehicle 에는 Trolley 선으로부터 전기를 공급받을 수 있도록 일종의 갈퀴와 같은 장치가 부착되어 있어서, 움직이면서도 늘 전기를 공급 받을 수 있도록 되어 있다.

I 2. 자동반송장치 용어정리 용어 MCP - V Full Name Master Control Processor - CTV 의 II IV V VI 미 CSM 이라는 Server 로 부터의 반송지시를 받아 CTV Vehicle 에 명령을 전달하고, 공정장치로 부터의 반송요구를 수용하여 CTV Vehicle에 반송지시를 내리는 역할을 하는 CTV에 관한 전반적인 모든 H/W, S/W를 제어, 관리하는 일종의 Micro-Process -or Controller 이다. PIO Test Box Parallel Input Output Test Box CTV 와 공정장치간에 CTV 대응용 S/W 가 잘 제작되었는지 Test 를 하기 위해 사용 하는 일종의 병렬식 입출력 신호 Test Box이다. Repeater 신호를 송신하면 출력등이 충분해야 한는데 신호를 전달해 주는 중계기이다. Transceiver CTV 나 RM 등은 무선통신으로 반송지시를 전송하고 수신하는데 수신장치가 Trestle 기타 부품 Cable 류 Dist Unit 센서류 Distribution Unit MU Maintenance Unit CLS Clean Stocker RM Rack Master Transceier 이다. CTV 가 고장이 나면 Rail 로 부터 배출하여 수리를 해야 하는데 이때 사용하는 일종 의 Jig 또는 지렛대 같은 것이다. 전기 공급용 Cable, 센서 제어용 Cable CTV 가 정지해야 할 위치를 알게 하기 위한 센서 및 센서 반사판 등이 있다. 일종의 분전반인데, Main Power 를 공급받아 각각의 FFU 에 일정한 전기를 공급하 기 위해 전기를 배분해 주는 역할을 하며, Breaker, 분전 Control Board 등으로 구성 되어 있다. RM, CONV, TFE, P&P, MIF, CLL , MTL 등을 조작하거나, 조정, Teaching 등을 할 때 사용하는 일종의 수동 조작 장치이다. CLS 는 Shelf Unit (선반) , FFI (Fan Filter Unit ), RM, Conveyor, TFE 등으로 크게 구 성되어 있으며 그 외에 기류등을 제어하기 위해 Cover Frame, Parts 등이 첨가되어 있다. Conveyor 나 TFE 등에 CST 를 놓아두면 RM 가 떠서, Shelf 등에 격납하거나 다른 In - Line 공정장치 등에 CST를 공급하거나, CTV, CSC 를 타고서 다음 공정장치에

I 2. 자동반송장치 용어정리 용어 CONV TFE Full Name Conveyor Transfer Equipment BAR System Bar Code Reader MTL MCP Fan Filter Unit Manual Guided Vehicle Clean Elevator Mechanical Inter. Face Main. Tenance Lifter Master Control Processor Frame 류 Upper Frame, Side Frame FFU MGV CLE MIF 의 II IV V VI 미 공급하는 기능을 함. STK 와 CTV 간에 CST 를 전달해 주는 일종의 입출구 같은 장치이며, MGV, CTV 로 CST 를 전달할 때 사용되는 장치이고, Motor, Driver, Control Board, BCR 등으로 구 성되어 있다. STK 와 CSC 간에 CST 를 전달해 주는 일종의 입출구 같은 장치이며, CSC 로 CST 를 전달할 때 사용되는 장치이고, Motor, Driver, Control Board, BCR 등으로 구성되 어 있다. CST 위에는 Bar Code 가 부착되어 있어서 그 Bar Code 를 읽으면 CST No 등을 알 수 있어서, 그 CST 가 어디에 있는지 그 안에 어떤 Glass 등이 있는지 알 수 있도록 해주는 일종의 Bar Code 판독기이며, BCC ( Bar Code Controller ) 등이 포함되어 있다. STK 에 CST 가 잠시 머물러 있더라도 CST 가 다음 공정장치까지 전달되기 전까지 淸淨상태를 유지 하지 않으면 안된다. 29매의 Glass 를 담고 1시간 동안 FFU 없이 보관한다면 이 CST 는 Particle 이 시간당 600 개 정도가 발생하므로 제품생산 으로 는 사용할 수 없을 만큼 Glass 가 오염되게 된다. 그러므로 이러한 청정유지를 하기 위해 필요한 장치이며, Filter, 풍속조절용 조절기, 제어 Board 등으로 구성되어 있다. CSM 이라는 PC Server 와 Robot 장치간의 명령을 전달하고 하부 Robot 장치로 부 터의 장치상태 보고를 취합하여 판단, 보고, 반송지시 등을 수행하는 일종의 Micro Processor Controller 이며, MCP Console 은 MCP 의 단말 표시장치이다. 천정과 측면에 일종의 Cover 가 부착되게 되는데, FFU 와 마찬가지로 STK 는 그 자 체만으로 일종의 Clean Room 의 역할을 수행하여야 하며, 정전시나 공장 전체의 Filter System 이 고장이 나더라도 항상 가동되어야 하므로, 청정유지가 독립적으로 될 수 있도록 하는 일종의 오염 차단, 기류 유지 역할을 하도록 설치 된다.

I 3. 장비 기술 용어 II IV V VI M achine Hour 구성도 최대 조업시간 Max Working Time 조업시간 천재지변, 정상적인 조업중단 조업시간 Load Down Time 생산물량 품절, 편 성 Loss Trouble Loss BM, PM, Utility-Process, Material, Etc 부하시간 Preparation. Adjustment Loss Device Change 작업준비 Jamming 비조업 시간 Not Working Time 가동시간 조업시간 Working Time Trouble less than 10 minutes Speed Loss Difference between Design. CT and Actual. CT Deffect in Process Rework Yield Process Yield 조업율 = 최대조업시간 부하시간 Loading Time 가동시간 실질가동시간 유효 가동 시간 비부하 시간 비가동 시간 부하율 = 가동율 = 속도 Loss NA 유효가동시간 불량 Loss 능 율 = 가동시간

I 3. 장비 기술 용어 II IV V VI 1. PHOTO 용 어 의 미 Aberration ( 수차 ) 광축상의 상점간의 거리차 AGA( Advance Global Alignment ) 글로벌 얼라이먼트의 일종. 다점위치 정보에 의한 통계적 추정계산에 의거하여 웨이퍼스테이 지를 노광위치로 이동하는 얼라이먼트 방식 Aligner ( 노광장비 ) 다음공정의 설계패턴을 반도체기판의 기존패턴에 맞추어서 정렬한 후 반도체 기판상의 레지 스터에 노광하는 장비 Alignment ( 정렬 ) 반도체기판사의 기존패턴과 다음공정의 설계패턴을 최적의 상대위치관계로 하는 조작 Alignment Accuracy ( 정렬정도 ) 기판상의 기존패턴에 대한 다음공정 설계패턴의 상대위치정도, 특히 정렬 마크간의 위치정도 보통 ㎛ 단위로 나타내며, Stepper장비의 경우 X+ 3∂값을 판정기준으로 삼는다. 정렬용으로서 마스크(레티글)와 Glass 등에 형성도니 마크, 정렬Key라고도 부름 Alignment Mark ( 정렬표시, 부호 ) Alignment Offset ( 정렬보상값 ) 정렬시의 정규치와 평균치와의 오차 Alignment Score ( 정렬현미경 ) Astigmatism ( 비점수차 ) Auto Focusing ( 자동초점조절 ) 정렬에 사용되는 현미경 렌즈특성에 따른 현상으로 90˚ 또는 45。 패턴상의 차이를 나타냄 노광장치의 자동초점조절 Bar Mirror Stepper장비등의 XY Stage상의 XY축에 각각 설치되어 레이저 간섭계에 의한 위치계측이 가 Base Line 능하게 해주는 Bar Type의 미러임. Off Axis Alignment Scope에 의해 규정된 정렬용 기준선, 또는 기준선에 의한 정렬위치와 노광 Coater ( 도포기 ) Condensor Lens ( 접속렌즈 ) Developer ( 현상기 ) 위치와의 거리 Photo Resist ( PR ) 를 wafer위에 분사하여 일정한 두께의 PR박막이 형성되도록 하는 장치 분산된 빛을 모으는 역할을 하는 렌즈이며 주로 볼록렌즈로 구성된다. PR이 도포되어 있는 Glass를 노광장채에서 노광후 노광패턴의 형상화를 위해 Glass위에 현상 액을 뿌려 패턴을 현상시켜 주는 장치

I 3. 장비 기술 용어 용 어 Distortion ( 왜율 ) Exposure ( 노광 ) Illuminance ( 조도균일도 ) Illuminatin System ( 조명계 ) Intensity ( 조도 ) Leveling Mis Align 의 II IV V VI 미 어떤 상이 Lens를 통과할 때 생기는상의 찌그러짐 정도를 수치로 나타내는 비율. 작을수록 좋 음 Stepper나 Aligner등의 노광장비에서 노광용 빛을 이용하여 Mask 의 상을 Glass의 PR면에 감 광전사시켜 주는 과정을 의미함. 노광영역 또는 노광이 가능한 Lens의 전체영역에서의 조도의 균일한 정도를 나타내는 값임. 최대조도 - 최소조도 공식 : × 100 = % 최대조도 + 최소조도 노광용 광원인 수은램프가 장착되어 있으며, 셧터, 마스킹 블레이드와 각종 Lens 및 미러가 설 치되어 있어 고정도의 Uniformity를 갖는 빛이 만들어 지는 Unit이다. 램프로부터 발산되는 빛의 단위면저당 빛의 세기를 의미하며 단위는 m. W / ㎠ 이다. Stepper장비에서 Lens와 노광하려는 Shot과의 평행상태를 맞추어주기 위해 Glass를 Tilt 동작 시켜주는 것을 의미함. Stepper 등의 노광장비에서 Reticle ( Mask )과 Glass를 정렬하여 노광시킨 후 틀어진 것을 표 현하는 말 Nozzle 기체, 액체를 최종적으로 분사하는데 사용되는 소자 Optical Auto Fouse ( 광자동초점 ) Stepper장비 등의 노광장비에서 Lens와 Glass상의 초점거리를 자동보정하기 위해 초점거리 계측시 사용되는 기구로 보통 600 ~ 900 nm대의 Laser Diode를 발광부로, PSD 또는 CCD를 수 광부로 하여 초점거리를 측정하게 된다. Overlay Accuracy ( 벗어난 정도 ) 기판상의 기존패턴에 대한 다음공정패턴의 상대위치 정도 Pattern Detector ( 패턴검출기 ) Pellicle Pre Alignment ( 사진정렬 ) 日立 Stepper에 장착되어 자동정렬을 행해주는 Unit 레티클 또는 마스크의 패턴을 보호하거나 외부로부터의 오염을 막기위해 부착 시키는 투명한 얇은 필름을 의미함. Stepper등의 노광장비에서 Glass정렬에 앞서 미리 사전정렬해주는 것을 의미하며 보통 기계적

I 3. 장비 기술 용어 용 Receiver ( 받는곳 ) Sender ( 보내는 곳 ) Shutter Coater ( 도포기 ) 어 의 II IV V VI 미 사전정렬과 TV사전정렬이 있다. 장내에서 각각의 해당 공정의 완료된 후 Glass가 Cassette에 정리하여 넣도록 된 Unit 해당공정의 진행을 위해 Glass를 Glass가공 Unit로 보내는데 사용되는 Unit ( Cassette가 놓인 상태에서 Glass가 빠져나감 ) 조명계내에 위치하여 설정된 시간 및 상황에 맞도록 On/Off를 반복하며 Lamp의 빛이 조사되도 록 하여 일정 한 노광에너지가 유지되도록 한다. 또 셧터 Open시간의 조정에 의해 규정된 범위 의 패턴의 미세크기가 조절된다. ( 노광에너지 조절기구 )

I 3. 장비 기술 용어 II IV V VI 2. ETCH 용 어 의 미 Aging ( 경시 ) Air Valve ( 공압밸브 ) AL Electrode ( Al 전극 ) Amorphous Carbon ( 비정질탄소 ) Anisotropic ( 이방성 ) Process chamer를 공정분위기로 만들어 주기 위해 행하는 작업 ( = Seasoning ) Air를 공급받아 통로를 개폐시키는 Valve RF Power가 인가되는 전극으로의 순수 Al 또는 얇은 피막의 Al₂O₃을 입힌 전극 Plastic Resin 으로부터 얻어지는 불균일한 사슬모양의 결합구조를 가지고 있는 탄소 전극 P/R과 동일한 치수로 수직으로 식각되는 현상 Anode ( 하부전극 ) Plasma를 형성시키는 전극 중 Ground된 전극 Asher ( Ash 제거 ) ATM ( 대기압 ) Auto Match ( 자동정합 ) Cathode ( 양극 ) PR을 Plasma를 이용해 제거하는 장치 대기압 ( 760 Torr ) Atmosphere의 준말 자동으로 RF Power의 전달을 최대로 해주는 장치 Chamber ( 처리실 ) Chiller ( 수냉각장치 ) Corrosion ( 부식 ) CPU ( 중앙처리장치 ) Down stream Dry Pump E. P. D ( 종점검출 ) Electrode ( 전극 ) Electrode Gap ( 전극간격 ) Gap ( 간격 ) plasma를 형성시키는 전극 중 power가 전달되는 전극 주식각 공정이 이루어지는밀펴된 진공공간 일정한 온도의 부동액을 장비에 공급해 주는 장치 OH기가 Cl₂의 촉매 작용에 의해 Al표면에서 부식되는 현상 Al ( OH₃) Central proess Unit로써 각종정보를 판단지시하는 사람의 두뇌와 같은 역할을 함 Plasma를 W / F의 먼곳에서 형성하여 물이 흐르듯이 W / F까지 Ion들이 오게하는 방식 ( Low Damcpe ) ATM상태에서 chamber를 pumping하는 pump ( oil無사용 ) Etch의 종말점을 잡기 위해 사용되는장치, 주로 파장의 강도의 변화를 검출함. Anode ( 하부전극 )와 Cathode (상부전극 ) 평행평탄형 Type에서 Anode와 cathode의 간격 상부전극과 하부전극사이의 간격

I 3. 장비 기술 용어 용 어 Ground Ring ( 접지링 ) Idle Status ( 준비상태 ) 의 II IV V VI 미 Chamber내에서 RF및 u-wave의 GND역할을 해주는 것 Load Lock ( 보조실 ) 장비가 공정이 진행되지 않는 준비나 공정완료 상태 진공상태에서 외부와의 공기 흐름을 완전히 일정시간 동안 외부 leak혹은 out Gassing에 의해 압력이 올라가는 수치. W/F를 외부와 Process chamber사이에서 이동하는 과정에 있어 process chamber가 항상 고진 PCB ( 인쇄회로기판 ) Plasma 공상태를 유지할 수 있도록 만든 보조공간 Printed Circuit Board Gas에 고주파의 에너지를 가해 같은 수의 양전하와 음이온 그리고 중성분자들이 존재하는 부 PR Strip Under Etch 분적으로 이온화된 Gas상태 일반적 Ash개념으로 mack인 P/R을 제거하는 공정 Etch시 Etch가 전부되지 않은 상태 Leak Rate ( 새는율 )

I 3. 장비 기술 용어 II IV V VI 3. CVD 용 어 의 미 ATM ( 대기압 ) Back Stream ( 역류 ) Buffer ( CH - 일시저장 ) CRYO PUMP 대기중과 같은 상태의 기압 ( 760 Torr ) 장치간의 이상 기압처럼 원래의 흐름과 반대로, Gas나 유체등이 흐르는 상태 Wafer를 원하는 곳으로 이동시키기 전에 일시적으로 머무르게 하는 장소 HI - VAC用 pump로써 진공을 만들기 위해 분자들을 10˚ ~ 20˚K 정도의 온도에서 응축시켜 진공을 유지 Gasket Gas Line간의 Joint부위에 들어가는 부품으로 연결부위와 Metal Contact으로 Gas누출을 방지 Hot plate Hot purge Liquid delivery system의 Temp를 상승시키기위한 source부 plate 뜨거운 N₂Gas를 이용하여 불순물을 제거하는 과정을 말하며 `Cryo - Pump Regen´ 공정을 말한다. PVD Regen R. F ETCH R·F Generator Physical Vapor Deposition 물리적 성질을 이용한 Film증착방법 Regeneration 재생이란 의미로서 Cryo - Pump Regeneration을 의미함 R·F Power를 이용하여 Glass에 형성된 OXIDE막을 ETCHING함을 뜻함 A·C전원을 공급받아 R·F전원을 발생시키는 장치로서 반도체공정에서는 13, 56 MHz 또는 R·F Match Box 60 MHz를 사용함 R·F ETCH공정을 진행하기 위해 R·F Power의 Capacitance와 Inductance를 MATCH시켜주 Shield 는 장치 SPUTTER장비의 Film 증착詩 Chamber벽에 Film이 증착되어 Chamber가 오염되는 것을 방지 Susceptor Target 하기 위한 얇은 철판류 CVD system에서 특히 Single Wafer processing or Bartch type의 process chamber에서 Glass 를 안착하고 있는 parts명 Sputter장치의 음극 ( cathode ) 부에 장착하는 Film이 되는 Source

I 3. 장비 기술 용어 용 어 의 II IV V VI 미 Transfer Vacuum Pump 전송부 진공을 형성시켜주는 pump로서 주로 Rotary Vane Pump, Cryo - Pump Turbo - Pump를 사용 Vent 진공상태의 Chamber를 ATM상태로 만들기위해 진공 Chamber內部에 N₂, Air등을 토입하는 것. R. F Power를 측정하는 기구 Chamber내부를 D. I WATER나 알콜을 이용하여 Cleaning함. Fab의 구멍이 뚫린 바닥 WATT Moter WET Clean Access Floor Adaptor ( 유도관, 가감장치 ) CAP Elevator ( 승강기 ) Event GUN Load 매개체계와 호환 가능토록 중간 연결 시켜주는 것 Boat를 받혀주고 열 방출을 막아주는 것 Boat를 로內로 옮겨주는 장치 Recipe를 이루는 기본단위로 온도, 압력, Gas의 조건을 형성한 것 권총을 일컬음, 주로 Di water등으 사용시에 GUN모양의 Hose로 ON, OFF를 통해 DI를 흘리거 나 차단함. 작업의 진행이 시작할때 행하는 일

I 3. 장비 기술 용어 II IV V VI 4. WET STATION 용 어 Aspiration ( 흡출기 ) Automatic Chemical Supplier ( 약액자동 공급장치 ) 의 미 벤튜리 효과를 이용하여 BATH내 CHEMICAL 및 초순수를 급속배액( DRAIN )시킬 경우 사용 Glass처링 사용된는 약액을 자동 계량하여, 농도, 온도 PH, P/T등을 조정한후 USE POINT Bath With Filter For Circulation Solution ( 순환여과세정조 ) ( WET 장치 ) 로부터 공급요구가 있을시 자동으로 공급시켜 주는 SYSTEM 별도의 CLRCULATION UNIT를 설치하여 GLASS처리중에 발생되는 불순물을 여과하여 CHEMICAL온도유지 및 사용시간을 연장시키기 위해 구성된 세정조임 ex)H₂SO₄, H₃PO₄, HF Buffer Tank ( 중간저장소 ) TRACK장치의 DEVELOPER또는 THINNER등을 CCSS로부터 공급받아 일시저장하여 교대로 Canister ( 가압用용기 ) Cassette Cleaning Equipment ( Cassette 세정장치 ) 사용하기 위한 목적의 TANK임 ( 2교대 ) IPA등 가압에 의해 약액을 이송할때 사용되는 용기로써 약 4 kg/㎠까지 견딜수 있도록 설계되 GLASS CASSETTE에 부착되어있는 오염 미립자를 세정 제거하는 장치로써, D. I또는 IPA등이 Chehical Cleaning Equipment 사용된다. CENTRAL CHEMICAL SU[[LY SYSTEM의 약자이며, FAB에 사용되는 CHEMICAL을 집중적 으로 공급 관리하는 SYSTEM임. 산·알칼리등 약품수용액의 화학적 세정력을 이용하여 오염물질을 제거하는 세정장치 Chemical Filter 약액중의 불순물을 제거하기위하여 다공질막으로 이루어진 MEHBRANE과 MEMBRANE을 보 CCSS ( 약액 중앙공급장치 ) Chemical Pump Clean Draft CHAMBER Cooling Jarket ( 냉각조 ) Cooling Coil ( 냉각선 ) 호할 수 있는 HOUSING으로 이루어져 있으며 일체형과 분리형으로 나눌수 있다. 크게 ①DIAPHRAGM PUMP ②BELLOWS PUMP로 나눌 수 있으며, 상온 및 고온의 CHEMI CAL을 이송 또는 순환하는데 사용함. ①원거리 대량이송 ②근거리 소량이송 및 순환 HEPA FILTER UNIT와 배기 DUCT등을 갖고 청정환 영위기에서 약품을 처리가 가능하도록 차 단된 AREA를 말함 항온기의 일부로써 PFA TUPE내 순환되는 CHEHICAL온도를 저하 시키는데 사용되는 Jarket QUARTZ 또는 SUS재질로 되어 있으며 VAPOR DRYER내부 또는 고온의 CHEMICAL BATH

I 3. 장비 기술 용어 용 어 Cycle Time ( 순환처리시간 ) Dry Tank ( 저장Tank ) D·I Gun ( 순수분사기 ) Dryer ( 건조기 ) Quartz Bath ( 석영조 ) Wet Station ( 세정장치 ) 의 II IV V VI 미 에서 발생하는 증기의 온도를 저하기켜 증발을 막기위한 냉각코일 WAFER가 LOADING되어 세정처리 완료후 UNCODIN되기까지의 소요시간 일종의 Chemical저장 Tank로써 일일사용량의 저장 의미도 있으나, CCSS의 경우 Circulation Tank 의미도 있슴. 장치내부 또는 Parts세정시 사용되는 Gun모양의 분사기 원심력을 이용하여 Glass사의수분을 제거한는 Spin방시과 IPA( 이소프로필알콜 )을 이용한 VAPOR방식등이 있다. 내열성, 내약품성 ( HF제외 ), 전기절연성이 좋고 열팽창력이 낮은 석영을 재료로 하여 가공한 Wet Station에 사용하는 조를 말함. 반도체 Process에 따라 여러종류의 Chemical을 사용하여 Bath내에서 세정( Cleaning )및 Etch 공정을 진행하는 장치로써, 제어방식은 초기의 PLC중심( 256 K이하 )에서 Moving용으로 Robot 의 고기능화 ( AC Servo )되어있으며, 유독 Chemical을 사용하는 관계로, Safety 측면에서 내산 성, 내화학성이 강한 Teflon, PFA, Quartz등으로 장치를 구성하며, 일부 Parts세정목적의 간단 한 수동장치에서 최근 8”용 Cassettless적용장치까지 Sub Assembly도 다양화되고 장비성능측 면에서 복자봐, 고기능화된 장치까지 망라되어 있슴.

I 4. UTILITY 용어 해설 II IV V VI 1. 설비 기술 용어 용 어 의 미 Aurcinoressor (공기압축기 ) 대기중의 공기를 반도체 제조공정에 필요한 압력 ( 약 10 kg / ㎠ ) 으로 압촉시켜 공급해 주는 Airdryer ( 제습기 ) Filter ( 여과기 ) CDA ( Compressed Dry Air ) 장치 압축된 공기를 흡착제를 사용하여 Dew Point로 -40℃이상으로 수분을 흡착하여 주는 장치 차단, 관성 확산, 정전효과를 이용으로 GAS중의 불순물제거 수분 및 불순물을 제거한 압축공기 ( 압축건조공기 ) PN 2 Purifier를 통한 순수한 질소 GN 2 LH 2 PO 2 LO 2 ( 정제된 질소 ) ( 기체질소 ) ( 액체질소 ) ( 정제된 질소 ) ( 액체산소 ) PH 2 ( 정제된 수소 ) H 2 ( 기체수소 ) Purifier ( 정제기 ) Bulk Gas ( 일반가스 ) BA Tube ( Pipe - 광택열처리관 ) EP Tube ( Pipe - 전해연마관 ) Cold Box ( 초저온장치 ) Resistivity ( 비저항 ) Conductivity ( 도전율 ) TOC ( 총유기물 ) DO ( 용존산소 ) Purifier를 거치지 않은 일반질소 액화된 질소로 기화기를 통해 기화시킨 후 제조공정에 공급한다. Purifier를 통해 수분 및 불순물을 정제한 산소 액화탱크내의 액체산소 Purifier를 통한 순수한 수소 ( 생산공정가스 ) Purifier를 거치기 전의 수소 Gas 원성분중에 기타 불순물들을 촉매저온흡착방식 ( 화학적처리 )를 이용하여 제거하는 장치 N 2 , O 2 , Ar 2 , He등의 일반적인 가스를 칭함 GN 2 , CDA 일반용에 사용 배관자재 Purifier를 거친 Bulk - Gas용 배관자재 고압의 공기를 상분리하여 순수물질을 얻는 장치 물속 ( DI Water ) 에 전기가 통하지 않는 정도 물속 ( DI Water ) 에 전기가 통하는 정도 물속 (DI Water ) 에 용존되어 있는 총 유기탄소의 함유량 Dissolved Oxygen ( 물 속으 산소함유량 )

I 4. UTILITY 용어 해설 용 어 의 TDS ( 탁도 ) SDI ( 진흙농도 ) Total Dissolved Solid ( 용해고성분 - 고체형태의 물질 ) Silt Density Index ( 물속의 자류탁도지수 ) FI ( 부유물 ) PPM ( 농도단위 ) PPB ( 농도단위 ) Particle ( 미립자 ) R. O ( 역삼투장치 ) Fouling Index ( 오염도의 지표 ) Parts Per Million ( 100만분의 1 ) Parts Per Billion ( 10억분의 1 ) 물속의 미립자 ( Impurity ) 상태표시 역삼투막을 이용한 불순물제거장치 ( Reverse Oshosis ) U. F ( 자외선 살균 ) M. B ( 혼합용이온교환수지 ) Mixed - Bed( 물속의 이온성분을 제거 ) Ultra Violet (254 nm의 파장의 자외선으로 박테리아 살균 ) U. V ( 자외선 살균 ) VDG ( 진공탈기탑 ) Vacuum Pegasfier ( 진공을 유해 Gas를 탈기시킨다. ) 3 Bed 4 Tower ( 물속의 +, - 이온을 제거해 주는 장치 ) 3 B 4 T ( 이온교환수지탑 ) Heat Exchanger ( 열을 교환해 주는 장치 ) HEX ( 열교환기 ) Fab 생산공정에서 사용한 후 깨끗한 물을 회수 재사용 Reclaim ( 회수 ) Silica ( 실리카 ) 물속의 SIO₂성분 Make - Up ( 1차순수제조System ) 미 설비의 전처리 공정 Polishing ( 초순수제조System ) PVDF AC ( 활성탄 여과장치 ) SF ( 모래여과장치 ) UV - OX ( UV산화장치 ) H₂O₂Absorber ( 과산화수소 제거 장치 ) D 1 설비의 후처리 공정 Poly Vynikkdene Felopride ( D 1배신자재 ) Activited Carbon 것도 가능하다. Seno Filter Ultra Voilet Oxidation 물속의 잔류 H₂O₂성분을 흡착하는 장치 II 미 III IV V VI

I 4. UTILITY 용어 해설 II IV V VI 2. 전기 기술 용어 용 어 의 미 LTP ( 저압배전반 ) LM - PNL ( 저압배전반 ) SCADA ( 전력감시시스템 ) Volt. Surge ( 순간과도전압 ) Volt. Sag ( 순간 Docon 전압 ) Low Tention Panel Low Main Panel Supervisory Cotrol and Data , Acquisition System Transimission Line ( 송전선 ) 발전소에서 발생된 전력을 어느거리만큼 떨어져 있는 부하점까지 보내기 위하여 사용되는 선 Mold TR ( 몰드변압기 ) NFB ( 저압차단기 ) ACB ( 공기차단기 ) VCB ( 진공차단기 ) Bus Bar ( 전원모션 ) Short ( 단락 ) Ground ( 접지 ) Neutral ( 중성점 ) Ground Fault ( 지락사고 ) 3상회로 ( 3상3선 ) 3상 회로 ( 3상4선 ) 순간적으로 전압이 상승되는 전압 낙뢰등에 의해 순간적으로 Drop되는 현상 로 Mold에폭지 수지를 절연물로 하여 조립된 변압기 저압측 Panel 및 장비내에 부착된 과부하차단기 ( No Fuse Breaker ) 고속기류에 의한 이아크열 및 이온의 소산( 消散 ) 고기압에 의한 차단점 간의 고절연 내력을 이용하여 교류외로를 차단하는 것 고압교류회로 차단기 ( Vacuum Circuit Breaker ) 여러개의 전원 또는 공급회로가 접속되는 도체 전위차가 있는 2점 사이를 저항이 극히 작은 도체로 접속하는 것을 말한다. 회로의 일부 또는 기기의 가( 架 ), 겉케이스 등을 대지와 같은 전위로 유지 하기 위해 땅속에 매 설한 도체와 도선으로 잇는 것을 말하다. 성형 결선의 각선이 모이는 결합점으로 대칭방식에서는 0 전위이다. 뇌해, 다른 물건의 접촉, 사용애자의 열화 등에 의해서 전선로와 대지 사이의 절연이 파괴되어 3상 ( R. S. T ) 교류전원에 접속되는 회로 R, S, T, G로 표기 R, S, T, N, G로 표기

I 4. UTILITY 용어 해설 II IV V 3. 환경 기술 용어 용 어 의 미 AHU ( Air Handing Unit - 공기조화 일반적인 공기조화기를 의미하며, 당공장에서는 Service Area 공급용 공조기를 칭함. 기) DFU ( Down Flow Unit - 수직층류 공기조화기의 일종으로 당공장에서는 Process Area공급용 공조기를 칭함 형 공조기 ) O. A. C ( Out Air Conditionel - 외기 외기를 조절하여 각 DFU/AHU에 공급하여 차압조정 및 제습용의 공기조화기 ) DHU ( Dehumidifier Unit - 제습기 ) 습기제거를 주목적으로 하는 공조기 Filter ( 필터 ) 공기를 걸러주는 여재 ULTPA Filter ( Ultra Low Penetrate C/R 의 초미립자를 제어하는 초고성능 필터 Air Filter - 초고성능 필터 ) HEPA Filter ( High Efficiency Particulate Air Filter - 고성능 필터 ) OAC내에서 C/R에 유입되기 전 초미립자를 제어하는 고성능필터 Pre Filter ( 전처리 필터 ) Medium Filter ( 중성능 필터 ) Duct OAC내에서 C/R에 유입되기전 초미립자를 제어하는 고성능필터 HEPA Box Class 절대습도 Air Chamber ( 공기실 ) Air Coil 공기조화 C/R에서 발생된 오염원이 Ulpa Filter의 오염을 막기위한 전처리 중성능필터 Air의 통로 HEPA Filter를 장착할 수 있는 Case 1 Ft³에 존재하는 Particle의 수 습공기에 포함된 수분과 건공기와의 중량비 덕트보다 넓은 단면으로 만든 공기의 분기합류장소 열/냉매를 이용하여 외부의 공기와 열 교환하는 Coil 실내/특정장소의 공기온도/습도/기류 및 청정도를 사용목적에 맞게 조정하는 것 VI

I 4. UTILITY 용어 해설 용 어 의 II IV V VI 미 Air Foil Fan ( 송풍기 ) Damper 날개의 단면을 유선형으로 만들어 공기의 흐름을 원할하게 하는 송풍기 덕트의 도중에 단면적을 변화시켜 공기의 흐름을 조절하는 판 루버 외기흡입구, 배기구 릴리프 댐퍼 ( 역류방지용 댐퍼 ) Laminar Flow ( 층류 ) 공기의 역류를 막기위해 이용하는 댐퍼 유체사이의 분자가 규칙적이고 정연하게 이동하는 흐름 ( Reynolds No, > 2, 000 ) 습공기중에 함유된 수증기량과 똑같은 온도에서의 포화수증기량과의 비 습공기에 포함된 수분과 건공기와의 중량비 상대습도 절대습도 노점온도 건구온도 습구온도 House Vacuum C/R 내장 Partition Clean Panel (벽체 ) Access Floor ( 바닥 ) System Ceiling ( 천정 ) Eye Lid 무진기기 Air Shower 일정량의 수증기를 가진 공기가 차츰 냉각되어 포화상태로 되면 수증기가 응축해서 물방울이 되는 온도 보통 온도계로 측정한 온도 습구에 함유된 물이 증발함에 따라 구부에서 기화열을 빼앗으므로 대기의 습도에 영향이 되는 온도 장비의 Cleaning 이나 청소에 쓰이는 저압진공 C/R의 조건을 만족시키기 위해 외부와 차단된 공간을 만드는 구조체로 벽체( Partition Clean Panel ), 바닥( Access Floor ), 천정( System Ceiling ) 등을 구성한다. Area를 구분하고 외부와 차단시키며, 청정공기가 서로 섞이거나 유입되지 않게 하는 구조체 생산장비 및 사람, 다른 내장재들을 지지하고 청정공기의 양압, 기류방향등을 조절할 수 있게 된 구조체 Ulpa Filter를 지지하고 등화, 소방섧지, 방송시설 등을 부착할 수 있는 천정재 충속이 다른 청정공기가 섞이지 않고 층 사람, 장비 및 각종 소모품 등에 으해 외부로부터 유입되는 먼지등을 제거하기 위해 설치된 장 비 Air shower, Bottle Washer, Hand Washer Pass Box, BFU 등이 있다. 청정한 공기를 고속으로 분사하여 인체의 먼지를 털어내는 기기

I 4. UTILITY 용어 해설 용 어 의 II IV V VI 미 Bottle Washer Hand Washer 외부와 차단되는 내용물을 담는 통, 병등을 DI로 씻어낼 수 있게 만든 기기 C/R 입실전 손에 묻은 오염원을 씻는 기기 BFU ( Blower Fan Unit ) Aur Gun Pass Box PCW ( Precess Cooling Water 장치 냉각수 ) 장비반입구 등 일정한 작은 공간의 청정도를 유지하기 위해 쓰는 기기 Pass Box로 반입할 수 없는 큰 장비의 마지막 Cleaning을 위해 CDA로 털어내는 기기 C/R내로 작은 물품등을 반입하려고 할 때 겉에 묻은 오염원을 CDA로 털어내는 기기 생산장비에서 발생하는 열을 냉각시키기 위해 공급하는 고압, 고순도의 냉각수 Filter Housing ( 수직증류형 증조 ) PCW내의 5㎛ 미립자를 제거시키기 위한 Filter를 넣은 Case Mixed Bed ( 순수제조장치 ) 강산성 양이온 교환수지와 강염기성 음이온 교환수지를 수지탑에 채워 PCW를 고순도의 순수 로 만드는 장치 PCW공급압력 Filter Housing을 통과하여 Main Line에 공급하는 압력 Organic Con’c ( ORG( C ) - 유기원 Fab내에서 사용하는 유기화학약품의 원액을 의미하며 약품이 고농도이거나 대부분의 방향족 액) 유기화합물로써 회수하여 위탁처리한다. Organic Rinse ( ORG( R ) - 유기제 Fab내에서 사용한 유기화학약품중 그 농도가 낮거나 약품의 성분상 폐수처리장에서 처리가능 폐수 ) 한 물질들이 함유된 유기성 폐수를 말한다. HF를 사용하는 장비에서 Drain되는 폐수로 불산 또는 B. O. E가 사용되는 Bath에서 Drain되는 HF Con`c waste water ( HF( C ) 농불소 폐수 폐수 HF를 사용하는 장비에서 Drain되는 폐수로 불산이다. B. O. E사용후 AI로 Rinse되는 Bath에서 HF Rinse waste water ( HF( R ) 희불소 폐수 Drain되는 폐수를 말한다. Acid/Alkali waste 9 water( A/A - 산 불산이나 유기화학약품외의 산·알칼리성 약품을 사용하는 장비에서 Drain 되는 폐수 알칼리 폐수 ex ) Hi. Po₄, HNO₃, H₂SO₄ Lapping waste water ( B/L - 연마폐 Fab 3의 Back Grinding 장비에서 발생한 wafer후면 연마시 발생한 폐수 수)

I 4. UTILITY 용어 해설 용 어 의 II IV V VI 미 Metalic Ion waste water( M/I - 중금 Ass`y등 Solder 및 Sawing에서 발생하는 폐수로 Pb등이 함유되어 있는 폐수를 의미한다. 속 폐수 ) Metalic Ion Con`c waste water ( M Solder에서 발생하는 폐수로 중금속이 다량 함유되어 잇으며 Ass`y 지하탱크에서 회수처리한 / I( C ) - 폐산·폐알카리 다. - 유기회수탱크 Fab내에서 사용하는 유기폐수원액을 회수하는 탱크로 Fab동 지하에 설치되어 있으며 회수약 품은 IPA, Rinse-4, St-502, HHED ( GW-1 ), CFC-113등이 있다. Fab내에서 사용한 화학약품의 빈통, 빈병들과 P/R회수통틀을 보관해 놓는 장소로 C-1 무기계 공병보관소 폐수처리장과 154 KV YARD중간에 위치함 폐기물 보관소 Waste Water ( W. W - 폐수 ) 당공장에서 발생한 폐기물을 보관하는 곳으로 녹색 천막으로 되어 있으며 폐기물 종류별로 분 리·보관하는 장소이다. 물에 액체성 또는 고체성의 수질오염 물질이 혼입되어 그대로 사용할 수 없는 물을 말한다. B. O. D( Biochemical Oxygen Dem - 폐수나 물의 유기물 함유의 정도를 표시하기 위하여 가장 많이 사용되는 지표로서 이것은 수중 and - 생물화학적 산소요구량 ) 의 유기물질을 호기성 미생물이 산화할 때 사용되는 용존산소의 양을 나타낸다. KM O )를 써서 산성조건하에서 가열하여 COD( Chemical Oxgen Demand - 유기물을 함유한 시료를 강한 산화제 ( K₂Cr₂O , 7 n H 화학적 산소요구량 ) 화학적으로 산화시킴으로써 수중의 유기물함량의 정도를 측정한다. C-1/2 W. W. T. P(C-1/2 waste water C-1/2동 Ass’ y동에서 배출되는 폐수를 처리하기 위한 시설로서 화학적 처리방식에 의하여 수 - Treatment Plant - C-1/2무기계 질환경보전법에 규정된 오염물질규제치 이하고 처리하는 시설을 말한다. 폐수 처리장 Organic W. W. T. P ( 유기계 폐수처 리장 ) E/G ( Exhaust Generator ) Entry Device 당공장에서 배출된느 유기계 세척수를 처리하기 위한 시설로서 생물·화학적 처리방식에 의하 여 수질환경보전법에 규정된 오염물질 규제치 이하로 처리하는 시설을 말한다. Main 장비의 후단 ( or Vaccum Pump ) 에 부착되어 Process Gas의 유해성분을 저해하는 장치 ( 1차 Scrubber라고도 함 ) Gas Scrubbing을 위한 저해장치의 Inlet부위

I 4. UTILITY 용어 해설 용 어 의 II IV V VI 미 Demister TLV ( Threshold Limit Valve ) 제해처리된 공기에 포함된 수분을 포집하여 DUCT로 Water Overflow되는 것을 방지하는 장치 작업자가 8시간 작업하는데 인체에 영향이 없는 Gas농도 Exhaust Dust Scrubber ( 세정탑 ) 생산장비에서 사용된 폐Gas나 Chemical Hume 등을 이송하기 위한 통이며, 크게 3가지로 나눈 다. ①Acid Exhaust Duct( FRP ) ②Toxic Exhaust Duct( SUS ) ③Organic Exhaust Duct( SUS ) 일명 세정탑이라 부르며 생산장비에서 버려진 폐가스나 폐 Chemical Hume등을 환경보전법에 Adsorption Tower ( 흡착탑 ) 규정된 이하로 처리하기 위한 설비 유기용제성 Hume처리를 활성한 기공을 이용하여 흡착시티는 설비로는 악취제거에 매우 효율 적이다.

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