Глава II. Распыление поверхности при ионной бомбардировке Sputtering of solids under ion bombardment
![2. 1. Основные характеристики распыления. Y = Naт/Nион [атом/ион] d h 2. 1. 1.](https://present5.com/presentation/3/34355739_336703404.pdf-img/34355739_336703404.pdf-2.jpg "2. 1. Основные характеристики распыления. Y = Naт/Nион [атом/ион] d h 2. 1. 1.")
2. 1. Основные характеристики распыления. Y = Naт/Nион [атом/ион] d h 2. 1. 1. Физическая природа распыления 2. 1. 2. Каскадный механизм распыления - Y( ) 2. 1. 2. Основные закономерности распыления: Y(E 0), Y( ) 2. 1. 3. Распыление монокристаллов Nат = ∆m∙N 0/A Nион=i∙t/q 2. 2. Распыление двухкомпонентных мишеней. 2. 2. 1. Селективное распыление Y= ∙h∙ d 2∙N 0∙q/A∙i∙t 2. 2. 2. Глубина изменённого слоя 2. 2. 3. Радиационно-индуцированная гиббсовская сегрегация (Yi( )) 2. 3. Эффекты сопровождающие распыление 2. 3. 1. Аморфизация мишени 2. 3. 2. Перемешивание 2. 3. 3. Топография поверхности
Глубина выхода распыленных частиц 0, 25 нм
1. Распыление – случайный/хаотический процесс 2. Теория Зигмунда и угловое распределение распыленных частиц. 3. Y(θ) ~ cos θ Y(θ) ~ cosn θ 4. n = 1 + (8/3) N C 03/2 N – target atomic density, C 0 – constant Sigmund, 1987
К распылению монокристаллов
2, 5 nm 0 50 nm 500 0 0 AFM image of Ge surface bombarded by 10 ke. V Ar+ ions (F ~ 1018 ion/cm 2)
Скачать презентацию Глава II Распыление поверхности при ионной бомбардировке Sputtering
Глава 2.ppt