Глава II. Распыление поверхности при ионной бомбардировке 2.

Глава II. Распыление поверхности при ионной бомбардировке 2. 1. Основные характеристики распыления. Y = Naт/Nион [атом/ион] d h 2. 1. 1. Физическая природа распыления 2. 1. 2. Каскадный механизм распыления - Y( ) 2. 1. 2. Основные закономерности распыления: Y(E 0), Y( ) Nат = ∆m∙N 0/A 2. 1. 3. Распыление монокристаллов Nион=i∙t/q 2. 2. Распыление двухкомпонентных мишеней. 2. 2. 1. Селективное распыление Y= ∙h∙ d 2∙N 0∙q/A∙i∙t 2. 2. 2. Глубина изменённого слоя 2. 2. 3. Радиационно-индуцированная гиббсовская сегрегация (Yi( )) 2. 3. Эффекты сопровождающие распыление 2. 3. 1. Аморфизация мишени 2. 3. 2. Перемешивание 2. 3. 3. Топография поверхности

Глубина выхода распыленных частиц 0, 25 нм

2, 5 nm 50 0 nm 500 0 AFM image of Ge surface bombarded by 10 ke. V Ar+ ions (F ~ 1018 ion/cm 2)

К распылению монокристаллов