Скачать презентацию Физические основы электроники Темы 1 История развития электроники Скачать презентацию Физические основы электроники Темы 1 История развития электроники

lektsii_FOE_2003.ppt

  • Количество слайдов: 38

Физические основы электроники Темы: 1. История развития электроники 2. Структура атома 3. Полупроводниковые диоды Физические основы электроники Темы: 1. История развития электроники 2. Структура атома 3. Полупроводниковые диоды 4. Выпрямители 5. Транзисторы 6. Усилители 7. Двухтактные каскады 8. Широкополосный каскад

История развития электроники 1831 г. – Майкл Фарадей, английский ученый, открыл явление электромагнитной индукции. История развития электроники 1831 г. – Майкл Фарадей, английский ученый, открыл явление электромагнитной индукции. 1831 г. – Дж. Максвелл разработал теорию электромагнитных волн. 1883 г. – Томас Эдисон открыл эффект термоэлектронной эмиссии, ставший впоследствии основой изобретения первого электронного прибора – вакуумного диода. 1886 г. – Генрих Герц экспериментально доказал существование электромагнитных волн. Герц впервые наблюдал фотоэффект. 1895 г. – А. С. Попов построил чувствительный и надёжно работавший приёмник, пригодный для беспроводной сигнализации(радиосвязи) На главную

1897 г. – Джозеф Томсон открыл электрон. Браун изобрел осциллоскоп. 1904 г. – Джон 1897 г. – Джозеф Томсон открыл электрон. Браун изобрел осциллоскоп. 1904 г. – Джон Флеминг изобрел первую электронную лампу, вакуумный диод. 1908 г. – 25 июня Б. Л. Розинг подал заявку на изобретение электронно-лучевой трубки, первым в мире применил электронную систему приема изображения. 1918 г. – 2 декабря организована Нижегородская Электротехническая лаборатория. Научным руководителем был назначен М. А. Бонч-Бруевич. Разработала лампу мощностью в 25 к. Вт и построила двенадцатикиловаттный радиотелефонный передатчик. 1924 г. – в Москве построена самая мощная радиостанция в мире. 1924 г. – первое телевизионное вещание в Ленинграде. На главную С 1948 в Москве.

1948 г. – Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли изобрели полупроводниковый элемент – 1948 г. – Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли изобрели полупроводниковый элемент – транзистор. 1956 г. – Лео Эсаки открал новый полупроводниковый элемент – туннельный диод. 1967 г. – введена в эксплуатацию телевизионная башня «Останкинская» , самая мощная в мире, высота 525 м. 1971 г. – был выпущен первый микропроцессор фирмой Intel (США) На главную

Атом — наименьшая химически неделимая часть химического элемента, являющаяся носителем его свойств. - диаметр Атом — наименьшая химически неделимая часть химического элемента, являющаяся носителем его свойств. - диаметр атома равен 10 -10 м; - диаметр ядра атома = 10 -15 м Валентными электронами называют электроны, находящиеся на внешней, или валентной, оболочке атома. Валентные электроны определяют поведение элемента. На главную

Ионы - одноатомные или многоатомные частицы, несущие электрич. заряд, например Н +, Li+, Аl Ионы - одноатомные или многоатомные частицы, несущие электрич. заряд, например Н +, Li+, Аl 3+, NH 4+ F-, SO 42 -. Положительные ионы называют катионами, отрицательные - анионами. Положительные ионы — атомы или молекулы газа, лишённые в результате взаимодействий одного или несколько электронов с внешней оболочки. На главную

Зона проводимости — в зонной теории твёрдого тела первая из незаполненных электронами зон (диапазонов Зона проводимости — в зонной теории твёрдого тела первая из незаполненных электронами зон (диапазонов энергии, где могут находиться электроны) в полупроводниках и диэлектриках. - у диэлектриков - у полупроводников На главную

Выпрямительный диод Условное обозначение: Вольтамперная характеристика диода: На главную Выпрямительный диод Условное обозначение: Вольтамперная характеристика диода: На главную

Стабилитрон Условное обозначение: Вольтамперная характеристика стабилитрона: На главную Стабилитрон Условное обозначение: Вольтамперная характеристика стабилитрона: На главную

Варикап Условное обозначение: Вольтфарадная характеристика: С, п. Ф 50 40 30 20 10 2 Варикап Условное обозначение: Вольтфарадная характеристика: С, п. Ф 50 40 30 20 10 2 4 6 8 10 Uобр На главную

Туннельный диод Условное обозначение: Вольтамперная характеристика: На главную Туннельный диод Условное обозначение: Вольтамперная характеристика: На главную

Схема однополупериодного выпрямителя На главную Схема однополупериодного выпрямителя На главную

Схема двухполупериодного выпрямителя На главную Схема двухполупериодного выпрямителя На главную

Схема однофазного мостового выпрямителя На главную Схема однофазного мостового выпрямителя На главную

Транзисторы Все транзисторы по внутренней структуре делятся на два типа: биполярные и униполярные (полевые). Транзисторы Все транзисторы по внутренней структуре делятся на два типа: биполярные и униполярные (полевые).

Биполярный транзистор На главную Биполярный транзистор На главную

Статистические характеристики транзисторов • Входная характеристика: Iвх Ек Uвх Статистические характеристики транзисторов • Входная характеристика: Iвх Ек Uвх

 • Выходная характеристика: Iвых Iвх5 Iвх4 Iвх3 Iвх2 Iвх1 Uвых • Выходная характеристика: Iвых Iвх5 Iвх4 Iвх3 Iвх2 Iвх1 Uвых

Способы включения транзисторов • Схема с общей базой • КТ 1 • КН≈1000 • Способы включения транзисторов • Схема с общей базой • КТ 1 • КН≈1000 • Кш≈1000

 • Схема с общим эмиттером • КТ≈30 • КН≈1000 • Кш=30000 • Схема с общим эмиттером • КТ≈30 • КН≈1000 • Кш=30000

 • Схема с общим коллектором (эмиттерный повторитель) • КТ≈30 • КН=1 • Кш=30 • Схема с общим коллектором (эмиттерный повторитель) • КТ≈30 • КН=1 • Кш=30

По мощности различают транзисторы: 1) малой мощности Pк<0, 3 Вт 2) средней мощности 0, По мощности различают транзисторы: 1) малой мощности Pк<0, 3 Вт 2) средней мощности 0, 31, 5 Вт По граничной частоте пропускания транзисторы делятся на: • низкочастотные fгр<3 МГц • средней частоты 3300 МГц

Маркировка транзисторов 2 Т 903 В -тип транзистора 1 2 3 4 5 6 Маркировка транзисторов 2 Т 903 В -тип транзистора 1 2 3 4 5 6 -элементы Примеры: • КТ 313 А • АИ 303 К • ГТ 603 Б

1) Обозначает материал • 1, (Г)- германий до 75 (до 60 ); • 2, 1) Обозначает материал • 1, (Г)- германий до 75 (до 60 ); • 2, (К)- кремний до 120 (до 85 ); • 3, (А)- арсенид галлия до 120 (до 85 ). 2) Т- биполярный транзистор; И- генераторный диод; П- полевой транзистор.

3) Классифицирует по частоте и по мощности: 1 – малой мощности, низкой частоты 2 3) Классифицирует по частоте и по мощности: 1 – малой мощности, низкой частоты 2 – малой мощности, средней частоты 3 – малой мощности, высокой частоты 4 – средней мощности, низкой частоты 5 - средней мощности, средней частоты 6 - средней мощности, высокой частоты 7 – большой мощности, низкой частоты 8 - большой мощности, средней частоты 9 - большой мощности, высокой частоты

4, 5) вместе показывают порядковый номер разработки (возможно и трехзначное число); 6) буква, характеризует 4, 5) вместе показывают порядковый номер разработки (возможно и трехзначное число); 6) буква, характеризует свойства одинаковых транзисторов. Пример обозначений: 2 Т 144 А- транзистор кремниевый (120 ), малой мощности, низкой частоты, номер разработки 44, группа А.

Схема усилителя с активным нагрузочным сопротивлением Схема усилителя с активным нагрузочным сопротивлением

Основные показатели характеризующие работу усилителя 1. КПД, зависит от режима работы транзистора (три режима: Основные показатели характеризующие работу усилителя 1. КПД, зависит от режима работы транзистора (три режима: а, в, с)

2. Коэффициент усиления 2. Коэффициент усиления

3. Частотная характеристика ОНЧ – 40… 400 Гц ОВЧ – 1, 2… 12 к. 3. Частотная характеристика ОНЧ – 40… 400 Гц ОВЧ – 1, 2… 12 к. Гц ОСр. Ч – 800 Гц

4. Амплитудная характеристика 4. Амплитудная характеристика

Нелинейные искажения для измерительных приборов Кг=0, 1… 0, 2% для высококачественных усилителей Кг=1… 2% Нелинейные искажения для измерительных приборов Кг=0, 1… 0, 2% для высококачественных усилителей Кг=1… 2% для обычных (бытовых) усилителей Кг=2… 3%

Обратная связь в усилителях Обратная связь в усилителях

1. Междуэлектродные емкости 2. Близко расположены элементы схемы 1. Междуэлектродные емкости 2. Близко расположены элементы схемы

3. Обратная связь вводится специально для получения некоторых показателей электронной схемы. Коэффициент усиления усилителей 3. Обратная связь вводится специально для получения некоторых показателей электронной схемы. Коэффициент усиления усилителей с обратной связью:

Двухтактные каскады • Согласованный режим Двухтактные каскады • Согласованный режим

Фазоинверсный каскад с раздельной нагрузкой Фазоинверсный каскад с раздельной нагрузкой

Широкополосный каскад • Схема с низкочастотной корреляцией Широкополосный каскад • Схема с низкочастотной корреляцией