Скачать презентацию Физические основы электроники Часть 4 Полевые транзисторы Полупроводниковые Скачать презентацию Физические основы электроники Часть 4 Полевые транзисторы Полупроводниковые

ФОЭ (4) полн.ppt

  • Количество слайдов: 34

Физические основы электроники Часть 4. Полевые транзисторы. Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Интегральные схемы. Пассивные элементы. Физические основы электроники Часть 4. Полевые транзисторы. Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Интегральные схемы. Пассивные элементы. Электровакуумные приборы.

Полевой транзистор , он же униполярный С изолированным затвором С управляющим p-n переходом 2 Полевой транзистор , он же униполярный С изолированным затвором С управляющим p-n переходом 2

Идея Лалиенфельда (1925 г. ) Не реализуемо вследствие поверхностных (граничных) эффектов полупроводника 3 Идея Лалиенфельда (1925 г. ) Не реализуемо вследствие поверхностных (граничных) эффектов полупроводника 3

Полевой транзистор с управляющим pn-переходом 4 Полевой транзистор с управляющим pn-переходом 4

Полевой транзистор с барьером Шоттки Эффект Шоттки – возникновение потенциального барьера на границе металл-полупроводник Полевой транзистор с барьером Шоттки Эффект Шоттки – возникновение потенциального барьера на границе металл-полупроводник 5

ПТ с управляющим переходом 6 ПТ с управляющим переходом 6

Основные параметры ПТ • Крутизна S = (д. IC /д. UЗИ) при UСИ = Основные параметры ПТ • Крутизна S = (д. IC /д. UЗИ) при UСИ = const; • предельное напряжение затвор-исток UЗИ ПРЕД; • предельное напряжение сток-исток UСИ ПРЕД; • максимальный ток стока IС. MAX; • максимальная рассеиваемая мощность РC. MAX 7

МОП-транзистор МОП = Металл, Окисел, Полупроводник (МДП = Металл, Диэлектрик, Полупроводник) • С встроенным МОП-транзистор МОП = Металл, Окисел, Полупроводник (МДП = Металл, Диэлектрик, Полупроводник) • С встроенным каналом • С индуцированным каналом 1963 г. , С. Хофштейн и Ф. Хайман 8

МОП-ПТ с встроенным каналом 9 МОП-ПТ с встроенным каналом 9

МОП-ПТ с индуцированным каналом 10 МОП-ПТ с индуцированным каналом 10

ПТ с изолированным затвором канал n-типа: канал p-типа: 11 ПТ с изолированным затвором канал n-типа: канал p-типа: 11

Генерация и рекомбинация носителей заряда в полупроводнике 12 Генерация и рекомбинация носителей заряда в полупроводнике 12

Фоторезистор 1 – диэлектрическая пластина 2 – слой полупроводника 3 – контактные площадки 13 Фоторезистор 1 – диэлектрическая пластина 2 – слой полупроводника 3 – контактные площадки 13

Фотодиод Эффект зависимости обратного тока pn-перехода от освещённости 14 Фотодиод Эффект зависимости обратного тока pn-перехода от освещённости 14

Фототранзисторы 15 Фототранзисторы 15

Оптопары 1 – излучатель; 2 – фотоприемник; 3 – объект 16 Оптопары 1 – излучатель; 2 – фотоприемник; 3 – объект 16

Интегральные схемы – это совокупность большого количества взаимосвязанных компонентов (транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов и Интегральные схемы – это совокупность большого количества взаимосвязанных компонентов (транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов и т. п. ), изготовленных в едином технологическом цикле на одной подложке и выполняющих определенную функцию преобразования информации. 17

Элементы интегральных схем • неделимые составные части ИС, которые нельзя отдельно специфицировать и поставить Элементы интегральных схем • неделимые составные части ИС, которые нельзя отдельно специфицировать и поставить как отдельные изделия. Особенность: - имеют электрическую связь с общей подложкой, а иногда и друг с другом. 18

Внутренняя связь элементов биполярных ИС через подложку 19 Внутренняя связь элементов биполярных ИС через подложку 19

Слабая связь между элементами МОП-транзисторных ИС 20 Слабая связь между элементами МОП-транзисторных ИС 20

Основные методы изоляции элементов ИС а) с помощью рп-переходов; б) с помощью диэлектрика 21 Основные методы изоляции элементов ИС а) с помощью рп-переходов; б) с помощью диэлектрика 21

Пассивные элементы: резисторы Постоянный «химический» Постоянный «проволочный» 22 Пассивные элементы: резисторы Постоянный «химический» Постоянный «проволочный» 22

Пассивные элементы: переменные резисторы 23 Пассивные элементы: переменные резисторы 23

Пассивные элементы: конденсаторы (1) Электролитические и полимерные 24 Пассивные элементы: конденсаторы (1) Электролитические и полимерные 24

Пассивные элементы: конденсаторы (2) Керамические 25 Пассивные элементы: конденсаторы (2) Керамические 25

Пассивные элементы: конденсаторы (3) Переменной ёмкости 26 Пассивные элементы: конденсаторы (3) Переменной ёмкости 26

Пассивные элементы: катушки индуктивности и дроссели 27 Пассивные элементы: катушки индуктивности и дроссели 27

Электронная эмиссия(1) T 0 T >> T 0 28 Электронная эмиссия(1) T 0 T >> T 0 28

Электронная эмиссия(2) U 0=0 + U 0>>0 + 29 Электронная эмиссия(2) U 0=0 + U 0>>0 + 29

Электровакуумный диод а)Прямой накал б)Косвенный накал 30 Электровакуумный диод а)Прямой накал б)Косвенный накал 30

Электровакуумный триод 31 Электровакуумный триод 31

Многосеточные ЭВ лампы Задачи: избежать насыщения, снизить анодное напряжение Тетроды с катодной (а) и Многосеточные ЭВ лампы Задачи: избежать насыщения, снизить анодное напряжение Тетроды с катодной (а) и экранирующей (б) сеткой 2 сетки = тетрод 3 сетки = пентод 4 сетки = гексод 5 сеток = гептод И т. д. 32

Электровакуумные СВЧ-приборы(1) • Приборы “О-типа”: имеют прямолинейную геометрию электронного потока в продольном внешнем магнитном Электровакуумные СВЧ-приборы(1) • Приборы “О-типа”: имеют прямолинейную геометрию электронного потока в продольном внешнем магнитном поле: – клистроны – лампы бегущей волны (ЛБВ) – лампы и обратной волны (ЛОВ) 33

Электровакуумные СВЧ-приборы(2) • Приборы “М-типа”: модулированные электронные потоки формируются в результате дрейфового движения электронов Электровакуумные СВЧ-приборы(2) • Приборы “М-типа”: модулированные электронные потоки формируются в результате дрейфового движения электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях – – магнетроны платинотроны ЛБВ-М ЛОВ-М магнетрон 34