ЭВМ & МПС ОПЕРАТИВНАЯ ПАМЯТЬ ПЭВМ

ЭВМ & МПС ОПЕРАТИВНАЯ ПАМЯТЬ ПЭВМ

Устройство ячейки динамической памяти.

БАНК ОЗУ - 1 Мбайт

Временная диаграмма, иллюстрирующая работу памяти SDRAM

Samsung разработала модули памяти DDR 4, которые на 40 % до 3200 миллионов транзакций энергоэффективнее, чем DDR 3 в секунду, при напряжении 1, 2 В. Hynix разработала пам’ять DDR 4 может работать со скоростью от 12, 8 DDR 4 -2400 до 25, 6 Гбайт/с. Сейчас же скорость DDR 3 составляет до 12, 8 Гбайт/с, а DDR 2 — до 6, 4 Гбайт/с. Будет поддерживать частоты от 2133 до 4266 МГц

Доля DDR 3 на рынке оперативной памяти в настоящий момент составляет от 85 до 90%, а к 2013 году вырастет до 94%. i. Supply прогнозирует, что в 2014 году доля рынка DDR 4 составит 12%, в 2014 – 56%.

Мемристор – элемент нового типа памяти Мемристор – это элемент, работающий в условиях переменного тока, электрическое сопротивление которого зависит от полярности прилагаемого напряжения. В зависимости от знака разности потенциалов мемристор может находиться в выключенном (менее проводящем) состоянии и во включенном (более проводящем). Самым главным качеством мемристора – именно мемристивностью – является зависимость сопротивления от заряда, пропущенного через элемент. Символ мемрис тора Открытый совсем недавно «четвертый элемент» , получивший название мемристор, вскоре может занять свое место в электронике. Так например, Panasonic планирует массово выпускать Re. RAM уже в 2012 г.

Memristor – найден четвертый базовый элемент электрической цепи Р. Стэнли Уильямс у экспериментальной установки