Скачать презентацию Электронное строение кристаллов Лекция 3 Классификация по Скачать презентацию Электронное строение кристаллов Лекция 3 Классификация по

Электронное строение твердых тел.ppt

  • Количество слайдов: 41

Электронное строение кристаллов Лекция 3 Электронное строение кристаллов Лекция 3

Классификация по электрическим свойствам Классификация по электрическим свойствам

Обратная решетка T = ua + vb + wc прямая решетка Направляющие вектора обратной Обратная решетка T = ua + vb + wc прямая решетка Направляющие вектора обратной решетки: k – волновой вектор в пространстве обратной решетки (фазовое пространство) Формула де Бройля для электрона =h/p=h/(m v) Импульс электрона в вакууме: p=ħ k Энергия свободного электрона: E= ħ 2 k 2/(2 m)

Ячейка Вигнера-Зейтца 1. Выбирается узел решетки 2. Проводятся линии, соединяющие этот узел с соседними Ячейка Вигнера-Зейтца 1. Выбирается узел решетки 2. Проводятся линии, соединяющие этот узел с соседними узлами 3. Через середины построенных линий проводятся плоскости, перпендикулярные к ним. Фигура, ограниченная этими плоскостями и есть ячейка Вигнера-Зейтца. : Пример построения двумерной ячейки Вигнера-Зейтца

Зона Бриллюэна - отображение ячейки Вигнера-Зейтца в обратном пространстве для двумерных решеток: Квадратная решетка Зона Бриллюэна - отображение ячейки Вигнера-Зейтца в обратном пространстве для двумерных решеток: Квадратная решетка Гексагональная решетка

Построение последовательных зон Бриллюэна Последовательно строим для обратной решетки перпендикуляры к линиям, соединяющим: ближайших Построение последовательных зон Бриллюэна Последовательно строим для обратной решетки перпендикуляры к линиям, соединяющим: ближайших соседей (первая зона), следующих за ближайшими (вторая зона) и т. д. С увеличением номера зоны становятся все более фрагментированными

Приведенные зоны Бриллюэна Сегмента 2, 3, 4 и последующих зон могут быть спроектированы на Приведенные зоны Бриллюэна Сегмента 2, 3, 4 и последующих зон могут быть спроектированы на 1 -ю зону с помощью векторов трансляций обратной решетки Все зоны имеют одинаковую площадь Любая точка любой зоны имеет полный эквивалент в 1 -ой зоне Бриллюэна

Зоны Бриллюэна для трехмерного кристалла Характерные точки Γ — в центре зоны Бриллюэна. X Зоны Бриллюэна для трехмерного кристалла Характерные точки Γ — в центре зоны Бриллюэна. X — в середине малого квадрата. Линия, которая ведет от Γ к X обозначается буквой Δ. L — в середине большого шестигранника. Линия, которая ведет от Γ к L обозначается Λ. K — на середине стороны шестигранника. Линия, которая ведет от Γ к K обозначается Σ Гранецентрированная решетка (ГЦК) Объемноцентрированная решетка

Форма зон Бриллюэна Первая зона вторая зона Решетка примитивная Гранецентрированная Объемноцентрированная третья зона Форма зон Бриллюэна Первая зона вторая зона Решетка примитивная Гранецентрированная Объемноцентрированная третья зона

Практическое использование концепции зон Броиллюэна 1) В дифракции излучения: на кристаллической решётке дифрагируют только Практическое использование концепции зон Броиллюэна 1) В дифракции излучения: на кристаллической решётке дифрагируют только те лучи, волновой вектор которых оканчивается на границе зоны Бриллюэна. 2) При описании электронной структуры кристалла: вследствие существования периодичности кристаллической решётки и конкретно зоны Бриллюэна в кристалле возникают запрещённые и разрешённые энергетические состояния. Возникновение запрещённых зон связано с тем, что для электронных волн определённых длин на границе зоны Бриллюэна возникает условие брэгговского отражения, и электронная волна отражается от границы зоны.

Общее уравнение Шредингера Плотность вероятности нахождения частицы в точке r в момент времени t: Общее уравнение Шредингера Плотность вероятности нахождения частицы в точке r в момент времени t:

Стационарное уравнение Шредингера Разделение переменных Стационарное уравнение Шредингера – собственные числа : дискретные уровни Стационарное уравнение Шредингера Разделение переменных Стационарное уравнение Шредингера – собственные числа : дискретные уровни энергии – собственные функции n – квантовое число Условие нормировки: Условие ортогональности:

Уравнение Шредингера для водородоподобного атома присоединенный полином Лагерра присоединенный полином Лежандра дискретные уровни энергии Уравнение Шредингера для водородоподобного атома присоединенный полином Лагерра присоединенный полином Лежандра дискретные уровни энергии

Теорема Блоха Потенциальная энергия электрона в кристалле: U(x)=U(x+a) Псевдомпульс электрона в кристалле: P=ħ k Теорема Блоха Потенциальная энергия электрона в кристалле: U(x)=U(x+a) Псевдомпульс электрона в кристалле: P=ħ k Энергия электрона: E= ħ 2 k 2/(2 m*) m* - эффективная масса электрона, m*=f( k ) n – номер зоны

Одномерная модель Кронига. Пенни Единственный электрон движется в периодическом поле бесконечной цепочки ионов Одномерная модель Кронига. Пенни Единственный электрон движется в периодическом поле бесконечной цепочки ионов

Стационарное уравнение Шредингера для модели Кронига-Пенни (1) Начало системы координат (точку х = 0) Стационарное уравнение Шредингера для модели Кронига-Пенни (1) Начало системы координат (точку х = 0) выберем так, чтобы она совпадала с левым краем потенциальной ямы, Tогда потенциальная функция (2) В соответствии с теоремой Блоха волновая функция электрона y(x) может быть представлена в виде (3) Индексы n и k опущены для простоты записи. Функция u(x) (блоховский множитель) имеет период c Подставляя (3) в уравнение (1), получим дифференциальное уравнение для блоховского множителя (4 а) для электронов, находящихся внутри потенциальных ям, и (4 б) для электронов, находящихся вне потенциальных ям.

Решение уравнения Шредингера для модели Кронига-Пенни Общее решение уравнения (2. 10 а) для электронов Решение уравнения Шредингера для модели Кронига-Пенни Общее решение уравнения (2. 10 а) для электронов внутри потенциальных ям может быть записано в виде , (5 а) a - параметр, который может быть найден подстановкой решения в исходное уравнение (2. 10 а). В области вне потенциальных ям при условии, что высота потенциального барьера U 0 выше полной энергии электрона Е, решение уравнения (2. 10 б) имеет вид , (5 б) Постоянные A, B, C и D в формулах (5 а) и (5 б) находятся как обычно из граничных условий. Граничные условия требуют, чтобы функция u(x) и ее первая производная в местах скачков потенциала, т. е. на стенках потенциальных ям, были непрерывны. Эти требования приводят к следующей системе уравнений: (6)

Решение уравнения Шредингера для модели Кронига-Пенни Определитель системы (6) будет равен нулю (только при Решение уравнения Шредингера для модели Кронига-Пенни Определитель системы (6) будет равен нулю (только при этом условии система линейных однородных уравнений имеет отличные от нуля решения), если выполняется следующее равенство: (7) Выражение (7) можно значительно упростить, если допустить, что ширина барьера стремится к нулю b 0 , а его высота - к бесконечности (U 0 ), но таким образом, чтобы произведение оставалось постоянным (U 0 b=const). При этих условиях выражение (7) преобразуется к виду: (8) 1. Слабая связь P 0 (U 0 0) – энергия электрона: - свободный электрон 2. Сильная связь P (U 0 ): => n=1, 2, … - набор дискретных уровней (атом)

Энергия электрона в модели Кронига-Пенни Сильная связь P>>1 => (9) Разлагая (8) в ряд Энергия электрона в модели Кронига-Пенни Сильная связь P>>1 => (9) Разлагая (8) в ряд до линейных членов получим (10) Выразив a из (10) подставив в (9) получим: (11) Раскрывая из (5 а) получим: (12) n – номер зоны Периодическая зонная схема Кронига-Пенни

Зонная структура Кронига – Пенни (сильная связь) Заштрихованные участки соответствуют запрещенным значениям параметра и, Зонная структура Кронига – Пенни (сильная связь) Заштрихованные участки соответствуют запрещенным значениям параметра и, следовательно, энергии электрона в кристалле Расширенная зонная схема Приведенная зонная схема

Зонная структура на примере Si Энергия Ферми Прямые переходы k=0 Непрямые k 0 Зонная структура на примере Si Энергия Ферми Прямые переходы k=0 Непрямые k 0

Ширина запрещенной зоны щелочно-галоидных кристаллов Кристаллы Фториды Li. F Na. F KF Rb. F Ширина запрещенной зоны щелочно-галоидных кристаллов Кристаллы Фториды Li. F Na. F KF Rb. F Cs. F Бромиды Li. Br Eg, э. В Na. Br 6. 4 – 7. 7 Na. I 5. 8 – 5. 9 KBr 6. 0 – 8. 0 KI 5. 5 – 6. 3 Rb. Br 5. 9 – 7. 3 Rb. I 5. 6 – 6. 4 10. 9 – 14. 5 11. 4 – 12. 7 10. 3 – 11. 1 8. 5 – 10. 3 5. 8 – 10. 0 7. 5 – 8. 4 Кристаллы Eg, э. В Хлориды Li. Cl 7. 7 – 9. 9 Na. Cl 7. 4 – 10. 4 KCl 6. 3 – 9. 6 Rb. Cl 6. 1 – 8. 3 Cs. Cl - Иодиды Li. I 5. 9 – 6. 4

Влияние ограниченного размера кристалла Граничные условия Борна-Кармана: Lx = Nxa , Ly = Nya, Влияние ограниченного размера кристалла Граничные условия Борна-Кармана: Lx = Nxa , Ly = Nya, Lz = Nza, Ψ(x, y, z) =Ψ(x + Lx, y + Ly , z + Lz ) Разрешенные значения компонентов волнового вектора: Всего в зоне Бриллюэна N разрешенных состояний – квазидискретные состояния:

Статистика Ферми — Дирака ni — среднее число частиц в состоянии i, i— энергия Статистика Ферми — Дирака ni — среднее число частиц в состоянии i, i— энергия состояния i, gi — кратность вырождения состояния i (число состояний с энергией ), μ — химический потенциал (который равен энергии Ферми EF при абсолютном нуле температуры), k — постоянная Больцмана, T — абсолютная температура

Плотность состояний Фазовое пространство частицы (в т. ч. электрона): координаты x, y, z + Плотность состояний Фазовое пространство частицы (в т. ч. электрона): координаты x, y, z + импульс px, py, pz Состояние частицы определяется точкой в фазовом пространстве Ячейка фазового пространства Ф= x y z px py pz Принцип неопределенности Гейзенберга: Для одномерного движения x p ħ => p h/ x Для трехмерного пространства p= px py pz=h 3/V 0 Элементарная ячейка пространства импульсов V 0 = x y z - только одно состояние микрочастицы (с учетом спина – 2 состояния электрона) Импульс p=h k => ограниченное число состояний в зоне Брюллиэна => для каждого значения энергии ограничено число частиц =>Плотность состояний Зависит от формы зоны Бриллюэна! g(E)=d. N/d. E Для свободного электрона:

Эффективная масса электрона в кристалле Свободный электрон в однородном электрическом поле E Сила: F=-e Эффективная масса электрона в кристалле Свободный электрон в однородном электрическом поле E Сила: F=-e E Ускорение: a=F/m=-e E/m Электроны в кристалле движутся как волновой пакет. Групповая скорость =E/h Средняя скорость U=d /dk => зависит от дисперсионного закона E=f(k) Ускорение: Изменение энергии с учетом дает подставляя в выражение для ускорения получим Аналогия с законом Ньютона =>

Плотность состояний Si Плотность состояний Si