Экспериментальные методы исследования структуры кристаллов Определение строения веществ

Экспериментальные методы исследования структуры кристаллов Определение строения веществ и материалов, т. е. выяснение расположения в пространстве составляющих их структурных единиц (молекул, ионов, атомов) проводят различными методами. Количественную информацию о строении соединений в кристаллическом состоянии дают дифракционные методы: - рентгеновский структурный анализ, - электронография, - нейтронография. Они основаны на изучении углового распределения интенсивности рассеиваемого исследуемым веществом излучения - рентгеновского, потока электронов или нейтронов. . 1

В основе дифракционных методов лежит явление дифракции (когерентного рассеяния) рентгеновских лучей, электронов и нейтронов на кристаллической решетке твердых тел. Процесс поглощения энергии падающего излучения и отдачи этой энергии при испускании волны той же длины называется когерентным рассеянием. Волны, проходя через кристаллическое вещество, испытывают дифракцию, т. к. кристаллическая решетка со средними межатомными расстояниями порядка 10 -10 м является для них дифракционной решеткой. Длина волны падающего излучения при этом должна быть сравнима с этими межатомными расстояниями. 2

В настоящее время в результате систематических структурных исследований накоплен достаточно обширный материал по определению структуры самых различных веществ. Эти данные позволяют установить ряд соотношений между: - химическим составом твердого тела, - характером сил межатомного взаимодействия в нем, - пространственным расположением этих атомов, - физическими свойствами. Закономерности в строении кристаллов, установленные с помощью структурного анализа, часто оказываются настолько общими, что могут быть использованы при анализе еще не исследованных веществ. Это во многих случаях позволяет построить модели структуры, что облегчает задачу структурного исследования и сводит ее к проверке правильности той или иной модели. 3

Во всех дифракционных методах на исследуемый объект направляют монохроматический пучок и анализируют картину рассеяния. Рассеянное излучение регистрируется фотографически или с помощью счетчиков. По дифракционной картине можно в принципе восстановить атомную структуру вещества. Если дифракционная картина на пленке представляет собой набор точек, то твердое тело находится в состоянии монокристалла. Если она является набором концентрических колец (на плоскую пленку) – поликристалла. Если размытые (диффузные) кольца (гало), то тело находится в аморфном состоянии. По распределению и величине интенсивности дифракционных максимумов можно рассчитать положения атомов, т. е. определить структуру. 4

Теория, описывающая связь картины упругого рассеяния с пространственным расположением рассеивающих центров, для всех излучений рентгеновского, потока электронов или нейтронов одинакова. Однако, поскольку взаимодействие разного рода излучений с веществом имеет разную физическую природу, конкретный вид и особенности дифракционной картины определяются разными характеристиками атомов. Поэтому различные дифракционные методы дают сведения, дополняющие друга. 5

Основы теории дифракции. Плоскую монохроматическую волну с длиной волны λ и волновым вектором k 0, где | k 0| = 2π/ λ , можно рассматривать как пучок частиц с импульсом р, где |р| = h/λ; h - постоянная Планка. Амплитуда F волны (с волновым вектором k), рассеянной совокупностью из n атомов, определяется уравнением: где вектор s = (k - k 0)/ 2π, s = 2 sinθ/λ, 2θ - угол рассеяния, fj(s) - атомный фактор, или фактор атомного рассеяния, то есть функция, определяющая амплитуду рассеяния изолированным j-м атомом (или ионом); r j - его радиус-вектор. 6

Аналогичное выражение можно записать, если считать, что объект объемом V обладает непрерывной рассеивающей плотностью ρ(r): По такой же формуле рассчитывают и атомный фактор f(s); при этом ρ(r) описывает распределение рассеивающей плотности внутри атома. Значения атомного фактора специфичны для каждого вида излучения. Рентгеновское излучение возникает при взаимодействии катодных лучей (потока электронов, движущихся от анода к катоду) с веществом анода. 7

Рентгеновские лучи рассеиваются электронными оболочками атомов. Атомный фактор fр при θ = 0 численно равен числу электронов Z в атоме, если fр выражен в так называемых электронных единицах, т. е. в относительных единицах амплитуды рассеяния рентгеновского излучения одним свободным электроном. С увеличением угла рассеяния атомный фактор fр уменьшается. Рассеяние электронов определяется электростатическим потенциалом атома φ(r) (r - расстояние от центра атома). Атомный фактор для электронов fэ связан с fр соотношением: где е - заряд электрона, m - его масса. 8

Абсолютные значения fэ (~10 -8 см) значительно больше, чем fр (~10 -11 см), т. е. атом рассеивает электроны сильнее, чем рентгеновские лучи; fэ уменьшается с ростом sinθ/λ, более резко, чем fр, но зависимость fэ от Z слабее. Интенсивность дифракции электронов примерно в 106 раз больше, чем для рентгеновских лучей. Нейтроны рассеиваются ядрами атомов (фактор fн), а также благодаря взаимодействию магнитных моментов нейтронов с отличными от нуля магнитными моментами атомов (фактор fнм). Радиус действия ядерных сил очень мал (~10 -6 нм), поэтому величины fн практически не зависят от θ. Кроме того, факторы fн не зависят монотонно от атомного номера Z и, в отличие от fр и fэ, могут принимать отрицательные значения. По абсолютной величине fн ~10 -12 см. 9

Интенсивность дифракции нейтронов примерно в 100 раз меньше, чем для рентгеновского излучения. Преимущество метода в том, что с его помощью выявляется различие атомов с близкими порядковыми номерами, что трудно сделать методами рентгенографии и электронографии. Интенсивность I(s) рассеяния кристаллом пропорциональна квадрату модуля амплитуды: I(s)~|F(s)|2. Экспериментально можно определить лишь модули |F(s)|, а для построения функции рассеивающей плотности ρ(r) необходимо знать также фазы φ(s) для каждого s. Тем не менее, теория дифракционных методов позволяет по измеренным I(s) получить функцию ρ(r), т. е. определить структуру веществ. При этом лучшие результаты получают при исследовании кристаллов 10

Рентгеноструктурный анализ монокристаллов и порошков Рентгеновский структурный анализ (РСА) основан на дифракции рентгеновских лучей, проходящих через монокристалл и возникающей при взаимодействии с исследуемым образцом рентгеновского излучения длины волны около 0, 1 нм. Используют главным образом характеристическое рентгеновское излучение, источником которого служит, как правило, рентгеновская трубка. Структурный анализ обычно включает получение экспериментальных данных и их математическую обработку. Прибором для РСА служит дифрактометр, который включает источник излучения, гониометр, детектор и измерительно-управляющее устройство. 11

Гониометр служит для установки (с точностью около 13 угловых секунд) исследуемого образца и детектора в нужное для получения дифракционной картины положение. Детекторы представляют собой сцинтилляционные, пропорциональные или полупроводниковые счетчики. Измерительное устройство регистрирует (непрерывно или по точкам) интенсивность гониометр рентгеновских дифракционных. максимумов (отражений, рефлексов) в зависимости от угла дифракции - угла между падающим и дифрагированным лучами 12

С помощью РСА исследуют поликристаллические образцы и монокристаллы металлов, сплавов, минералов, жидких кристаллов, полимеров, биополимеров, различных низкомолекулярных органических и неорганических соединений. В реальном теле, на которое направлено рентгеновское излучение, огромное количество атомов и каждый из них становится источником рассеянных волн. Энергия излучения рассеивается в разных направлениях с различной интенсивностью. Вид картины рассеяния будет зависеть от сорта атомов, расстояний между ними, частоты падающего излучения и ряда других факторов. Русский ученый Вульф и англичане, отец и сын Брегги, дали простое толкование интерференции рентгеновских лучей в кристаллах, объяснив ее отражением от атомных сеток. 13

Трехмерную решетку кристалла можно рассматривать как бесконечное множество совокупностей параллельных атомных плоскостей с межплоскостным расстоянием d. Пусть на кристалл под углом скольжения q, падает параллельный пучок монохроматических лучей с длиной волны l. . Лучи отражаются от параллельного поверхности семейства плоскостей с межплоскостным расстоянием d под таким же углом q. Параллельные отраженные лучи I и II интерферируют, т. е. усиливают и ослабляют друга. 14

Если их разность хода параллельных отраженных лучей I и II Δ=(АВ+ВС)-АD равна целому числу n длин волн l, то наблюдается интерференционный максимум. Условие возникновения такого максимума можно записать в виде 2 dhklsinθ= n λ. Это соотношение носит название закона Вульфа−Брэггов. Это соотношение является следствием периодичности пространственной решетки и не связано с расположением атомов в ячейке или в узлах решетки. 15

Условия Лауэ Это условия, при которых возникают интерференционные максимумы при рассеянии излучения на узлах кристаллической решетки. Выделим в кристалле узловой ряд в направлении оси x с расстоянием между узлами а. Если на такой ряд направить под произвольным углом φ 0 пучок параллельных монохроматических лучей с длиной волны λ , то интерференционный максимум будет наблюдаться только в направлениях, для которых все отражения от узлов усиливают друга. Это будет если разность хода между падающим и рассеянным каким-либо узлом ряда лучом Δ=AC-BD будет равна целому числу длин волн: 16

Для трех некомпланарных направлений условия Лауэ имеют вид где ψ0 и χ0 − углы падения рентгеновских лучей на узловые ряды, располагающиеся вдоль направлений соответственно, а k и l − соответствующие индексы интерференции. Интерференционное уравнение Лауэ и закон Вульфа−Брэггов 17 эквивалентны другу.

Таким образом, в каждом кристалле можно выделить совокупность периодически расположенных плоскостей, которые образованы расположенными в правильном порядке атомами кристаллической решётки. Рентгеновские лучи проникают внутрь кристалла и отражаются от каждой плоскости этой совокупности. В результате возникает множество когерентных пучков рентгеновских лучей, между которыми существует разность хода. Пучки интерферируют между собой подобно тому, как интерферируют световые волны на обычной дифракционной решётке, проходя через щели. При выполнении условий Лауэ и Вульфа - Бреггов каждая совокупность периодически расположенных плоскостей дает свою систему пятен - максимумов. Расположение пятен на фотопленке полностью определяется расстоянием между плоскостями d. 18

Падающие под произвольным углом q на монокристалл рентгеновские лучи с длиной волны λ в общем случае отражаться не будут. Чтобы выполнялись условия Лауэ или закон Вульфа−Брэггов, надо подобрать или длины волн, или углы падения. На основании этого подбора были разработаны три основных метода получения дифракционной картины: - Метод Лауэ, - метод вращения монокристалла, - метод порошка (Дебая - Шеррера). 19

Метод Лауэ Немонохроматический пучок рентгеновских лучей (электронов или нейтронов) направляется на неподвижно закрепленный монокристалл. Кристалл «выбирает» те длины волн, для которых удовлетворяется условие Вульфа−Брэггов. Рассеянные лучи дают на пленке точечные рефлексы, каждому из которых соответствует своя длина волны из полихроматического спектра. Каждое пятно на лауэграмме соответствует определенной плоскости решетки. Симметрия в 20 расположении пятен отражает симметрию кристалла.

21

Метод вращения монокристалла Кристалл вращают вокруг оси, которая перпендикулярна к направлению падающего монохроматического пучка рентгеновских лучей или нейтронов. Вокруг помещена фотопленка в цилиндрической кассете. При повороте кристалла различные атомные плоскости занимают такие положения, при которых отраженные от них лучи интерферируют. 22

Плоскости, параллельные оси вращения, дадут дифракционную картину в виде точек, расположенных вдоль прямой, проходящей через центр пленки и называемой нулевой слоевой линией первого рода. Плоскости, ориентированные наклонно по отношению к оси вращения, дадут рефлексы, образующие слоевые линии, находящиеся выше и ниже нулевой. Из расстояния между слоевыми линиями первого рода можно рассчитать кратчайшее расстояние между атомами, расположенными вдоль кристаллографического направления, параллельного оси вращения кристалла. В отличие от метода Лауэ, который служит для определения элементов симметрии кристаллов, метод вращения позволяет выяснить структуру кристалла, т. е. установить форму и периоды элементарной ячейки, а в некоторых случаях, найти координаты всех базисных атомов. 23

Метод порошка (Дебая - Шеррера) Исследование порошковых (поликристаллических) материалов в монохроматическом излучении. Число зерен (кристаллитов) с совершенно произвольной ориентировкой достаточно велико. Можно считать, что они имеют все возможные ориентировки и что все ориентировки равновероятны. Падающие лучи отражаются от тех кристаллитов, которые по отношению к направлению падающего пучка оказываются ориентированы так, что выполняется условие Вульфа. Брэггов. Два способа регистрации дифракционной картины: на фотопленку (фотометод) и с помощью счетчика (дифрактометрический метод). 24

Фотометод дифракционная картина на пленке выглядит как серия концентрических окружностей. Дифрактометр регистрирует картину в виде чередования кривой фона и максимумов интерференции. Последние возникают на определенных углах положения счетчика 2 q. По измеренному значению угла рассеяния q можно рассчитать межплоскостные расстояния для любого дифракционного максимума. 25 Fe 3 O 4 а –рентген; б – нейтроны.

Поликристаллические образцы получаются в результате спекания из -мельчённого в порошок кристаллического вещества. Изготовленный таким способом образец помещается на оси камеры, на боковые стенки которой помещается фотоплёнка. При облучении монохроматическим рентгеновским излучением поликристаллического образца из -за беспорядочной ориентации кристаллических плоскостей различных его составляющих возникают конусы направлений. Дифракционная картина (дебаеграмма) имеет вид колец или полос. Ее анализ позволяет определить основные элементы структуры кристалла. 26

Набор dhkl называют паспортом кристалла. Информация о межплоскостных расстояниях различных кристаллов оформлена в виде баз данных: JCPD, MINCRYST. Зная из эксперимента для данного образца значения межплоскостных расстояний dhkl и величины относительных интенсивностей отражений Iотн, можно во многих случаях установить тип вещества или его фазу. После получения дифракционной картины делается предположение о типе кристаллической структуры, определяются значения индексов полученных отражений, размеры элементарной ячейки, если известны химический состав и плотность материала, рассчитывают количество атомов в элементарной ячейке. По интегральной интенсивности дифракционных линий можно установить расположение атомов в элементарной ячейке. 27

В случае поликристаллических образцов структуру устанавливают методом проб и ошибок: к заранее известному или предполагаемому каркасу атомной структуры (например, содержащему только "тяжелые" атомы) добавляют неизвестные ранее детали и рассчитывают интенсивности максимумов, которые сравнивают затем с экспериментально полученными значениями. С помощью РСА исследуют поликристаллические образцы и монокристаллы металлов, сплавов, минералов, жидких кристаллов, полимеров, биополимеров, различных низкомолекулярных органических и неорганических соединений. 28

При изучении монокристалла (чаще всего в виде шарика диаметром 0, 1 -0, 3 мм) первым этапом определения структуры является индицирование, т. е. установление индексов (h k l) всех отражений, наблюдающихся на дифракционной картине данного кристалла. Процесс индицирования основан на том, что значения межплоскостных расстояний dhkl связаны со значениями периодов (a, b, c) и углов (α, β, γ) элементарной ячейки вполне определенными соотношениями (квадратичными формами). После проведения индицирования проводится определение периодов элементарной ячейки. По закономерному отсутствию некоторых отражений судят о пространственной группе симметрии кристалла. . 29

Индицирование дифракционной картины и определение периодов кристаллической решетки являются начальными этапами установления атомной структуры кристаллов, т. е. нахождения взаимного расположения атомов в элементарной ячейке Определение атомной структуры основано на анализе интенсивностей дифракционных максимумов. Интенсивность отражений I(h k l) пропорциональна квадрату модуля структурной амплитуды F(h k l), величина которой определяется значениями координат атомов в ячейке кристалла. По интенсивности отражений рассчитывают абсолютные значения структурных амплитуд F(h k l). Анализ структурных амплитуд позволяет определить 30 тип решетки Бравэ.

Интенсивности дифракционных лучей I(h k l) связаны с координатами атомов xj, yj, zj в элементарной ячейке соотношениями: где F(h k l)-коэффициенты Фурье, которые в РСА называют структурными амплитудами, Ккоэффициент пропорциональности, φ(h k l)-начальная фаза дифракционного луча, fj - фактор атомного рассеяния j-го атома; h, k, l - целые числа, характеризующие расположение граней и соответствующих им атомных плоскостей в кристалле (индексы дифракционных лучей); N- общее число атомов в элементарной ячейке; i=√-1. 31

Величину |F(h k l)| можно непосредственно вычислить из I(h k l), но значение φ(h k l) при этом остается неизвестным (проблема начальных фаз). Фазы структурных амплитуд (т. е. сдвиг фазы отраженной волны по отношению к падающей) в общем случае непосредственно из эксперимента определить нельзя. Существуют методы решения проблемы начальных фаз: - метод Паттерсона, используют при расшифровке структур соединений, содержащих наряду с легкими (Н, С, N, О) тяжелые атомы металлов, координаты которых определяют в первую очередь. Координаты легких атомов в элементарной ячейке устанавливают, рассчитывая распределение электронной плотности ρ(x, y, z). 32

Функцию электронной плотности представляют в виде ряда ρ(x, y, z) Фурье: где h, k, l - индексы отражающей плоскости, Fhkl = |Fhkl|exp[iφhkl] соответствующая структурная амплитуда рассеянного излучения, φhkl - ее фаза. Электронная плотность есть плотность вероятности распределения электронов в атоме, молекуле, кристалле. Для построения функции ρ(х, у, z) используют экспериментально определяемые величины |Fhkl|. Обработка экспериментальных данных позволяет восстанавливать структуру в виде карт распределения рассеивающей плотности. Положения максимумов функции ρ(x, y, z) отождествляют с положением атомов, а по форме максимумов судят о 33 тепловых колебаниях атомов.

После определения общего характера кристаллической структуры производят ее уточнение путем последовательных приближений значений теоретически рассчитанных структурных амплитуд к экспериментально определенным. Так уточняют, в частности координаты атомов (xj, yj, zj) и константы их тепловых колебаний. Критерий правильности определения структуры - фактор расходимости R. R = 0, 05 : 0, 04 структура определена с хорошей точностью, R ≤ 0, 02 -прецизионно. 34

Атомную структуру представляют в виде набора координат атомов и параметров их тепловых колебаний. Из этих данных можно вычислить межатомные расстояния и валентные утлы с погрешностью 10 -3 - 10 -4 нм и 0, 2 -2° соответственно. Это позволяет более точно установить химический состав кристалла, тип возможных изоморфных замещений (достоверность и точность при этом зависит от атомного номера элемента), характер тепловых колебаний атомов и т. д. 35

Благодаря прецизионной обработке экспериментальных данных можно исследовать распределение электронной плотности между атомами. Для этого строят функцию деформационной электронной плотности, описывающую перераспределение электронов в атомах при образовании химической связи между ними. Анализ функции деформационной электронной плотности позволяет установить степень переноса заряда, ковалентность связи, пространственное расположение неподеленных пар электронов и т. д. 36

Метод рентгеноструктурного анализа (РСА) позволяет устанавливать: - стереохимические и кристаллохимические закономерности строения химических соединений различных классов, - корреляции между структурными характеристиками вещества и его физико-химическими свойствами, - получать исходные данные для углубленной разработки теории химической связи и изучения химических реакций, - анализировать тепловые колебания атомов в кристаллах, - исследовать распределение электронной плотности в кристаллах. 37

Электронография Исследования атомной структуры кристаллов можно проводить также методами, основанными на дифракции электронов. Электронография как метод изучения структуры кристаллов имеет следующие особенности: 1) взаимодействие вещества с электронами намного сильнее, чем с рентгеновскими лучами, поэтому дифракция происходит в тонких слоях толщиной 1 -100 нм; 2) fэ зависит от атомного номера слабее, чем fр, что позволяет проще определять положение легких атомов в присутствии тяжелых; 3) благодаря тому, что длина волны обычно используемых быстрых электронов с энергией 50 -300 кэ. В составляет около 5. 10 -3 нм, геометрическая интерпретация электронограмм существенно проще. 38

Структурная электронография широко применяется для исследования тонкодисперсных объектов, а также для изучения разного рода текстур (глинистые минералы, пленки полупроводников и т. п. ). Дифракция электронов низких энергий (10 -300 э. В, λ 0, 10, 4 нм) - эффективный метод исследования поверхностей кристаллов: расположения атомов, характера их тепловых колебаний и т. д. Основным является метод на просвет, при этом используют дифракцию электронов высоких энергий (50 -300 кэ. В, что соответствует длине волны около 5 -10 -3 нм). 39

Электронографию проводят в специальных приборах электронографах, в которых поддерживается вакуум 105 -10 -6 Па, время экспозиции около 1 с, или в трансмиссионных электронных микроскопах. Образцы для исследований готовят в виде тонких пленок толщиной 10 -50 нм, осаждая кристаллическое вещество из растворов или суспензий, либо получая пленки вакуумным распылением. Образцы представляют собой мозаичный монокристалл, текстуру или поликристалл. Дифракционная картина - электронограмма - возникает в результате прохождения начального монохроматического пучка электронов через образец и представляет собой совокупность упорядоченно расположенных дифракционных пятен - рефлексов, которые определяются расположением атомов в исследуемом объекте. 40

Рефлексы характеризуются межплоскостными расстояниями d hkl в кристалле и интенсивностью I hkl, где h, k и l - миллеровские индексы. По величинам и по расположению рефлексов определяют элементарную ячейку кристалла. Используя данные по интенсивности рефлексов, можно определить атомную структуру кристалла. Методы расчета атомной структуры близки к применяемым в рентгеновском структурном анализе. Расчеты, обычно проводимые на ЭВМ, позволяют установить координаты атомов, расстояния между ними и т. д. Электронография позволяет: - проводить фазовый анализ вещества, - изучать фазовые переходы в образцах и устанавливать геометрические соотношения между возникающими фазами, 41 - исследовать полиморфизм.

Методом электронографии исследованы структуры ионных кристаллов, кристаллогидратов, оксидов, карбидов и нитридов металлов, полупроводниковых соединений, органических веществ, полимеров, белков, различных минералов (в частности, слоистых силикатов) и др. При изучении массивных образцов используют дифракцию электронов на отражение, когда падающий пучок как бы скользит по поверхности образца, проникая на глубину 5 -50 нм. Дифракционная картина в этом случае отражает структуру поверхности. Так можно изучать явления адсорбции, эпитаксию, процессы окисления и т. п. 42

Если кристалл обладает атомной структурой, близкой к идеальной, и дифракция на просвет или на отражение происходит на глубине ~ 50 нм или более, то получается дифракционная картина, на основании которой можно делать выводы о совершенстве структуры. При использовании электронов низких энергий (10300 э. В) проникновение идет на глубину всего в 1 -2 атомных слоя. По интенсивности отраженных пучков можно установить строение поверхностной атомной решетки кристаллов. Этим методом установлено отличие поверхностной структуры кристаллов Ge, Si, Ga. As, Mo, Au и других от внутренней структуры, т. е. наличие поверхностной сверхструктуры. Так, например, для Si на грани (111) образуется структура, обозначаемая 7 x 7, т. е. период поверхностной решетки в этом случае превышает период внутренней атомной структуры в 7 раз. 43

Электронная микроскопия Электронографию часто комбинируют с электронной микроскопией высокого разрешения, позволяющей получать прямое изображение атомной решетки кристалла. Изображение объекта восстанавливается по дифракционной картине и позволяет изучать структуру кристаллов с разрешением 0, 2 -0, 5 нм. Электронная микроскопия представляет собой совокупность электронно-зондовых методов исследования микроструктуры твердых тел, их локального состава и микрополей (электрических, магнитных и др. ). Для этого используют электронные микроскопы - приборы, в которых для получения увеличенных изображений используют электронный пучок. 44

Различают два главных направления электронной микроскопии: трансмиссионную (просвечивающую) и растровую (сканирующую). Они дают качественно различную информацию об объекте исследования и часто применяются совместно. В электронных микроскопах электронный луч направленный пучок ускоренных электронов, применяется для просвечивания образцов или возбуждения в них вторичных излучений (например, рентгеновского). Между электродами электронной пушки создается ускоряющее напряжение, определяющее кинетическую энергию электронного луча. Наименьшее расстояние между двумя элементами микроструктуры, видимыми на изображении раздельно называется разрешающей способностью (разрешением). Оно зависит от характеристик электронных микроскопов, режима работы и свойств образцов. 45

Трансмиссионная микроскопия реализуется с помощью трансмиссионных (просвечивающих) электронных микроскопов, в которых тонкопленочный объект просвечивается пучком ускоренных электронов с энергией 50 -200 кэ. В. Электроны, отклоненные атомами объекта на малые углы и прошедшие сквозь него с небольшими энергетическими потерями, попадают в систему магнитных линз, которые формируют на люминесцентном экране (и на фотопленке) светлопольное изображение внутренней структуры. 46

Светлопольное изображение - увеличенное изображение микро-структуры, сформированное электронами, прошедшими через объект с малыми энергетическими потерями. Структура изображается на экране электроннолучевой трубки темными линиями и пятнами на светлом фоне. При этом удается достичь разрешения порядка 0, 1 нм (увеличение до 1, 5 х 106 раз). Трансмиссионная микроскопия обеспечивает также получение дифракционных картин (электронограмм), позволяющих судить о кристаллической структуре объектов и точно измерять параметры кристаллических решеток. В сочетании с непосредственными наблюдениями кристаллических решеток в высокоразрешающих трансмиссионных электронных микроскопах данный метод - одно из основных средств 47 исследования ультратонкой структуры твердого тела.

При дифракции в электронном микроскопе применяют другие специальные методы, например метод сходящегося пучка и нанодифракции тонкого луча. В первом случае получают дифракционные картины, по которым можно определять симметрию (пространственную группу) исследуемого кристалла. Второй метод дает возможность изучать мельчайшие кристаллы (неск. нм). Сканирующий электронный микроскоп 48