Экскурсии 11 ноября четверг 10 00 Шкляев Александр

Зарегистрируйтесь, чтобы просмотреть полный документ!

Экскурсии 11 ноября (четверг): 10: 00 Шкляев Александр Андреевич, вакуумный сканирующий туннельный микроскоп (СТМ). НОК НГУ, к. 34 15: 00 Погосов Артур Григорьевич, транспорт в низкоразмерных структурах. ЛТК (сбор в фойе ЛТК)

Поверхностные и контактные явления в полупроводниках 1. Поверхность металлов и полупроводников • • Атомная структура поверхности кристалла Барьер для электронов на поверхности. Работа выхода. Поверхностные электронные состояния. Изгиб зон, распределение заряда, поля и и потенциала вблизи поверхности. 2. Контакт металл-полупроводник (барьер Шоттки) • Энергетическая диаграмма • Вольт-амперная характеристика 3. Электрон-дырочный (p-n) переход • Энергетическая диаграмма • Вольт-амперная характеристика • Инжекция неосновных носителей заряда • Емкость p-n перехода

Атомно-гладкая поверхность a 0 – постоянная решетки; – угол разориентации относительно сингулярной грани; tg =a 0 /b, b – ширина террас Вид сверху: Прямолинейные ступени (разориентация в направлении [10]) [01] [10]

Как приготовить поверхность с атомно-гладкими террасами, разделенными моноатомными ступенями? Нагреть до высокой температуры – позволить атомам диффундировать! 3 мкм Изображения поверхности Ga. As, полученные атомно-силовым микроскопом до и после нагрева в равновесных условиях T=575 C 2 часа T=650 C 2 часа Исходная поверхность V. L. Alperovich, I. O. Akhundov, N. S. Rudaya, D. V. Sheglov, E. E. Rodyakina, A. V. Latyshev, and A. S. Terekhov, Appl. Phys. Lett. 94, 101908 (2009)

Атомная структура поверхности Ga. As(001) Структура Ga. As(001) 1. Симметрия поверхности Ga. As(001) ниже, чем объёма: в объёме есть ось 4 порядка, а на поверхности – только 2 порядка. 2. Соседние пары атомов на поверхности (001) взаимно насыщают «болтающиеся» орбитали и образуют димеры. 3. Образуются сложные реконструкции (m x n), где числа m и n – кратности увеличения периода поверхностной ячейки по отношению к объемной. Вид сверху

Атомная структура поверхности Ga. As(001) Нереконструированная поверхность Реконструированная поверхность Ga. As(001), вид сверху на плоскость (001) Ga. As(001)-(2 x 4)/c(2 x 8) димер

Атомные реконструкции поверхности Ga. As(001) картины дифракции электронов As-rich (1 x 1) Ga-rich (2 x 4)/c(2 x 8) 420°С (4 x 2)/c(8 x 2) (3 x 6)/(2 x 6) 480°С 550°С (4 x 6) 580°С O. E. Tereshchenko, S. I. Chikichev, A. S. Terekhov, J. Vac. Sci. Tech. A 17 (1999) Увеличение периода поверхностной кристаллической ячейки соответствует уменьшению периода обратной решетки (и уменьшению расстояния между дифракционными рефлексами)