Скачать презентацию Е Зонная диаграмма Диэлектрик Зона проводимости Е Запрещенная Скачать презентацию Е Зонная диаграмма Диэлектрик Зона проводимости Е Запрещенная

Prezentatsia_FOE_1.pptx

  • Количество слайдов: 10

Е Зонная диаграмма. Диэлектрик Зона проводимости Е Запрещенная зона Диэлектрики – это вещества, которые Е Зонная диаграмма. Диэлектрик Зона проводимости Е Запрещенная зона Диэлектрики – это вещества, которые существенно препятствуют протеканию через них электрического тока ввиду высокого удельного сопротивления, превышающего 108 Ом/м. и шириной запрещенной зоны Е > 5 ЭВ Валентная зона X

Е Зонная диаграмма. Металл Проводники – это материалы, которые почти не препятствуют протеканию по Е Зонная диаграмма. Металл Проводники – это материалы, которые почти не препятствуют протеканию по ним электрического тока благодаря низкому удельному сопротивлению, обычно не превышающему 10– 5 Ом/м. Зона проводимости пересекается с валентной зоной Зона проводимости Валентная зона X

Е Зонная диаграмма. Полупроводники – это вещества, удельное сопротивление которых зависит от внешних условий, Е Зонная диаграмма. Полупроводники – это вещества, удельное сопротивление которых зависит от внешних условий, например, изменений температуры, интенсивности облучения световым потоком и т. д. Полупроводники меняют удельное сопротивление от уровня проводников до уровня диэлектриков. Зона проводимости Е Запрещенная зона Валентная зона X

Период 2 3 4 5 6 IIIa B Бор AL Аллюминий Ga Галлий In Период 2 3 4 5 6 IIIa B Бор AL Аллюминий Ga Галлий In Индий Tl Таллий IVa C Углерод Si Кремний Ge Германий Sn Олово Pb Свинец Группа Va N азот P Фосфор As Мышьяк Sb Сурьма Bi Висмут VIa O Кислород S Сера Se Селен Te Теллур Po Полоний VIIa F Фтор CL Хлор Br Бром I Йод At Астат

Диффузия - проникновение атомов паров примесей во внутрь кристаллов полупроводников, нагретых до (950 °… Диффузия - проникновение атомов паров примесей во внутрь кристаллов полупроводников, нагретых до (950 °… 1200 °)C, причем концентрация примесей наиболее высока на поверхности, а наиболее низка в глубине кристаллов. Сплавление (Легирование) - наложении таблетки легирующего вещества на кристалл полупроводника и нагрев их до температуры взаимного сплавления (проникновения) легирующего материала и полупроводника. Эпитаксия – выращивание пленки одного полупроводника на кристалле (подложке) другого полупроводника. Подложку выполняют из полупроводника с кристаллической решеткой, похожей на кристаллическую решѐтку наращиваемого полупроводника. Если выращиваемый полупроводник и полупроводник подложки – это химически одно и то же вещество, то процесс называют гомоэпитаксией, а если они различны – то гетероэпитаксией. Ионное легирование - внедрение в кристалл полупроводника ионов примеси, разогнанных в вакууме и направленных на поверхность полупроводника.

Е ЕC D Е A ЕV X Е ЕC D Е A ЕV X