ДОБРО ПОЖАЛОВАТЬ В БЕЛАРУСЬ Государственное устройство: президентская республика Столица: г. Минск Население: 9, 848 млн. человек Язык: русский, белорусский Территория: 207, 6 тыс. кв. км. Валюта: белорусский рубль Время: GMT + 2
О ПРЕДПРИЯТИИ Филиал «Транзистор» , входящий в состав ОАО «Интеграл» , крупный производитель полупроводниковых приборов и интегральных микросхем многолетний опыт производства электронных компонентов полный технологический цикл изготовления продукции наличие собственного дизайн-центра минимальные сроки разработки и освоения новых изделий собственная база по испытаниям приборов менеджмент качества соответствует требованиям ISO 9001 -2001
ИСТОРИЯ ФИЛИАЛА 1962 г. Постановлением ЦК КПСС и СМ СССР от 29. 09. 1962 г. № 1000 -425 был образован Минский ламповый завод, который распоряжением СМ СССР от 19. 02. 1966 г. № 318 -рс передан в распоряжение Министерства электронной промышленности СССР и получил название Минский завод «Транзистор» . 1967 г. Освоение производства германиевых высокочастотных транзисторов ГТ 322, П 401 -416, ГТ 308, изготавливаемых по сплавно-диффузионной технологии. 1971 г. Начало серийного производства кремниевых, эпитаксиально-планарных высокочастотных переключающих транзисторов средней мощности с повышенным быстродействием. 1973 г. Начало производства мощных СВЧ-транзисторов для работы в диапазоне частот 1 — 5 ГГц. 1983 г. Освоение производства БИС, СБИС, изготавливаемых по КМОП-технологии. 1993 г. Освоение производства интегральных микросхем, изготавливаемых по биполярной технологии.
ИСТОРИЯ ФИЛИАЛА 1996 г. Произведено 6, 4 миллиона интегральных микросхем и 149, 6 миллиона полупроводниковых приборов. Освоение производства полевых транзисторов, изготавливаемых по ДМОП-технологии 1999 г. УП «Завод Транзистор» успешно прошёл аттестацию на соответствие системы менеджмента качества требованиям ISO 9002 2003 г. Освоение производства диодов с барьером 2005 г. Освоение технологии производства мощных биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 2005 -2006 гг. Освоение производства гаммы интегральных стабилизаторов с фиксированным и регулируемым выходным напряжением, низким остаточным напряжением и током нагрузки от 250 м. А до 10 А. Предприятие приступило к отработке техпроцесса изготовления тиристоров. . 2010 г. Открытым акционерным обществом «ИНТЕГРАЛ» на базе УП «Завод Транзистор» создано обособленное структурное подразделение – Филиал «Транзистор» .
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ Филиал «Транзистор» представляет собой: производство полупроводниковых приборов (сборочное производство) производство полупроводниковых кристаллов интегральных схем, транзисторов, диодных сборок и т. д. производство кремниевых пластин и эпитаксиальных структур производство нестандартного специального технологического оборудования, специальной технологической оснастки энергетическое производство испытательный центр
НАПРАВЛЕНИЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ è РАЗРАБОТКА ПОЛУПРОВОДНИКО ВЫХ ПРИБОРОВ И ИМС è ПРОИЗВОДСТВО ПОЛУПРОВОДНИКО ВЫХ ПРИБОРОВ И ИМС è ФАУНДРИ ПРОИЗВОДСТВО è ПРОИЗВОДСТВО ПЛАСТИН
СТРУКТУРА ФИЛИАЛА Централизованные службы ОАО «ИНТЕГРАЛ» обеспечивающие производство Филиала Директор Филиала Главный инженер Конструкторские и технологические службы Зам. директора по производству Управление энергетики и подготовки производства Производственные службы и цеха Служба качества
СТРУКТУРА ФИЛИАЛА Списочная численность работников составляет 2245 чел. , в том числе: Дирекция Производство № 1 Производство № 2 Производство № 3 Производство № 4 Управление качеством Управление энергетики Конструкторские и технологические службы Подготовка производства и прочие 5 чел. 393 чел. 184 чел. 578 чел. 301 чел. 148 чел. 257 чел. 123 чел. 256 чел.
СИСТЕМА КАЧЕСТВА Сертификация СМК предприятия подтверждена сертификатами № ВУ/112. 05. 0. 0. 0013 в Национальной системе подтверждения соответствия РБ № QMS-00006 в Немецкой системе аккредитации TGA № СВ. 01. 431. 0150 в системе добровольной сертификации «Военэлектронсерт» Минобороны России Экологический сертификат соответствия СТБ ИСО 14001 -2005
МОЩНОСТИ КРИСТАЛЬНОЕ ПРОИЗВОДСТВО, класс 100 Производство кристаллов Производство эпитаксиальных структур Производство пластин Ø 100, 76, 60 – 460 тыс. пластин в год – 310 тыс. пластин в год – 630 тыс. пластин в год СБОРОЧНОЕ ПРОИЗВОДСТВО, класс 10 000 Сборка в корпуса – 85 млн. шт. в год
КРИСТАЛЬНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ ДМОП-технология с 1, 5 мкм проектными нормами изготовления вертикальных мощных МОП-транзисторов с Uси = 60… 800 В Эпитаксиально-планарная технология изготовления кремниевых полупроводниковых приборов, в том числе мощных высоковольтных транзисторов с Uкб ≤ 1500 В КМОП-технология изготовления БИС, СБИС с 1, 5 мкм проектными нормами и двухуровневой разводкой Биполярная эпитаксиальная технология изготовления интегральных схем с 1, 5 мкм проектными нормами и двухуровневой разводкой Технология изготовления биполярных транзисторов с изолированным затвором Диодов Шоттки с Uмах до 200 В
СБОРОЧНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ дисковая и проволочная резка пластин на кристаллы эвтектическая напайка кристаллов на рамку Au / Ag пайка кристаллов на медную рамку с использованием припойной прокладки в среде формиргаза термокомпрессионная сварка Au проволокой Ø 25 – 40 мкм ультразвуковая сварка Al проволокой Ø 27 – 250 мкм герметизация прессматериалами тестирование электропараметров лазерная маркировка
ПРОДУКЦИЯ С ПРИЕМКОЙ «ОТК» , «ВП» и «ОСМ» Диоды и варикапы Биполярные и полевые транзисторы IGBT транзисторы Тиристоры и триаки Интегральные микросхемы
ПРИЕМКА «ОТК» Транзисторы биполярные и полевые IGBT транзисторы Тиристоры и триаки Диоды, варикапы и матрицы Диоды Зенера Диоды Шоттки Выпрямительные диоды Импульсные диодные матрицы Мощные диоды и матрицы СВЧ Диоды Интегральные схемы Автоэлектроника Вольт-детекторы Генераторы мелодии ИС для телевидения ИС для телефонии КМОП ОЗУ МП БИС для ЭВМ Таймеры Микропроцессоры Источники опорного напряжения Стабилизаторы напряжения
ПРИЕМКА «ВП» и «ОСМ» Интегральные схемы Логика ТТЛ Логика КМОП ОЗУ ПЗУ Микропроцессоры Таймеры Источники опорного напряжения ШИМ контроллеры Стабилизаторы напряжения Полупроводниковые приборы IGBT транзисторы Полевые транзисторы Биполярные транзисторы Диоды Шоттки Импульсные диодные матрицы
НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ Силовая электроника и аналоговые ИМС (разработка и производство) ИМС маломощных стабилизаторов напряжения с низким напряжением насыщения (серия IL 5219 -xx) ИМС стабилизаторов напряжения положительной полярности с низким напряжением насыщения и током нагрузки 1. 0 А – 5. 0 А (серии IL 1117 AК 4 -XX, IL 1084 Т 3 -хх, IL 1085 Т 3 -хх, IL 1950 -xx) ИМС DC-DC преобразования напряжения (серии IL 4519, IL 2576, IL 1509) ИМС контроллера тока и напряжения для зарядных устройств (IL 1052) ИМС для электроподжига газовых плит (аналог FLC 01 -200 B) ИМС стабилизаторов напряжения положительной полярности с Io=100 м. А с защитой от статического электричества ИМС драйверов управления светодиодами и светодиодными матрицами ИМС регулируемых стабилитронов IL 431 LT, IL 432 LT с защитой от статического электричества
НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ Дискретные полупроводниковые приборы (разработка и производство) высокотемпературных диодов Шоттки и диодов Шоттки устойчивых к статическому электричеству тиристоров и триаков Разработка и освоение в производстве п/п приборов для автоэлектроники мощных биполярных транзисторов для автоэлектроники мощных диодов для автоэлектроники
НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ Изделия специального назначения (разработка и производство) биполярных и МОП транзисторов, диодов Шоттки малой мощности с приемкой ПЗ в корпусах КТ-99 -1 и SOT-23 МОП транзисторов с приемкой ПЗ в металлокерамических корпусах ТО 254/ ТО-258 для использования в специализированных устройствах типа преобразователей напряжения, источников вторичного питания и другой преобразовательной аппаратуре серии стабилизаторов напряжения положительной с низким остаточным напряжением (аналог IL 1117 A-XX) с приемкой ПЗ в корпусе КТ-99 -1
РАЗВИТИЕ ТЕХНОЛОГИЙ КРИСТАЛЬНОЕ ПРОИЗВОДСТВО разработка и освоение в производстве технологических процессов изготовления тиристоров и триаков малой и средней мощности высоковольтных тиристоров с напряжением до 1600 В разработка и освоение в производстве технологического процесса изготовления диодов Шоттки с расширенным температурным диапазоном разработка и освоение в производстве технологии изготовления диодов Шоттки с обратными напряжениями 60 В-100 В, устойчивых к воздействию РСЭ до 14 к. В переоснащение участка эпитаксии и разработка процессов эпитаксии на новом оборудовании доработка и внедрение техпроцесса формирования щелевой изоляции для изготовления биполярных ИС
РАЗВИТИЕ ТЕХНОЛОГИЙ СБОРОЧНОЕ ПРОИЗВОДСТВО разработка и освоение технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем в корпусах для поверхностного монтажа DPAK, D 2 PAK, КТ-99 -1 и металлокерамических корпусах ТО-254 А, ТО-258 разработка и освоение технологии сборки полупроводниковых приборов и ИМС, исключающей применение свинца
УСЛУГИ ФАУНДРИ Возможность размещения в производстве фаундри-заказов изготовление эпитаксиальных структур производство пластин с кристаллами, включая контроль функционирования или разделенных кристаллов полный цикл производства интегральных схем и полупроводниковых приборов (изготовление кристаллов и сборка) сборка (корпусирование) интегральных схем и полупроводниковых приборов с использованием кристаллов, предоставленных заказчиком
УСЛУГИ ИСПЫТАНИЙ на воздействие пониженного давления в диапазоне давлений до 0, 01 мм. рт. ст (объем камеры 0, 2 куб. м. ; диапазон температур от +40 ºС до +155 ºС, возможна подача электрического режима на испытуемые изделия) на вибропрочность (синусоидальная вибрация, макс. ускорение до 45 g, диапазон частот от 5 Гц до 5000 Гц, номинальное усилие СИНУС 1000 Н) на воздействие циклов мощности для мощных полевых и биполярных транзисторов в корпусах КТ-9, КТ-28, КТ-43, SMD, D 2 PAK по ГОСТ В 28146 (диапазон режимов: ток от 0, 1 А до 5 А, напряжение от 0 до 20 В, время цикла не более 15 минут, максимальная мощность на транзисторе не более 15 Вт, принудительное воздушное охлаждение транзисторов без теплоотвода)
СОПУТСТВУЮЩИЕ УСЛУГИ изготовление рамок выводных для сборки транзисторов и интегральных микросхем изготовление кремниевых пластин (Ø 76, 100 мм) высокотемпературная обработка кварцевого стекла услуги по проектированию с использованием программного комплекса Auto. CAD изготовление оснастки (в том числе штампов, пресс-форм и другой технологической оснастки) штамповка деталей на кривошипных прессах (усилие до 20 тонн) продажа деионизованной воды
ГДЕ МЫ РАБОТАЕМ Китай Ю. Корея Тайвань Сингапур Россия и СНГ Болгария Великобритания Индия Италия Латвия Литва Польша Испания Германия ЮАР
ТОВАРОПРОВОДЯЩАЯ СЕТЬ Россия (г. Москва) ООО «С-Компонент» (дилер) ООО "Дон-сервис“ ЗАО «Росспецпоставка» ЗАО «Спец-электронкомплект» ЗАО «ПКК Миландр» ЗАО «Радиант-Элком» ЗАО «Экситон» Россия (г. Санкт-Петербург) СП ЗАО «Интеграл СПб» Украина (г. Харьков) ООО «Предприятие Эксим» (АКИК-Восток ЭК) второй поставщик в системе «Военэлектронсерт»
СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ ! ВАШИ ВОПРОСЫ … Беларусь, г. Минск, ул. Корженевского, 16 Тел. : +375 -17 212 -59 -32 Факс: +375 -17 212 -59 -32 E-mail: market@transistor. com. by http: //www. transistor. by
Скачать презентацию ДОБРО ПОЖАЛОВАТЬ В БЕЛАРУСЬ Государственное устройство президентская республика
a5beb83bca61f8ad9179ea1220b7df30.ppt