Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Лекция 7 Цифровые ключи на биполярных транзисторах Схемотехника, принципы работы, параметры и характеристики Надо много учиться, чтобы знать хоть немного. Монтескье 1 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Ключевые схемы 2 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Ключ на биполярном транзисторе (насыщенный) IБнас>IК/h 21 Э =IБгр q. НАС=IБнас/IБгр 3 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Начальный участок ВАХ биполярного транзистора Iк 0. 1 IКнас (транзистор выключен) Режим пассивного запирания: 0

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Ключ на биполярном транзисторе (насыщенный) URу=RУIК 0 UБЭзап=Uзап-IК 0 RУ Режим глубокой отсечки: UБЭ<0 IБ=-IК 0 RУ

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Зависимость тока базы от параметров транзистора CЭ(d. UБЭ/dt)+CК(d. UБК/dt)+d. QБ/dt+QБ/ Б=IБ QБ/ Б – рекомбинационная составляющая d. QБ/dt - составляющая , связанная с изменением пространственного заряда базы CЭ(d. UБЭ/dt)<

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Входная характеристика 7 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Передаточная характеристика 8 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Выходная характеристика 9 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Выходная характеристика Высокий уровень выходного напряжения IK=0 IRk=Iвых Iвых=(Eп-Uвых)/RК IК=IRк+Iвых Для низкого уровня выходного напряжения Iб=Iб. Н 10 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Диаграммы включения транзистора 11 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Процессы включения транзистора t

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Процессы включения транзистора Интервал формирования фронта коллекторного тока ( t 1 -t 2) t. Ф d. QБ/dt+QБ/ Б=Iбнас QБ (t=t 0)=0 Iбнас=IКнас/h 21 Э QБ(t)=IБнас Б(1 -e-t/ Б) IКнас=QБгр/ Б Б=h 21 Э/2 fa 13 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Процессы включения транзистора Интервал накопления избыточного заряда в базе (t 2 -t 3) tнак QБнас=IБнас нак tнак (2… 3) нак 14 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Диаграммы выключения транзистора 15 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Процессы выключения транзистора Интервал рассасывания избыточного заряда базы (t 0 -t 1) tрас QБнас=IБнас нак QБгр=IКнас нак/ h 21 Э IБ=IБнас-IБзап IБзап=(Uзап+UБЭ)/(Rу+r. Б) 16 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Процессы выключения транзистора Интервал формирования спада коллекторного тока (t 1 -t 2) tсп t. СП= Бln(IКнас/h 21 Э-IБзап)/(-IБзап) Интервал установления стационарного закрытого состояния (t 2 -t 3) tуст 17 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Входной и выходной сигналы 18 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Ненасыщенный биполярный ключ 19 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Ненасыщенный биполярный ключ Входная характеристика UК

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Ненасыщенный биполярный ключ Передаточная характеристика 21 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Ненасыщенный биполярный ключ Выходная характеристика 22 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Эйнштейн, остриженный "под ноль", может считаться Эйнштейном только относительно. Виктор Шендерович 23 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354