Биполярные транзисторы Весна 2016 Лекция 3 Биполярные транзисторы 1. Структура, принцип работы 2. 2. Характеристики 3. 3. Схемы включения Мудр — кто знает нужное, а не многое. Эсхил 1 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Первый транзистор
Первый транзистор 23 декабря 1947 года — американские физики Уильям Шокли (William Shockley), Джон Бардин (John Bardeen) и Уолтер Браттейн (Walter Brattain). В 1956 году - Нобелевская премия в области физики. Название «транзистор» придумал их коллега Джон Пирс (John R. Pierce). Слово transistor образовано путем соединения двух терминов: transconductance (активная межэлектродная проводимость) и variable resistor или varistor (переменное сопротивление, варистор).
Биполярные транзисторы Весна 2016 Биполярные транзисторы 4 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Транзистор n-p-n типа Схема распределения токов Эмиттер База Коллектор 5 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Взаимосвязь токов (1) - коэффициент передачи тока эмиттера =0, 95. . . 0, 99 Выходной ток транзистора: (2) IКБ 0 - обратный ток 6 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Ток в выводе базы: (3) С учетом (1): (4) Поскольку IЭ>>IКБ 0 , то (5) 7 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Ток базы: (6) С учетом (5): или: 8 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Отсюда: (7) (8) - динамический коэффициент передачи тока базы 9 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Уменьшение коэффициентов и с увеличением частоты 10 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Режимы работы транзисторов Нормальный (активный) режим – эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный – в обратном. Инверсный режим – коллекторный переход смещен в прямом направлении, эмиттерный – в обратном. 11 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Режимы работы транзисторов Режим отсечки – оба перехода транзистора смещены в обратном направлении. IК=IКБ 0 IЭ 0 IБ -IКБ 0 Режим насыщения – оба перехода транзистора смещены в прямом направлении. IKmax< IЭ 12 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Параметры, характеризующие транзистор как усилительный элемент Коэффициенты усиления: -по току k. I= IВЫХ/ IВХ -по напряжению k. U= UВЫХ/ U ВХ -по мощности k. P=k. I/k. U= PВЫХ/ PВХ -входное сопротивление RВХ=UВХ/IВХ - выходное сопротивление RВЫХ= UВЫХ/ IВЫХ 13 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Схемы включения транзисторов Схема с общей базой (ОБ) 14 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Схемы включения транзисторов Схема с общей базой (ОБ) k. Uб » 1, так как RН » RВХб 15 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Характеристики транзисторов Выходные характеристики IК=f(UКБ) схема с ОБ n-p-n 16 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Характеристики транзисторов Выходные характеристики IК=f(UКБ) p-n-p схема с ОБ 17 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Характеристики транзисторов Входные характеристики IЭ=f(UЭБ) n-p-n схема с ОБ p-n-p 18 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Схемы включения транзисторов Схема с общим эмиттером (ОЭ) 19 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 n-p-n
Биполярные транзисторы Весна 2016 Схемы включения транзисторов Схема с общим эмиттером (ОЭ) k. Uэ » 1, так как RН » RВХб 20 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Характеристики транзисторов Выходные характеристики IК=f(UКЭ) n-p-n схема с ОЭ p-n-p 21 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Характеристики транзисторов Входные характеристики IБ=f(UБЭ) n-p-n схема с ОЭ p-n-p 22 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Схемы включения транзисторов Схема с общим коллектором (ОК) 23 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 n-p-n
Биполярные транзисторы Весна 2016 Схемы включения транзисторов Схема с общим коллектором (ОК) т. е. k. Uк 1 24 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Схемы включения транзисторов Схема с общим коллектором (ОК) 25 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Влияние температуры на характеристики транзисторов 26 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Составной транзистор (схема Дарлингтона) 27 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Составной транзистор (схема Дарлингтона) 28 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Биполярные транзисторы Весна 2016 Составной транзистор (схема Дарлингтона) 29 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Источник тока Ток коллектора Здесь
Улучшенная схема источника тока Ток коллектора (выходной ток)
«Токовое зеркало»
«Токовое зеркало» Уилсона
Биполярные транзисторы Весна 2016 Контрольное задание Какая из схем включения транзистора имеет: а- наибольшее входное сопротивление б – наибольший коэффициент усиления по току в – наибольший коэффициент усиления по напряжению Лучше совсем не знать чего-либо, чем знать плохо. Публилий Сир 34 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Скачать презентацию Биполярные транзисторы Весна 2016 Лекция 3 Биполярные транзисторы
Келек - лк 3.ppt