Белгородский государственный национальный исследовательский университет МОДЕЛИРОВАНИЕ ДИФРАГИРОВАННОГО ПЕРЕХОДНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ РЕЛЯТИВИСТСКОГО ЭЛЕКТРОНА ПЕРЕСЕКАЮЩЕГО КРИСТАЛЛИЧЕСКУЮ МИШЕНЬ Автор: Пискарев В. А. Научный руководитель: Носков А. В. доктор ф-м. наук, профессор кафедры
АКТУАЛЬНОСТЬ ПРОБЛЕМЫ В настоящее время ученые разных стран все больше стали интересоваться исследованиями, связанными с прохождением и излучением релятивистских электронов в структурированных средах. Это связано с тем, что источники рентгеновского излучения, основанные на этом механизме излучения очень востребованы в медицине, биологии, микроэлектронике, физике твердого тела и других областях науки и техники. Такие источники, созданные на основе электронных накопительных колец с высокой (~ 1 Гэ. В) энергией электронов, генерирующих синхротронное излучение, являются громоздкими и дорогостоящими установками. Для генерации пучков когерентного рентгеновского излучения можно использовать компактные ускорители с энергией электронов ~ 10 -50 Mэ. В, которые являются менее дорогостоящими установками. Отличительной особенностью источников основанных на взаимодействие релятивистских электронов со структурированными средами является высокая монохроматичность, поляризация генерируемого ими излучения, перестраиваемость по частоте и высокая интенсивность.
ЦЕЛЬ РАБОТЫ: Математическое и компьютерное моделирование дифрагированного переходного излучения релятивистского электрона пересекающего кристаллическую пластинку в общем случае асимметричного отражения поля электрона относительно поверхности мишени. Задачи: 1. Построение математической модели дифрагированного переходного излучения релятивистского электрона пересекающего кристаллическую пластинку в геометрии рассеяния Лауэ. 2. Вывод выражений описывающее спектрально-угловые характеристики переходного излучения. 3. Исследование спектрально-угловых характеристик излучений. 4. Оптимизация выхода ДПИ
Механизмы ПИ и ДПИ Механизмы ПРИ и ПРИВ ПРИ При пересечении релятивистским электроном кристалла его кулоновское поле рассеивается на атомных плоскостях, порождая ПРИ ПИ ДПИ Переходное излучение возникает вследствие разных кулоновских полей в вакууме и веществе ДПИ возникает вследствие дифракции фотонов ПИ слоями мишени
Основные новые результаты работы Впервые смоделирован процесс дифрагированного переходного излучения релятивистского электрона, пересекающего монокристаллическую пластинку в геометрии рассеяния Лауэ, для произвольной асимметрии отражения поля электрона относительно поверхности кристаллической пластинки. Получены выражения описывающие спектрально-угловые характеристики ДПИ. Спектрально-угловая плотность ДПИ зависит от асимметрии отражения. Показано, что спектр ДПИ зависит от угла наблюдения.
Скачать презентацию Белгородский государственный национальный исследовательский университет МОДЕЛИРОВАНИЕ ДИФРАГИРОВАННОГО ПЕРЕХОДНОГО
презентация Пискарев.pptx