Аналіз довідникових даних Datasheet напівпровідникових елементів Залежно

Аналіз довідникових даних (Datasheet) напівпровідникових елементів

Залежно від виробника вигляд довідникових даних та стиль викладення можуть дещо відрізнятися, але загальна структура зберігається Далі розглядаються приклади декількох приладів різних виробників

ДІОД Аналіз цих даних відповідає виконанню пунктів 1 -3 завдання

В роботі навести таблиці з перекладеними укр. мовою назвами параметрів та одиницями вимірювання (завдання пункт 4)

Аналіз подібних даних можна виконати при виконанні пункту 2 з короткою характеристикою того, які дані наведені і з якою метою

Відповідно до пункту 5 завдання необхідно здійснити аналіз характеристик приладу (вольт-амперних , вольт-фарадних, температурних, часових і т. п. )

В роботі наводяться копії графіків , переклад назв характеристик, аналіз умов , при яких вони знімалися та виконати завдання по пункту 5

БІПОЛЯРНИЙ ТРАНЗИСТОР

Таблиця 4 до пункту 3 завдання, таблиця 5 – до пункту 5

Електричні параметри до пункту 5 завдання

Габаритні креслення

Розміри до габаритних креслень

ПОЛЬОВИЙ ТРАНЗИСТОР (MOSFET)

Електричні параметри (по п. 4 завдання)

По п. 4 завдання

Вольт-амперні вихідні (стокові) характеристики при різних температурах – аналіз відповідно до завдання пункту 5

IGBT

Наступні параметри, наведені в довідникових даних, подібні до розглянутих для польового транзистора (див. файли irg 7 pa 19 upbf та irf 9 z 34 ns)