Акционерное общество "Государственный научноисследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" Закрытое акционерное общество "Научно-производственный центр "Реагент" Основной вид деятельности: научные исследования и разработки в области естественных и технических наук. ЗАО «НПЦ «Реагент» специализируется на разработке и производстве оптико-электронных систем регистрации и обработки сигналов, в том числе в инфракрасной области спектра. Роль в проекте: Софинансирование работ по проекту за счет собственных средств в размере 4, 05 млн. рублей. Выполнение работ по Плану-графику исполнения обязательств, финансируемых из средств внебюджетных источников. Коммерциализация результатов работ по проекту. 1. Комплект технологической документации на технологию выращивания методом ЖФЭ n/p+ гетероструктур КРТ. 2. Лабораторная технологическая инструкция по изготовлению полупроводниковых фоточувствительных элементов (ФЧЭ) из гетероструктур КРТ со слоями n- и p-типов электропроводности. 3. Эскизная конструкторская документация на ФЧЭ на основе n/p+ гетероструктур КРТ и макет фотовольтаического детектора длинноволнового лазерного ИК излучения в корпусе с термоэлектрическим охлаждением 4. Методики выполнения измерений (МВИ) глубины залегания n/p+ перехода и электрофизических свойств слоев в составе гетероструктуры. 5. Проект технического задания на проведение ОТР. 1 – Фоточувствительный элемент 2 – Двух каскадный элемент Пельтье 3 – Контактные провода (Au) 4 – Корпус ТО-39 Рисунок 2 — Макет фотовольтаического детектора длинноволнового лазерного ИК излучения в корпусе с термоэлектрическим охлаждением 1. Разработка полупроводниковых фоточувствительных материалов и лабораторной технологии их получения для матричных ИКфотоприемников и тепловизоров гражданского назначения с повышенной рабочей температурой не менее чем в 1, 3 раза и/или сниженным энергопотреблением не менее чем в 2 раза и/или уменьшенными габаритами и весом не менее чем в 2 раза. 2. Разработка технологии выращивания методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) гетероструктур кадмий-ртуть-теллур (КРТ) со слоями n- и p-типа электропроводности, легированными донорной (In) и акцепторными примесями (As, Sb) для матричных ИКфотоприемников в геометрии n/p+, а также фотовольтаических детекторов длинноволнового лазерного ИК-излучения, работающих при термоэлектрическом охлаждении (ТЭО). Разрабатываемые фоточувствительные гетероструктуры КРТ с примеснолегированными эпитаксиальными слоями n- и p-типов электропроводности предназначены для изготовления матричных ИК-фотоприемников в геометрии n/p+, а также фотовольтаических детекторов длинноволнового лазерного ИК излучения, работающих при термоэлектрическом охлаждении, которые находят широкое применение в медицине, строительстве, экологическом мониторинге, системах промышленной безопасности, в авиации, в том числе в беспилотной авиации и в навигационных системах, научных исследованиях и во многих других отраслях экономики. Внедрение результатов исследования обеспечит увеличение сроков эксплуатации, снижение стоимости, расширение областей гражданского применения ИК фотоприемников, разработку и производство тепловизоров нового поколения.
Скачать презентацию Акционерное общество Государственный научноисследовательский и проектный институт редкометаллической
7877fe83299b6884a396bb6dfee9bd37.ppt