5. 2. Концентрация компонентов. Концентрацию компонент обычно откладывают в атомных процентах. В практическом материаловедении для удобства часто пользуются процентами по массе, но при анализе природы образующихся фаз, изучении закономерностей, определяющих предельные концентрации твердых растворов, и в других подобных случаях следует пользоваться атомными процентами. Для систем, в которых одним из компонентов является полупроводник (химический элемент или соединение), наряду с диаграммами, построенными в обычном масштабе, строят диаграммы, на которых в области, примыкающей к полупроводнику, концентрацию легирующего компонента в атомных процентах наносят в логарифмическом масштабе (рис. 5. 3 в), либо строят отдельно часть диаграммы, примыкающую к полупроводниковому компоненту, откладывая концентрацию второго компонента в атомах на кубический сантиметр тоже в логарифмическом масштабе (рис. 5. 3 а). Это вызвано тем, что концентрацию носителей заряда в полупроводниках измеряют в электронах (или дырках) на кубический сантиметр, и в тех случаях, когда легирующие добавки являются поставщиками носителей заряда, удобно концентрацию носителей и примесей измерять в одних единицах.
Кроме того, предельная растворимость примесей в полупроводниках, как правило, очень мала ~(0, 1 – 0, 01) % ат. и реально используемое легирование по концентрации составляет (1014– 1019) ат/см 3, т. е. (106– 10– 1) % ат. В этих условиях важно показать на диаграммах фазовые области, в которых концентрация компонентов в области малых концентраций изменяется на порядок величины. Логарифмический масштаб позволяет это сделать, тогда, как в обычном масштабе область концентраций меньше 0, 1 % сливается с осью ординат.
Задача 5. 2. Подсчитать количество атомов, приходящихся на долю одной элементарной ячейки в решетках Браве.
Скачать презентацию 5 2 Концентрация компонентов Концентрацию компонент обычно откладывают
Л 9 Концентрация компонентов.pptx