• 15. Классификация транзисторов, обозначение и маркировка. Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Классификация транзисторов 1. По основному полупроводниковому материалу: на основе кремния, германия, арсенида галлия. 2. По структуре: 3. По мощности: • маломощные транзисторы до 100 м. Вт • транзисторы средней мощности от 0, 1 до 1 Вт • мощные транзисторы (больше 1 Вт). 4. По частоте: низкочастотные, средней частоты, высокочастотные. УГО Маркировка: КТ 315 А К-материал; Т-тип; 3 -характеристика(По мощности и частоте); 15 -номер конструкторской разработки; А-группа по параметрам • 19. Параметры и характеристики оптопар. Первая группа параметров характеризует входную цепь оптопары (входные параметры), вторая - ее выходную цепь (выходные параметры), третья - объединяет параметры, характеризующие степень воздействия излучателя на фотоприемник и связанные с этим особенности прохождения сигнала через оптопару как элемент связи (параметры передаточной характеристики ), наконец, четвертая группа объединяет параметры гальванической развязки, значения которых показывают, насколько приближается оптопара к идеальному элементу развязки. 1. Входные параметры оптопар: входное напряжение и ток, входное сопротивление 2. Выходные параметры оптопар: выходное напряжение и ток, выходное сопротивление 3. Передаточные параметры : время включения, время переключения, время нарастания выходного сигнала 4. Параметры гальванической развязки оптопар: максимально допустимое пиковое напряжение между входом и выходом Uразв п max ; максимально допустимое напряжение между входом и выходом Uразв max; сопротивление гальванической развязки Rразв; проходная емкость Cразв; максимально допустимая скорость изменения напряжения между входом в выходом (d. Uразв/dt) max. Важнейшим является параметр Uразв п max. Именно он определяет электрическую прочность оптопары и ее возможности как элемента гальванической развязки. Характеристики: - входная ВАХ; - выходная ВАХ; - передаточная (Iвых=f(Iвх)) • 16. Светоизлучающий диод: конструкция, УГО, принцип работы, область применения. Конструкция светодиода: основу светодиода составляет искусственный полупроводниковый кристаллик, в котором реализован p-n-переход. Кристаллик "сажают" в металлическую полированную чашечку (медную или алюминиевую), которая является отражателем и "катодом" (-). К самому кристаллику "привают" золотую нить -"анод" (+). Затем всю конструкцию заливают прозрачным компаундом, которому придают определенную форму. УГО Принцип работы: при пропускании электрического тока через p-n переход в прямом направлении, носители заряда - электроны и дырки - рекомбинируют с излучением фотонов. Яркость и цвет зависит от материала диода. Область применения: • В уличном, промышленном, бытовом освещении • В качестве индикаторов - как в виде одиночных светодиодов, так и в виде цифрового или буквенноцифрового табло • Массив светодиодов используется в больших уличных экранах, в бегущих строках. • В оптопарах • Мощные светодиоды используются как источник света в фонарях и светофорах • Светодиоды используются в качестве источников модулированного оптического излучения (передача сигнала по оптоволокну, пульты ДУ) • В подсветке ЖК-экранов • В играх, игрушках, значках, USB-устройствах и прочее. • В светодиодных дорожных знаках. • 17. Светоизлучающий диод: основные электрические и оптические параметры. Важнейшим параметром является: • К. П. Д. ; • полная мощность излучения (Pполн [Вт]) или световой поток (Ф [лм] (люмен)); 3) яркость (В [кд/м 2] (десятки кандел на м 2)); 4) постоянное прямое напряжение (Uпр [В]) составляет несколько вольт. 5) максимально допустимый прямой ток (Iпр. max [м. А] (единицыдесятки м. А)). 6) Цвет светодиода Характеристики: Вольт-амперная характеристика светодиодов в прямом направлении нелинейная. Диод начинает проводить ток начиная с некоторого порогового напряжения. Диаграмма направленности показывает как изменяется яркость светодиода в зависимости от угла наблюдения. Современные сверхяркие светодиоды обладают менее выраженной полупроводимостью, чем обычные диоды. Высокочастотные пульсации в питающей цепи (т. н. "иголки") и выбросы обратного напряжения приводят к ускоренному деградированию кристалла. Скорость деградирования также зависит от питающего тока (нелинейно) и температуры кристалла (нелинейно). • 20. Основные параметры и характеристики фотоприёмников Рабочее напряжение Up – постоянное напряжение, приложенное к ФПМ, при котором обеспечиваются его номинальные параметры при длительной работе. Темновой ток Iт – ток, протекающий через ФПМ при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Фототок Iф – ток, проходящий через ФПМ при указанном напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением. Общий ток Iобщ – ток ФПМ, состоящий из темнового тока и фототока. Напряжение (ток) фотосигнала Uс (Iс) – изменение напряжения (тока) на ФПМ, вызванное действием на него потока излучения источника фотосигнала. Темновое сопротивление Rт – сопротивление ФПМ в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности. Световое сопротивление Rс – сопротивление ФПМ при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности. Чувствительность S – отношение изменения значения электрической величины на выходе ФПМ, вызванного падающим на него излучением, к количественной характеристике этого излучения, представленной любой энергетической или фотометрической величиной. Интегральная чувствительность Sинт – чувствительность ФПМ к излучению данного спектрального состава. Напряжение (ток) шума Uш (Iш) – среднеквадратичное значение флуктуации напряжения (общего тока) в цепи ФПМ в заданной полосе частот. Энергетическая характеристика фототока Iф(Ф) – зависимость фототока от потока или плотности потока излучения, падающего на ФПМ. Частотная характеристика чувствительности S(f) – зависимость чувствительности ФПМ от частоты модуляции потока излучения. Спектральная характеристика чувствительности S(λ) – зависимость монохроматической чувствительности ФПМ от длины волны регистрируемого потока излучения. Вольт-амперная характеристика – зависимость фототока от напряжения. • 24. Элементы индикации: понятие и классификация. • 23. Лазеры • Фоторезистор – это полупроводниковый резистор сопротивление, которого изменяется под действием оптического излучения. Включается только с источником питания. Обозначение Основные параметры: • Rт темновое сопротивление фоторезистора без освещения; • Iт темновой ток Iт=E/Rт+Rн • Rс при облучении фоторезистора получается световое сопротивление • Ic световой ток Ic=E/Rc+Rн • Iф фото ток Iф=Ic+Iт • Pmax рассеиваемая мощность • Интегральная чувствительность вах Лазеры – генераторы когерентного излучения, основанные на использовании вынужденного излучения. Классификация: По материалу 1) твердотельные: высокая мощность излучения, КПД не более 30%, высокая потребляемая мощность, невысокая когерентность. 2) полупроводниковые: малые размеры, КПД 46%, высокая мощность излучения, большая потребляемая мощность. 3) Газовые (на основе инертных газов): высокая когерентность, большие размеры, невысокая мощность излучения, низкий КПД 12 -20% 4) Жидкостные (активной средой является жидкость): возможность циркуляции жидкости с целью её охлаждения. Это позволяет получить большие энергии и мощности излучения в импульсном и непрерывном режимах. Генерируют излучение с узким спектром частот По режиму работы: 1) Импульсные 2) Постоянные 3) Смешанные Основные параметры: 1) Частота лазерного излучения 2) Ширина спектра лазерного излучения 3) Потребляемая мощность излучения 4) Эффективная температура 5) КПД 6) Расходимость лазерного луча Элементы индикации - это элементы, которые используются для отображения информации, в удобном для оператора виде. По функциональному назначению: 1. активные: светоизлучающий диод, лазерные элементы индикации, электроннолучевые трубки, лампы накаливания. 2. пассивные: жидкокристаллические элементы, электромагнитные индикаторы, электрогальваноплстические. Пассивные ЭИ отличаются от активных отсутствием собственного излучения. • 26. Классификация коммутационных устройств. По типу управляющего сигнала: 1. Электрическое управление; 2. Механическое (ручное) управление. По принципу коммутации: 1. Контактные; 2. Бесконтактные. По принципу действия: 1. Контактного типа; 2. Механические; 3. Электромагнитные; 4. Магнитоуправляемые; 5. Магнитные; 6. Оптоэлектронные; По способу управления приводом все механические переключатели делятся на: 1. Нажимные (кнопочные); 2. Перекидные (тумблер); 3. Поворотные (галетные); 4. Движковые; 5. Сенсорные. По типу исполнительной системы оптические реле (оптроны) делятся на: 1. Резисторные; 2. Диодные; 3. Транзисторные; 4. Однопереходные транзисторы; 5. Тиристорные. • 30. Классификация линий задержки. Существуют ЛЗ для задержки электрических сигналов (НЧ, ВЧ, СВЧ) и для задержки оптических (световых сигналов) ЛЗ для задержки электрических сигналов Аналоговые ЛЗ ЛЗ на линиях с распределёнными параметрами (кабельные, волноводные) Искусственые ЛЗ (цепи с сосредоточенными параметрами) ЛЗ с преобразованием электрических сигналов в сигналы другой физической природы (ультразвуковое, оптическое излучение) и обратно Цифровые ЛЗ Аппаратно реализованные цифровые ЛЗ Программно реализованные ЛЗ Акустооптические ЛЗ с прямым детектированием Акустооптические ЛЗ гетеродинного типа ЛЗ подразделяются также на широкополосные (как правило, с нижней частотой 0 Гц) и узкополосные (для задержки сверхвысокочастотного или оптического сигнала). СВЧ и оптические линии бывают дисперсионными (волновая скорость зависит от частоты) и бездисперсионными. По принципу действия: а) электрические; б) акустические (ультрозвуковые). Основные параметры: • Длительность задержки, измеряемая ременным интервалом между средними точками фронт входного и выходного импульсов. • Рабочая частота, определяемая резонансной частотой используемых в ЛЗ преобразователей, а также степенью затухания акустических колебаний в материале звукопровода. • Полоса пропускания, определяемая длительностью фронта импульса между уровнями, соответствующими 10 и 9*0% его амплитудного значения. • характеристическое сопротивление, определяемое величиной сопротивления нагрузки, при котором отражение от ее концов минимально. • Относительный уровень ложных сигналов. • Затухание передаваемого сигнала.
Скачать презентацию 15 Классификация транзисторов обозначение и маркировка
11-30.pptx