1 2 Спонтанная намагниченность тонких плёнок 1 2

1. 2. Спонтанная намагниченность тонких плёнок 1. 2. 1. Влияние числа ближайших соседей на магнитное упорядочение Z Атомная конфигурация Плоская Объёмная решётка 2 3 4 6 6 8 12 Линейная цепочка Сотовая система Квадратная решётка Гексагональная система Кубическа решётка Объемно-центрированная решётка Гране-центрированная решётка Величина TC/J Фиксированная Гауссово энергия парного распределение взаимодействия энергии п. в-я 1 1, 5 1, 67 3 3 3 – – – 2 6 4, 74

1. 2. 2. Спонтанная намагниченность реальных плёнок Плёнки Ni

Плёнки Fe/Pd Зависимости температуры Кюри от толщины в монослоях для системы Fe/Pd (100), выращенной с плоскостной или перпендикулярной осями легкого намагничивания (магнитооптика). Пунктир - расчёт , выполненный Бейндером и Хоенбергом с привязкой в точке 3 монослоя.

Плёнки Сo/Si Зависимости приведённого значения среднего магнитного момента атомов Со в плёнках [Co(LCo)/Si(2)]n от толщины слоёв Со: точки – экспериментальные данные; линия – рассчитанная зависимость для модельной структуры с толщиной интерфейса h = 1, 2 нм. Вставка иллюстрирует модель межслойного интерфейса Co-Si толщиной h, в котором имеет место линейное изменение состава по толщине (линия 1) и соответствующее изменение приведённого магнитного момента Со (линия 2). Экспериментальная (точки, сплошная линия) и рассчитанная (штриховая линия) зависимости приведённого значения среднего магнитного момента атомов Со в плёнках [Со(7)/Si(LSi)]9/Co(7) от толщины слоёв Si. Вставка схематически иллюстрирует возможное изменение Конфигурации межслойного интерфейса при изменении номинальной толщины слоёв Si.

Тонкие плёнки Gd

Экспериментальные (точки) и теоретические (линии) зависимости механического момента от температуры для массивного образца (1) и плёнок [Gd(L)/Cu(1 нм)]n с различной толщиной магнитных слоёв: 2– 780; 3– 22, 5; 4– 7, 5 нм. Электронограммы и фотографии микроструктуры плёнок [Gd(LGd)/Si(1 нм)]n с разной толщиной магнитных слоёв: а– 7, 5; б– 15; в– 40 нм. Цифрами указаны значения межплоскостных расстояний d, соответствующие выделенным дифракционным линиям.

Анализ температурной зависимости спонтанной намагниченности (Tc)c c (Tc)a a Зависимости рассчитанных конценраций аморфной (1), кристаллической (2) и переходной (3) магнитных фаз от толщины слоёв в плёнках [Gd/Cu(1 нм)]n