Вимірювання малих струмів НТУУ “ КПІ ” АЕД

  • Размер: 2.4 Mегабайта
  • Количество слайдов: 7

Описание презентации Вимірювання малих струмів НТУУ “ КПІ ” АЕД по слайдам

Вимірювання малих струмів НТУУ “ КПІ ” АЕД Вимірювання малих струмів НТУУ “ КПІ ” АЕД

Дослідження малих струмів НТУУ “ КПІ ” АЕДСфера застосування вимірювачів малих струмів Рівні генерованих струмів ШвидкістьДослідження малих струмів НТУУ “ КПІ ” АЕДСфера застосування вимірювачів малих струмів Рівні генерованих струмів Швидкість протікання процесів Параметри інтегральних мікросхем від 10 -8 до 10 -1 А до 10 ГГц і вище Властивості напівпровідникових матеріалів від 10 -10 до 10 -3 А до 10 ГГц і вище Вирощування нанотрубок від 10 -11 до 10 -5 А до 100 Гц Скануюча тунельна мікроскопія від 10 -12 до 10 -9 А до 50 Гц Струми втрат у конденсаторах та котушках індуктивності від 10 -12 до 10 -7 А до 1 ГГц Властивості ізоляторів від 10 -13 до 10 -6 А від 0, 1 Гц до 1, 5 к. Гц Біохімічний аналіз, визначення ДНК послідовностей від 10 -13 до 10 -9 А до 10 к. Гц і вище Іонізаційні камери, плазмові датчики від 10 -15 до 10 -6 А до 1 МГц

Методи вимірювання малих струмів НТУУ “ КПІ ” АЕД 1. Накопичення(інтегрування) заряду на конденсаторі Характеристики: Методи вимірювання малих струмів НТУУ “ КПІ ” АЕД 1. Накопичення(інтегрування) заряду на конденсаторі Характеристики: — висока чутливість 10 -17 А, — низька швидкодія 10 -1 ~ 10 2 c. 2. Падіння напруги на шунті Характеристики: — висока чутливість до 10 -1 5 А , — необхідність зміни опору шунта для перемикання діапазону, — значний вплив опору шунта при вимірюванні малих струмів. 3. Використання схеми зі зворотнім зв’язком Характеристики: — висока чутливість до 10 -1 6 А — висока швидкодія до 10 -5 с, — відсутність падіння напруги живлення

Реалізація ємнісних сенсорних кнопок НТУУ “ КПІ ” АЕДВхідний струм порту MSP 430 в високоімпедансному станіРеалізація ємнісних сенсорних кнопок НТУУ “ КПІ ” АЕДВхідний струм порту MSP 430 в високоімпедансному стані складає 50 н. А. Вимірювання часу розряду ємності конденсатора, що формується мідною поверхнею та пальцем, дозволяє реалізувати ємнісну сенсорну кнопку. Макет до лабораторної роботи

Розробка вимірювачів малих струмів НТУУ “ КПІ ” АЕДОпераційний підсилювач Вхідний струм  зміщення, ф AРозробка вимірювачів малих струмів НТУУ “ КПІ ” АЕДОпераційний підсилювач Вхідний струм зміщення, ф A Рівень шуму, 1 ( f = 1 к. Гц) Полоса пропускання, МГц AD 549 60 0. 22 1 LMC 6482 20 30 1 INA 116 3 0. 1 0. 8 OPA 2320 900 0. 6 20 LMP 7721 20 10 17 MAX 44260 500 1. 2 15 MAX 9945 50 1 3 Гцф. А Використання захисних кілець Виконання плати навісним монтажем. Порівняння операційних підсилювачів з низьким струмом зміщення

Результати експериментальних досліджень НТУУ “ КПІ ” АЕДХарактеристики приладу: - два вимірювальних канали (500 мк. АРезультати експериментальних досліджень НТУУ “ КПІ ” АЕДХарактеристики приладу: — два вимірювальних канали (500 мк. А та 50 н. А); — роздільна здатність 5 десяткових розрядів; — максимальна чутливість 10 п. А; — смуга частот до 1 к. Гц. Зовнішній вигляд прототипу пікоамперметра Спрощена схема вимірювального каналу пікоамперметра Зовнішній вигляд ПЗ для керування пікоамперметром

Застосування вимірювача малих струмів  НТУУ “ КПІ ” АЕДВимірювання струму споживання мікроконтролерів Вимірювання зворотного струмуЗастосування вимірювача малих струмів НТУУ “ КПІ ” АЕДВимірювання струму споживання мікроконтролерів Вимірювання зворотного струму діода Зворотний струм діода при кімнатній температурі Зростання зворотного струму при нагріванніСтрум споживання в активному режимі Режим зниженого споживання Режим очікування Силовий діод SF 36 Екран. MSP 430 G 2211 Вимірювач включений в розрив між землею контролера та загальною Інтерфейс відладки