Скачать презентацию При изготовлении ИМС по этой технологии структуры Скачать презентацию При изготовлении ИМС по этой технологии структуры

МОП ИМС по изопл.(Ben_Jamin) .pptx

  • Количество слайдов: 12

 При изготовлении ИМС по этой технологии структуры МОП-транзисторов изолируют слоем диоксида кремния. Создание При изготовлении ИМС по этой технологии структуры МОП-транзисторов изолируют слоем диоксида кремния. Создание структур самих МОП-транзисторов основано на использовании толстооксидной самосовмещенной технологии. Причем все их активные области (исток, канал, поликремниевый затвор, диффузионные проводники) формируют на мезаобластях, окруженных слоем диоксида кремния и выступающих над поверхностью подложки.

1 – подложка р-типа 2, 3 - Толстый и тонкий слои Si. O 2 1 – подложка р-типа 2, 3 - Толстый и тонкий слои Si. O 2 4 - электрод затвора 5 - Алюминиевая металлизация 6 - области стока и истока

Сначала поверхность исходных кремниевых подложек р-типа покрывают толстым слоем диоксида кремния, поверх которого наносят Сначала поверхность исходных кремниевых подложек р-типа покрывают толстым слоем диоксида кремния, поверх которого наносят слой нитрида кремния, и фотолитографией, а также селективным травлением формируют мезаобласти. Затем в вытравленные в кремниевых подложках канавки проводят на небольшую глубину диффузию атомов акцепторной примеси.

Селективное легирование повышает удельную плотность заряда в приповерхностных слоях, увеличивая пороговое напряжение паразитных МОПтранзисторов. Селективное легирование повышает удельную плотность заряда в приповерхностных слоях, увеличивая пороговое напряжение паразитных МОПтранзисторов. При термическом окислении поверхность вытравленных канавок покрывают слоем диоксида кремния. Следует отметить, что для формирования мезаобластей, проведения термического окисления и селективного легирования необходим только один процесс фотолитографии.

После термического окисления слой нитрида кремния удаляют, фотолитографией вскрывают в защитном толстом слое диоксида После термического окисления слой нитрида кремния удаляют, фотолитографией вскрывают в защитном толстом слое диоксида кремния окна под области истоков, стоков и затворов и по самосовмещенной технологии формируют МОП-транзисторы. На заключительном этапе технологического процесса создают электроды затворов и межэлементные соединения, а также процесс металлизации.

 получение мезаструктур, изолированных слоем диоксида кремния, уменьшает паразитные электрические связи между отдельными структурами получение мезаструктур, изолированных слоем диоксида кремния, уменьшает паразитные электрические связи между отдельными структурами и повышает плотность размещения МОП-транзисторов; упрощается совмещение металлических контактов с диф фузионными областями, так как эти области граничат не с подложкой, а со слоем диоксида кремния; при этом может быть существенно уменьшена площадь под контакты; полученные структуры имеют плоскую поверхность, что снижает вероятность разрывов алюминиевой металлизации.

 Таким образом, изготовленные по изопланарной технологии МОП ИМС обладают высокой плотностью размещения элементов, Таким образом, изготовленные по изопланарной технологии МОП ИМС обладают высокой плотностью размещения элементов, а также хорошими электрическими характеристиками, что объясняется высокими пороговыми напряжениями образующихся паразитных МОП-структур.