Презентация lektsii FOE 2003

Скачать презентацию  lektsii FOE 2003 Скачать презентацию lektsii FOE 2003

lektsii_foe_2003.ppt

  • Размер: 19.5 Mегабайта
  • Количество слайдов: 38

Описание презентации Презентация lektsii FOE 2003 по слайдам

Физические основы электроники Темы : 1. История развития электроники 2. Структура атома 3. Полупроводниковые диоды 4.Физические основы электроники Темы : 1. История развития электроники 2. Структура атома 3. Полупроводниковые диоды 4. Выпрямители 5. Транзисторы 6. Усилители 7. Двухтактные каскады 8. Широкополосный каскад

История развития электроники 1831 г. – Майкл Фарадей, английский ученый, открыл явление   электромагнитной индукции.История развития электроники 1831 г. – Майкл Фарадей, английский ученый, открыл явление электромагнитной индукции. 1831 г. – Дж. Максвелл разработал теорию электромагнитных волн. 1883 г. – Томас Эдисон открыл эффект термоэлектронной эмиссии, ставший впоследствии основой изобретения первого электронного прибора – вакуумного диода. 1886 г. – Генрих Герц экспериментально доказал существование электромагнитных волн. Герц впервые наблюдал фотоэффект. 1895 г. – А. С. Попов построил чувствительный и надёжно работавший приёмник, пригодный для беспроводной сигнализации(радиосвязи) На главную

1897 г. –  Джозеф Томсон открыл электрон. Браун изобрел осциллоскоп. 1904 г. – Джон Флеминг1897 г. – Джозеф Томсон открыл электрон. Браун изобрел осциллоскоп. 1904 г. – Джон Флеминг изобрел первую электронную лампу, вакуумный диод. 1908 г. – 25 июня Б. Л. Розинг подал заявку на изобретение электронно-лучевой трубки, первым в мире применил электронную систему приема изображения. 1918 г. – 2 декабря организована Нижегородская Электротехническая лаборатория. Научным руководителем был назначен М. А. Бонч-Бруевич. Разработала лампу мощностью в 25 к. Вт и построила двенадцатикиловаттный радиотелефонный передатчик. 1924 г. – в Москве построена самая мощная радиостанция в мире. 1924 г. – первое телевизионное вещание в Ленинграде. С 1948 в Москве. На главную

1948 г. –  Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли изобрели полупроводниковый элемент – транзистор.1948 г. – Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли изобрели полупроводниковый элемент – транзистор. 1956 г. – Лео Эсаки открал новый полупроводниковый элемент – туннельный диод. 1967 г. – введена в эксплуатацию телевизионная башня «Останкинская» , самая мощная в мире, высота 525 м. 1971 г. – был выпущен первый микропроцессор фирмой Intel (США) На главную

Атом — наименьшая химически неделимая частьхимического элемента,  являющаяся носителем его свойств. - диаметр атома равенАтом — наименьшая химически неделимая частьхимического элемента, являющаяся носителем его свойств. — диаметр атома равен 10 -10 м; — диаметр ядра атома = 10 -15 м. Валентными электронами называютэлектроны, находящиеся на внешней, или валентной, оболочкеатома. Валентные электроны определяют поведение элемента. На главную

Ионы  - одноатомные или многоатомные частицы,  несущие электрич. заряд, например Н + , LiИоны — одноатомные или многоатомные частицы, несущие электрич. заряд, например Н + , Li + , Аl 3+ , NH 4 + , F — , SO 4 2 -. Положительные ионы называют катионами, отрицательные — анионами. Положительные ионы — атомы или молекулы газа, лишённые в результате взаимодействий одного или несколько электронов с внешней оболочки. На главную

Зона проводимости — в зонной теории твёрдого тела первая из незаполненных электронами зон (диапазонов энергии, гдеЗона проводимости — в зонной теории твёрдого тела первая из незаполненных электронами зон (диапазонов энергии, где могут находиться электроны) в полупроводниках и диэлектриках. — у диэлектриков — у полупроводников h. E На главную

Выпрямительный диод Условное обозначение: Вольтамперная характеристика диода: На главную Выпрямительный диод Условное обозначение: Вольтамперная характеристика диода: На главную

Стабилитрон Условное обозначение: Вольтамперная характеристика стабилитрона: На главную Стабилитрон Условное обозначение: Вольтамперная характеристика стабилитрона: На главную

Условное обозначение: Вольтфарадная характеристика:  С, п. Ф  50 40  30  20 Условное обозначение: Вольтфарадная характеристика: С, п. Ф 50 40 30 20 10 2 4 6 8 10 U обр. Варикап На главную

Условное обозначение: Вольтамперная характеристика: Туннельный диод На главную Условное обозначение: Вольтамперная характеристика: Туннельный диод На главную

Схема однополупериодного выпрямителя  На главную Схема однополупериодного выпрямителя На главную

Схема двухполупериодного выпрямителя  На главную Схема двухполупериодного выпрямителя На главную

Схема однофазного мостового выпрямителя На главную Схема однофазного мостового выпрямителя На главную

Транзисторы Все транзисторы по внутренней структуре делятся на два типа:  биполярные и униполярные (полевые). Транзисторы Все транзисторы по внутренней структуре делятся на два типа: биполярные и униполярные (полевые).

Биполярный транзистор На главную. Б К Э Б Э Биполярный транзистор На главную. Б К Э Б Э

Статистические характеристики транзисторов  • Входная характеристика:   I вх     ЕСтатистические характеристики транзисторов • Входная характеристика: I вх Е к U вх

 • Выходная характеристика:   I вых       I вх • Выходная характеристика: I вых I вх 5 I вх 4 I вх 3 I вх 2 I вх 1 U вых

Способы включения транзисторов • Схема с общей базой • КТ 1 • К Н ≈1000 •Способы включения транзисторов • Схема с общей базой • КТ 1 • К Н ≈1000 • К ш ≈

 • Схема с общим эмиттером • К Т ≈30 • К Н ≈1000 • К • Схема с общим эмиттером • К Т ≈30 • К Н ≈1000 • К ш =

 • Схема с общим коллектором (эмиттерный повторитель) • К Т ≈30 • К Н =1 • Схема с общим коллектором (эмиттерный повторитель) • К Т ≈30 • К Н =1 • К ш =

По мощности различают транзисторы: 1) малой мощности P к0, 3 Вт 2) средней мощности 0, 3По мощности различают транзисторы: 1) малой мощности P к<0, 3 Вт 2) средней мощности 0, 3< P к1, 5 Вт По граничной частоте пропускания транзисторы делятся на: • низкочастотные fгр <3 МГц • средней частоты 3< fгр <30 МГц • высокой частоты 30< fгр 3 00 МГц

Маркировка транзисторов   2 Т 903 В - тип транзистора  1 2 3 4Маркировка транзисторов 2 Т 903 В — тип транзистора 1 2 3 4 5 6 -элементы Примеры: • КТ 313 А • АИ 303 К • ГТ 603 Б

1) Обозначает материал • 1, (Г)- германий до 75  (до 60 );  • 2,1) Обозначает материал • 1, (Г)- германий до 75 (до 60 ); • 2, (К)- кремний до 120 (до 85 ); • 3, (А)- арсенид галлия до 120 (до 85 ). 2) Т- биполярный транзистор; И- генераторный диод; П- полевой транзистор.

3) Классифицирует по частоте и по мощности: 1 – малой мощности, низкой частоты 2 – малой3) Классифицирует по частоте и по мощности: 1 – малой мощности, низкой частоты 2 – малой мощности, средней частоты 3 – малой мощности, высокой частоты 4 – средней мощности, низкой частоты 5 — средней мощности, средней частоты 6 — средней мощности, высокой частоты 7 – большой мощности, низкой частоты 8 — большой мощности, средней частоты 9 — большой мощности, высокой частоты

4, 5) вместе показывают порядковый номер разработки (возможно и трехзначное число); 6) буква, характеризует свойства одинаковых4, 5) вместе показывают порядковый номер разработки (возможно и трехзначное число); 6) буква, характеризует свойства одинаковых транзисторов. Пример обозначений: 2 Т 144 А — транзистор кремниевый (120 ), малой мощности, низкой частоты, номер разработки 44, группа А.

Схема усилителя с активным нагрузочным сопротивлением Схема усилителя с активным нагрузочным сопротивлением

Основные показатели характеризующие работу усилителя 1. КПД, зависит от режима работы транзистора (три режима: а, в,Основные показатели характеризующие работу усилителя 1. КПД, зависит от режима работы транзистора (три режима: а, в, с) 0 PP н %)3020(%50 max A %)7060(%78 max В %)9290(%95 max С

2. Коэффициент усиления ; напряжениюпо UU К вхвых U ; токупо II К вхвых I ;2. Коэффициент усиления ; напряжениюпо UU К вхвых U ; токупо II К вхвых I ; мощностипо РР К вхвых Р

3. Частотная характеристика ОНЧ – 40… 400 Гц ОВЧ – 1, 2… 12 к. Гц ОСр.3. Частотная характеристика ОНЧ – 40… 400 Гц ОВЧ – 1, 2… 12 к. Гц ОСр. Ч – 800 Гц

4. Амплитудная характеристика 4. Амплитудная характеристика

2 1 22 32 2. . . m nmmm г U UUU I III К 2 1 22 32 2. . . m nmmm г U UUU I III К для измерительных приборов К г =0, 1… 0, 2% для высококачественных усилителей К г =1… 2% для обычных (бытовых) усилителей К г =2… 3%Нелинейные искажения

Обратная связь в усилителях Обратная связь в усилителях

1. Междуэлектродные емкости 2. Близко расположены элементы схемы  f. CХ с 2 1  1. Междуэлектродные емкости 2. Близко расположены элементы схемы f. CХ с

3. Обратная связь вводится специально для получения некоторых показателей электронной схемы. Коэффициент усиления усилителей с обратной3. Обратная связь вводится специально для получения некоторых показателей электронной схемы. Коэффициент усиления усилителей с обратной связью: ККnили Ке. К связиобратнойцепивфазысдвиге усилителяцепивфазысдвиг. Ке. К К k j j к j ос kk 120. , ; , 1 )(

Двухтактные каскады • Согласованный режим Двухтактные каскады • Согласованный режим

Фазоинверсный каскад с раздельной нагрузкой Фазоинверсный каскад с раздельной нагрузкой

Широкополосный каскад • Схема с низкочастотной корреляцией Широкополосный каскад • Схема с низкочастотной корреляцией




  • Мы удаляем страницу по первому запросу с достаточным набором данных, указывающих на ваше авторство. Мы также можем оставить страницу, явно указав ваше авторство (страницы полезны всем пользователям рунета и не несут цели нарушения авторских прав). Если такой вариант возможен, пожалуйста, укажите об этом.