ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ —

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ - вещества, основным свойством которых является сильная зависимость электропроводности от внешних факторов По типу электропроводности Собственные Примесные с. н. з. – электроны и дырки 12 простых веществ Донорные Акцепторные В, С, Si, P, S, Ge, As, Sn (серое с. н. з. –дырки олово), Sb, Te, Y, Se. электроны

полупроводники V ~ 10 -4 109 Ом·м AIBVII (Ag. Cl, Ca. Br и др. ), ЗП AIIBVI (Cd. S, Cd. Se и др. ), AIIIBV (Ga. P, Ga. As и др. ), ЗЗ W AIVBIV (Pb. S, Ge. O 2 и др. ), AIBVI (Cu. S и др. ) ВЗ AIBVIIСVI (Cu. Al. S 2, Cu. Jn. S 2 и др. ); AIBVСVI (Cu. Sb. S 2, Ca. As. S 2 и др. ); AIBVIIIСVI (Cu. Fe. Se 2 и др. ); W < 3 э. В AIIBIVСV (Zn. Si. As 2, Zn. Ge. As и др. ); AIVBVСVI Энергия активации ( W) – минимальная энергия, необходимая для перевода электрона в зону проводимости

ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ СОБСТВЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЗП W ЗЗ ВЗ W < 3 э. В

ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ДОНОРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ WД МНОГО МЕНЬШЕ W ∆Wд~ 0, 01 э. B

ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ АКЦЕПТОРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЗП W ЗЗ WА ВЗ W до 3 э. В WА МНОГО МЕНЬШЕ W ∆WА~ 0, 01 э. B

Температурная зависимость концентрации n с. н. з. в примесном полупроводнике ln n 4 3 2 1 Рост Т 1/T

Температурная зависимость подвижности µ с. н. з. в полупроводниках. µ ~ T 3/2 µ ~ T – 3/2 T 100 K

ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ γ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ln γ 3 4 2 1 Рост Т 1/T

γ = neµn + peµp и n = A℮–ΔE/2 k. T => γ = γ 0℮–ΔE/2 k. T и RT = R 0℮–В/T, где B = ΔE/2 k B – коэфф. температурной чувствительности. Температурный коэффициент удельного сопротивления: 1 dρ TKρ= ρ =−B/T 2 d. T

ТЕРМОРЕЗИСТОР – полупроводниковый прибор, действие которого основано на зависимости электрического сопротивления от температуры ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ: 1. Кобальто-марганцевые 2. Медно-марганцевые 3. Медно-кобальто-марганцевые

ВЛИЯНИЕ НАПРЯЖЕННОСТИ ВНЕШНЕГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПЛОЯ НА ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКАЯ ИОНИЗАЦИЯ

ln γ 3 1 2 E, В/м ЕКР – критическая напряженность электрического поля: минимальная напряженность при которой начинается сильная зависимость концентрации и подвижности с. н. з. от Е. Закон Френкеля: γ = γоexp(β√E) ; R = Ro exp(–β√E)

Полупроводниковый прибор, действие которого основано на использовании зависимости электропроводности (сопротивления) n/n от напряженности электрического поля называется ВАРИСТОРОМ В качестве материалов для изготовления варисторов используют: а) карбид кремния (СН 1) б) селен (СН 2)

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Эффекты Зеебека, Пельтье и Томсона. T 1 A T 2 T 1≠T 2 B Эффект Зеебека: если в замкнутой электрической цепи, состоящей из последовательно соединенных разнородных полупроводников, на спаях создана разность температур ∆T≠ 0, то в цепи возникает термо. ЭДС: UT=α∙∆T α – коэффициент термо. ЭДС, который зависит от материалов термопары и интервала температур

Определение типа с. н. з. с помощью эффекта Зеебека Т 1 > T 2 Т 1 Т 2 p – тип n – тип

Эффект Пельтье: при прохождении тока через контакт двух последовательно соединенных разнородных полупроводников, место соединения нагревается или охлаждается в зависимости от направления тока. Количество теплоты: QП= ± П I t П – коэффициент Пельтье I – величина тока, протекающего через контакт t – время прохождения тока Томсон установил связь: α = П/Т

Эффект Томсона: при прохождении тока через полупроводник, вдоль которого есть градиент температуры, в дополнении к теплоте Джоуля, в зависимости от направления тока, выделяется или поглощается некоторое количество тепла. Теплота Томсона: QТ= I t − коэффициент Томсона Между всеми термоэлектрическими явлениями существует связь. α = d. П/d. Т + ( 1 – 2)

Механизм возникновения эффекта Томсона. Т 1>Т 2 Т 1 n – тип Т 2 Т 1 p – тип Т 2 ЭДС Зеебека Внешнее поле Е

Гальваномагнитный эффект Холла Если пластину полупроводника, вдоль которой течёт электрический ток I, поместить в магнитное поле B, направленное перпендикулярно направлению тока, то в полупроводнике возникнет поперечное электрическое поле Е, направленное перпендикулярно току и магнитному полю.

B EХ I b а Схема возникновения ЭДС Холла UХ

Для полупроводника n-типа: Для полупроводника p-типа: Для собственного полупроводника:

WП Оптические и h = W 0 фотоэлектрические а явления в полупроводниках WВ Оптика: преломление, отражение, рассеяние. Характеристика – коэффициент h 1= WД преломления n. WП б h 2= WА h 3= W 0– WД– WА WВ

Фотоэлектрические явления: • эмиссия электронов с поверхности, • генерация свободных электронов и дырок, • фотолюминесценция, • нагревание, • образование экситонов, то есть связанных электрически нейтральных пар электрон-дырка Фотоэлектрические явления происходят в результате поглощения энергии фотонов полупроводником.

Поглощение света полупроводниками. Закон Бугера-Ламберта: I = I 0(1 R)exp( x) , I 0 – интенсивность падающего монохроматического излучения; I – интенсивность прошедшего (или отраженного) излучения; R коэффициент отражения; х текущая координата от поверхности вдоль луча; толщина образца, на которой интенсивность уменьшается в е раз (коэффициент поглощения). Зависимости ( ) (или (h )) называют спектром поглощения, а R( ) (или R(h )) – спектром отражения.

Механизмы поглощения света: • собственное поглощение: переходы из валентной зоны в зону проводимости; • экситонное поглощение: переходы с участием экситонных состояний; • поглощение свободными носителями заряда: переходы электронов и дырок внутри разрешённых зон; • примесное поглощение: переходы с участием примесных состояний; • решёточное и фононное поглощение: поглощение энергии фотонов колебаниями кристаллической решётки. В разных интервалах спектра преобладают различные

Фотопроводимость удельная фотопроводимость Ф: Ф = 0 = e( n n + p р) 0 – удельная проводимость полупроводника в отсутствие освещения; – удельная проводимость освещенного полупроводника; n и p – концентрация неравновесных с. н. з. , возбужденных светом

p-n переход Электронно-дырочные переходы получают вводя в полупроводник донорные и акцепторные примеси так, чтобы одна часть полупроводника обладала электронной, а другая дырочной электропроводностью.

p n p n a б Eд (а) Диффузионное поле Ед E возникает из-за диффузии с. н. з. Образуется запирающий слой толщиной d 10 5 см. (б) Направление Е совпадает с Ед p n и переход «заперт» . в (в) Е направлено против Ед, запирающий слой насыщается Eд с. н. з. , и переход «открыт» . E

Схема установки для 5 выращивания монокристаллов по методу Чохральского: 6 1 – термопара; 2 – индукционная печь; 4 3 – окно для визуального контроля; 3 4 – ось вращения; 5 – устройство для вращения; 7 6 – водяная рубашка; 7 – монокристаллическая 8 затравка; 8 – выращиваемый кристалл; 2 9 – расплав; 9 10 – графитовый нагреватель; 10 11 – теплоизоляционная 1 11 подложка.

5 4 1 2 3 Схема установки для проведения зонной перекристаллизации: 1 – откачка на вакуум: 2 – образец в тигле; 3 – расплавленная зона; 4 – перемещаемый нагреватель; 5 – к устройству, перемещающему зону. Кз. п. = Сж. ф/Ст. ф > 1