ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О СВОЙСТВАХ И ХАРАКТЕРИСТИКАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Выполнил студент гр. ЭВТ-12 -1 б Грачев Э. И.
ВВЕДЕНИЕ Стремительное развитие и расширение областей применения электронных устройств обусловлено совершенствованием элементной базы, основу которой составляют полупроводниковые приборы. Поэтому, для понимания процессов функционирования электронных устройств необходимо знание устройства и принципа действия основных типов полупроводниковых приборов.
ЦЕЛЬ И ЗАДАЧИ Цель: познакомиться с общими сведеньями о свойствах и характеристиках полупроводниковых приборов Задачи: Рассмотреть разновидности приборов Познакомиться с основными свойствами приборов.
ПОЛУПРОВОДНИКИ Полупроводниковые материалы (германий, кремний) по удельному электрическому сопротивлению занимают место между проводниками и диэлектриками. Разная величина проводимости обусловлена разной величиной энергии, которую надо затратить на то, чтобы освободить валентный электрон от связей с атомами, расположенными в узлах кристаллической решетки. Проводимость полупроводников зависит от наличия примесей и температуры. В полупроводниках присутствуют подвижные носители заряда двух типов: отрицательные электроны и поло жительные дырки.
ДИОДЫ Полупроводниковый диод прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами. Основная его функция это проводить электрический ток в одном направлении, и не пропускать его в обратном. Состоит диод из двух слоев полупроводника типов N и P. диод проводит ток в направлении от анода к катоду, и не проводит обратно.
ВОЛЬТ АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ДИОДА Vy До того как напряжение между анодом и катодом достигнет этого значения, диод является очень плохим проводником. Vϒ у кремниевых приборов примерно 0. 7 V, у германиевых – около 0. 3 V. ID_MAX максимальный ток через диод при прямом включении IOP – обратный ток утечки (очень маленькая величина) PIV- диод способен выдерживать ограниченное напряжение (пробоя PIV)
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР Это электронный полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. У биполярного транзистора три контакта (электрода). Контакт, выходящий из центрального слоя, называется база (base). Крайние электроды носят названия коллектор и эмиттер.
ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Входной характеристикой биполярного транзистора называют зависимость тока базы Iб от напряжения база эмиттер Uбэ при фиксированном значении напряжения коллектор эмиттер. Выходной характеристикой называют зависимость тока коллектора Iк от напряжения коллектор эмиттер Uкэ при фиксированном токе базы. Коэффициент усиления по току – соотношение тока коллектора IС к току базы IB. Входное сопротивление – сопротивление в транзисторе, которое «встречает» ток базы. Обозначается Rin (Rвх). Чем оно больше тем лучше для усилительных характеристик прибора, поскольку со стороны базы обычно находиться источник слабого сигнала, у которого нужно потреблять как можно меньше тока. Частотная характеристика – зависимость коэффициента усиления транзистора от частоты входящего сигнала. С повышением частоты, способность транзистора усиливать сигнал постепенно падает.
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Полевой транзистор – это транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора очень высокое входное сопротивление.
ВАХ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА
Скачать презентацию ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О СВОЙСТВАХ И ХАРАКТЕРИСТИКАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Грачев.pptx