Компоненты компьютерной архитектуры Оперативная память Оперативная память

Компоненты компьютерной архитектуры. Оперативная память.

Оперативная память - энергозависимая часть системы компьютерной памяти, в которой временно хранятся данные и команды, необходимые процессору для выполнения им операции.

При подаче напряжения на затвор транзистора он переходит в открытое состояние и конденсатор подключается к линии столбцов. В результате происходит разряд конденсатора и заряд, хранящийся на конденсаторе данной ячейки, поступает в особый статический буфер, называемый усилителем уровня (Sense Amplifier), который установлен на выходе линии столбца

RAS# (Row Access Strobe) — это сигнал выбора строки. CAS# (Column Access Strobe) — сигнал выбора CAS# столбца. В случае если доступ к ячейке памяти не осуществляется, поддерживается высокий уровень сигналов RAS# и CAS#, что говорит об отсутствии информации на адресной шине. WE# (Write Enable) — спец. сигнал. Если этот сигнал поддерживается на высоком уровне, то реализуется операция чтения, а если он переводится в низкий уровень, то реализуется операция записи.

Блок регенерации определяет: когда происходит чтение данных и надо провести регенерацию ячейки, из которой данные были считаны; когда происходит запись данных, а, следовательно, регенерацию ячейки производить не надо.

Оперативная память DDR 2 DDR 3 *DDR = Double Data Rate SDRAM *SDRAM = Synchronous Dynamic Random Access Memory

Основные характеристики Объем оперативной памяти Частота оперативной памяти Пропускная способность Тайминги оперативной памяти ◦ ◦ CAS Latency RAS to CAS Delay RAS Precharge Time RAM Cycle Time Напряжение Производитель

Пропускная способность (важнейшая характеристика модулей памяти) = разрядность шины данных (количество бит, обрабатываемых процессором за один такт) * частота операций записи/считывания информации из ячеек. Маркировка пропускной способности модулей памяти: PC 3200 (3200 Мбайт/с), PC 8500 (8500 Мбайт/с) Разрядность шины данных = 64 бит Частота шины данных = частота системной шины = 1064 МГц Пропускная способность = 64 бит * 1064 МГЦ=68096 Мбит/с=8512 Мбайт/с Физическая память – модули оперативной памяти на системной плате Добавляется для увеличения объема памяти, используемых программами Виртуальная память – область на жестком диске (файл подкачки)

DDR 3 RAM 2 Гб Goodram (1600 МГц CL 9 (9 -11 -11 -29) 1. 5 V) DDR 3 – тип ОЗУ RAM 2 Гб. – объём оперативной памяти Goodram – производитель 1600 МГц – частота CL 9 (9 -11 -11 -29) – тайминги (задержки) 1. 5 V – рабочее напряжение

DIMM DDR 2 2048 MB PC 6400 800 MHz Kingston Форм-фактор памяти: DIMM Объем памяти: 2 Гб Пропускная способность: 6400 Мб/с Тактовая частота: 800 MHz Производитель: Kingston

1. 2. 3. 4. 5. 6. DIMM DDR 3 8192 MB PC 10600 1333 MHz Corsair XMS 3 9 -9 -9 -24; DIMM DDR 3 8192 MBx 2 PC 12800 1600 MHz Kingston Hyper. X CL 10 -10 -10; SODIMM DDR 3 2048 MB PC 10600 1333 MHz Kingston; DIMM DDR 2 1024 MB PC 6400 800 MHz Kingston; DIMM DDR 3 4096 MBx 2 PC 15000 1866 MHz Corsair Vengeance 9 -10 -9 -27; DIMM DDR 2 2048 MB PC 6400 800 MHz Samsung