Физика и технология тонких пленок О.С. Трушин Ярославль,
13338-thin_films.ppt
- Количество слайдов: 51
Физика и технология тонких пленок О.С. Трушин Ярославль, 2010
План Введение Методы нанесения пленок Эпитаксиальный рост Поверхностная диффузия Режимы эпитаксиального роста Гетероэпитаксиальные структуры Формирование текстуры Заключение
Введение Тонкие пленки в электронике (активные элементы, межсоединения) Тонкие пленки в оптике Тонкие пленки в технологии полупроводниковых лазеров Тонкие пленки в системах записи информации Тонкие пленки для создания плоских экранов
Введение: Применения тонких пленок Thin Film – thickness < 1 m
Основные методы получения пленок Электрохимическое осаждение Жидкофазная эпитаксия Напыление в вакууме - PVD (physical vapor deposition) Химическое осаждение пленок из газовой фазы – CVD (chemical vapor deposition)
Напыление пленок в вакууме (PVD) Термо-вакуумное напыление Молекулярно-лучевая эпитаксия Электронно-лучевое испарение Ионно-плазменное распыление Магнетронное распыление Лазерная абляция
Термо-вакуумное напыление
Молекулярно-лучевая эпитаксия
Электронно-лучевое испарение
Магнетронное распыление
Лазерная абляция
Химическое осаждение из газовой фазы Химическое осаждение из газовой фазы CVD Плазмохимическое осаждение с использованием металлоорганики MO CVD
Химическое осаждение из газовой фазы CVD
Экспериментальные методы мониторинга процессов роста пленок RHEED – Reflection High Energy Electron Diffraction LEED – Low Energy Electron Diffraction HAS – Helium Atom Scattering X-ray diffraction TEM – Transmission Electron Microscopy AFM – Atomic Force Microscopy STM – Scanning Tunneling Microscopy
Reflective High Energy Electron Diffraction (RHEED) STM, diffraction pattern and RHEED of Fe/Fe(001) growth
Low Energy Electron Diffraction (LEED) Low-energy electron diffraction (LEED) is a technique for the determination of the surface structure of crystalline materials by bombardment with a collimated beam of low energy electrons (20-200eV) and observation of diffracted electrons as spots on a fluorescent screen.
Helium Atom Scattering (HAS) HAS is unique in that it does not penetrate the surface of the sample at all!
Transmission Electron Microscopy a) Пар – Кристалл , b) Пар – Жидкость - Кристалл
Сканирующая туннельная (СТМ) и атомно-силовая (АСМ) микроскопия Nobel Prize in Physics, 1986 Gert Binnig and Heinrich Rohrer IBM Research Laboratory in Switzerland,.
Уникальные достижения СТМ
Surface diffusion The Ehrlich-Schwoebel barrier ES Cu/Cu(110)
Эволюция поверхности после напыления Cu/Cu(111)
Моделирование поверхностной диффузии методом молекулярной динамики (MD) 5 Cu atoms / Cu(111) T=300 K, 10^6 MD steps Main observation – Periodic change of cluster orientation
Атомные механизмы диффузии Моделирование методом молекулярной статики
Теория переходных состояний для описания диффузии Диффузия – активационный процесс
Моделирование поверхностной диффузии методом Кинетического Монте-Карло (KMC)
Моделирование поверхностной диффузии методом Кинетического Монте-Карло
Basic mechanisms of growth Adsorption of atoms from gas Cluster formation Critical size islands growth Coalescence of neighboring islands Percolation of island network Continuous film growth h>300 A
Рост пленок Ge/Si(111)
Режимы эпитаксиального роста пленок
Энергия поверхности The surface tension, , is defined as the reversible work done in creating unit area of the surface
Wulff construction Shape = envelope (inner) of planes Pb crystal: a) 300 C, b) 320 C, c) 327 C
Термодинамика роста пленок Рост пленок – неравновесный процесс Кинетические факторы конкурируют с термодинамикой Приближение локального равновесия Рост слоя : = 0, S> F+ S/F Островковый рост: > 0, S< F+ S/F Условия смачивания:
Капилярная модель образования зародыша В условиях равновесия Изменение химического потенциала при давлении p Изменение энтальпии при образовании 3-х мерного зародыша из n - атомов Entalpy
Кинетические факторы роста пленок Some kinetic effects that may play a role in the incorporation of deposited adatoms. (a) Downhill funneling: the deposited particle slides down a slope until a local minimum of the surface height is reached. (b) Knockout process: the momentum of the arriving particle suffices to push out a surface adatom at a terrace edge. (c) Steering effect: attractive forces can influence the trajectory of the arriving particle significantly.
Морфология тонких пленок Roughening transition
Гетероэпитаксиальные структуры
Межслойная диффузия и формирование сплава на поверхности (a) vapor deposition of Pt onto Ru(0001) (b) annealing to 1350 K Driving force: segregation energetic deposition
Релаксация упругих напряжений
Сравнение теории с экспериментом
Двумерная атомная модель для исследования процессов зарождения дефектов Modified Lennard-Jones potential
Атомные механизмы релаксации
Модель погруженного атома (EAM) S.M. Foiles, M.I. Baskes, M.S. Daw PRB 33 , 7983 (1986) Atomic electronics density Repulsive potential Local electronic density
Cu/Ni(111) f=2.6 %
Ag/Pd(111) f=5.1%
Pd/Ag(111) f=-4.8%
Формирование текстуры
Анализ структуры пленок методом рентгеновской дифракции
Заключение Напыление пленок важный технологический процесс современной микро и наноэлектроники Качество пленки определяется ее кристаллическим совершенством Режим роста пленки определяется совокупностью технологических условий Поверхностная диффузия важнейший процесс для обеспечения кристаллического роста Релаксация упругих напряжений в гетероэпитаксиальных структурах приводит к образованию дефектов
Вопросы на экзамен 1) Технологии получения тонких пленок. Преимущества и недостатки разных методов получения пленок. 2) Эпитаксиальный рост. Режимы роста пленок. 3) Поверхностная диффузия 4) Гетероэпитаксиальные системы. Методы получения и применения в технике. 5) Релаксация упругих напряжений в тонких пленках. Дислокации несоответствия. Критическая толщина. 6) Методы экспериментальных исследований тонких пленок. Электронная микроскопия. Атомно-силовая микроскопия. Рентгеновская дифрактометрия.Текстура роста.
References К. Оура и др. Введение в физику поверхности, М. Наука 2006 I. Markov Crystal growth for beginners, World Scientific 2003 J. A. Venables Introduction to Surface and Thin Film Processes , Cambridge Univ. Press, 2001. H. Luth Surfaces and Interfaces of Solid Materials , Springer 1998.