ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ И ЯВЛЕНИЙ, ЛЕЖАЩИЕ В ОСНОВЕ

Скачать презентацию ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ И ЯВЛЕНИЙ, ЛЕЖАЩИЕ В ОСНОВЕ Скачать презентацию ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ И ЯВЛЕНИЙ, ЛЕЖАЩИЕ В ОСНОВЕ

fiz-osn-4_2kurs2014_(1).ppt

  • Размер: 1.1 Мб
  • Автор:
  • Количество слайдов: 22

Описание презентации ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ И ЯВЛЕНИЙ, ЛЕЖАЩИЕ В ОСНОВЕ по слайдам

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ И ЯВЛЕНИЙ, ЛЕЖАЩИЕ В ОСНОВЕ МЕТОДОВ ПОЛУЧЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ О СТРУКТУРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИКАХФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ И ЯВЛЕНИЙ, ЛЕЖАЩИЕ В ОСНОВЕ МЕТОДОВ ПОЛУЧЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ О СТРУКТУРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИКАХ МАТЕРИАЛОВ

Рис. 51 -2. Результаты сравнения рентгенограмм: таблица сравнения межплоскостных расстояний 2 Рис. 51 -2. Результаты сравнения рентгенограмм: таблица сравнения межплоскостных расстояний

Рис. 52. Сравнение штрихдиаграммы образца со штрихдиагаммой одного из стандартов:  21 -1272 ,Рис. 52. Сравнение штрихдиаграммы образца со штрихдиагаммой одного из стандартов: 21 -1272 , анатаз

Рис. 53. Расчет концентраций компонентов и сравнение штрихдиаграмм образца и модели:  21 -1272Рис. 53. Расчет концентраций компонентов и сравнение штрихдиаграмм образца и модели: 21 -1272 , анатаз; 1 -1292, рутил.

5 Элементарные ячейки Проекции на  плоскость bc. Рис. 54 Полиморфные модификации оксида титана5 Элементарные ячейки Проекции на плоскость bc. Рис. 54 Полиморфные модификации оксида титана

Рис. 55.  КФА по дифракционной картине нанопорошка Ti. O 2 6 Рис. 55. КФА по дифракционной картине нанопорошка Ti. O

МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ, В ОСНОВЕ КОТОРЫХ ЛЕЖИТ ЯВЛЕНИЕ  ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ  II =МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ, В ОСНОВЕ КОТОРЫХ ЛЕЖИТ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ II = = II oo expexp (( mm tt ) – закон ослабления рентгеновских лучей в веществе mm – массовый коэффициент ослабления, равный сумме коэффициентов истинного поглощения ( mm ) и рассеяния (( mm ): mm = = mm + + mm. . mm 00. 2 см 22 /г/г — плотность материала, tt – толщина mm ( ( , , Z)Z) Рис. 1. К расчету коэффициента ослабления

Рис. 2.  Зависимость коэффициента истинного поглощения платины  (Pt)  от длины волныРис. 2. Зависимость коэффициента истинного поглощения платины (Pt) от длины волны падающего излучения Рис. 3. Зависимость атомного коэффициента поглощения от атомного номера элемента Z для длины волны =1 Å

Рис. 4. Схема возникновения первичного и вторичного (флуоресцентного) рентгеновского характеристического излучения Рис. 4. Схема возникновения первичного и вторичного (флуоресцентного) рентгеновского характеристического излучения

10 Рис. 5  Энергетические уровни атома.  Разрешенные переходы электронов на К -10 Рис. 5 Энергетические уровни атома. Разрешенные переходы электронов на К — уровень.

11 Рис. 6. Возникновение линий K -серии: а -  1 : h 11 Рис. 6. Возникновение линий K -серии: а — 1 : h 1 =E 2 p 2 — E 1 s ; б — 2 : h 2 =E 2 p 1 — E 1 s ; в — : h =E 3 p 2 — E 1 s

; R c =3. 29 10 -15 Гц Рис. 7. Зависимость корня из частоты; R c =3. 29 10 -15 Гц Рис. 7. Зависимость корня из частоты вторичного излучения от атомного номера элемента Закон Мозли 1913 г. Генри Гвин-Джефрис Мозли (1887 -1915 ), a нглийский физик, Источник: © Calend. ru http: //www. calend. ru/person/3467/ 2 j 2 ii c n 1 )Z( R

13 Рис. 8. Схема регистрации углового распределения интенсивности а – без фильтра; б -13 Рис. 8. Схема регистрации углового распределения интенсивности а – без фильтра; б — с фильтром перед счетчиком Определение коэффициента поглощения фона, создаваемого на рентгенограмме флуоресцентным излучением образца.

14 Рис. 9. Угловое распределение интенсивности а – без фильтра; б -  с14 Рис. 9. Угловое распределение интенсивности а – без фильтра; б — с фильтром перед счетчиком

15 Контрастность рентгенограммы :  K=I линии /I фона Закон ослабления для линии: 15 Контрастность рентгенограммы : K=I линии /I фона Закон ослабления для линии: )texp(II линии mлиния фильтр линия линии m. I I n 1 tl Закон ослабления для фона: )texp(II фон mфон фильтр фон фонфона m I I n t 1 l

Методы рентгеновского анализа • Рентгенгофлуоресцентный анализ – Волнодисперсионный – Энергодисперсионный – Полного внешнего отраженияМетоды рентгеновского анализа • Рентгенгофлуоресцентный анализ – Волнодисперсионный – Энергодисперсионный – Полного внешнего отражения – Со скользящим углом отбора – С поляризованным пучком – На сорбционных фидьтрах – С различными видами возбуждения: синхротрон, частицы, радиоизотопы, трубки с капилярной оптикой • Рентгеновский эмиссионный анализ • Рентгеновский микроанализ • Рентгеновский абсорбционный анализ – Интегральный – Спектроскопия краев поглощения • Рентгеновская дефектоскопия • Фотоэлектронная спектроскопия • Оже-электронная спектроскопия • Рентгенолюминисцентный анализ • Рентгенодифракционный анализ • Рентгеновская рефлектометрия • Рентгеновская рефрактометрия

17 Рис. 10. Результаты энергодисперсионного флуоресцентного анализа 17 Рис. 10. Результаты энергодисперсионного флуоресцентного анализа

EXAFS (ТСРП) – – АНАЛИЗ ТОНКОЙ СТРУКТУРЫ РЕНТГЕНОВСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ Рис.  11. Схематическое изображениеEXAFS (ТСРП) – – АНАЛИЗ ТОНКОЙ СТРУКТУРЫ РЕНТГЕНОВСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ Рис. 11. Схематическое изображение появления спектра EXAFS

19 Рис. 12. Спектры EXAFS сплава железо-никель ( Fe. Fe -- Ni. Ni ),19 Рис. 12. Спектры EXAFS сплава железо-никель ( Fe. Fe — Ni. Ni ), имеющего ГЦК решетку и содержащего 45% никеля

Рис. 13. а) Экспериментальный спектр EXAFS  (Е) вблизи K-края поглощения железа. б) РаспределениеРис. 13. а) Экспериментальный спектр EXAFS (Е) вблизи K-края поглощения железа. б) Распределение электронной плотности.

Рис. 14. Схема EXAFS-экспериментальной установки, используемой в Стэнфордской лаборатории синхротронного излучения 21 Рис. 14. Схема EXAFS-экспериментальной установки, используемой в Стэнфордской лаборатории синхротронного излучения

22 Рис. 15. Принципиальные блок-схемы а) рентгеновской дифрактометрии;  б) рентгенофлуоресцентной спектрометрии;  в)22 Рис. 15. Принципиальные блок-схемы а) рентгеновской дифрактометрии; б) рентгенофлуоресцентной спектрометрии; в) рентгеновской спектрометрии поглощения ( EXAFS , XANES )