Электронный учебно-методический комплекс Твердотельная электроника
Электронный учебно-методический комплекс Твердотельная электроника Презентации к лекционному курсу Контактные явления МОСКВА 2011 НИУ «МЭИ»
Диод Шоттки
ВАХ диода Шоттки
• ДШ характеризуются быстрой рекомбинацией инжектированных носителей (время жизни носителей крайне мало), а значит и высоким быстродействием. Благодаря минимальному сопротивлению базы и отсутствию процессов накопления и рассасывания избыточных зарядов, быстродействие получается достаточно высоким: граничная частота fгр = 1010 Гц.
Расчёт ВАХ (7. 15) (7. 16) (7. 17) (7. 18) (7. 19)
Расчет ВАХ (продолжение) (7. 20) (7. 21) (7. 22) (7. 23) (7. 24)
Расчет ВАХ (окончание) (7. 25) (7. 26) (7. 27) (7. 28)
ВАХ p-n-перехода
ВАХ p-n переходов при различных температурах Ge Si
Контакт сильнолегированных полупроводников
Туннелирование носителей заряда сквозь узкий барьер
ВАХ туннельного диода
5. Контактные явления.Диод Шоттки.ppt
- Количество слайдов: 12